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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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189 篇 专利

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189 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

23 篇 中芯国际集成电路...
20 篇 上海华力微电子有...
11 篇 安集微电子有限公...
10 篇 上海华虹宏力半导...
5 篇 安集微电子科技有...
4 篇 中科见微智能装备...
4 篇 长鑫存储技术有限...
4 篇 上海华力集成电路...
3 篇 苏州能讯高能半导...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 安集微电子科技股...
3 篇 长江存储科技有限...
3 篇 三洋电机株式会社
2 篇 和舰科技有限公司
2 篇 华进半导体封装先...
2 篇 杰华特微电子股份...
2 篇 深圳市日欣工业设...
2 篇 株洲南车时代电气...
2 篇 无锡中微晶园电子...

作者

17 篇 荆建芬
16 篇 蔡鑫元
13 篇 姚颖
11 篇 徐强
8 篇 潘依君
7 篇 宋凯
6 篇 邱腾飞
6 篇 张建
5 篇 李恒
4 篇 葛薇薇
4 篇 刘智勇
4 篇 高嫄
3 篇 卞鹏程
3 篇 冈田喜久雄
3 篇 刘焕新
3 篇 袁俊
3 篇 青野勉
3 篇 杨俊雅
2 篇 佟大明
2 篇 俞柳江

语言

189 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件表面"

共 189 条记录，以下是111-120 订阅

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排序：

一种金属膜剥离清洗方法

一种金属膜剥离清洗方法

引用

作者：王耀斌 710065 陕西省西安市高新区沣惠南路36号橡树街区1号楼10610室

本发明涉及一种电子制造设备技术领域，具体涉及一种金属膜剥离清洗方法。一种金属膜剥离清洗方法，包括以下步骤：（1）将装有晶圆片的上片盒放到上片位置；（2）对晶圆片位置、数量进行扫描记忆；（3）依次从上片盒中吸附取上晶圆片... 详细信息

标准号: CN107919305A

本发明涉及一种电子制造设备技术领域，具体涉及一种金属膜剥离清洗方法。一种金属膜剥离清洗方法，包括以下步骤：（1）将装有晶圆片的上片盒放到上片位置；（2）对晶圆片位置、数量进行扫描记忆；（3）依次从上片盒中吸附取上晶圆片，传输到化学液浸泡槽；（4）从浸泡槽附取上晶圆片，经CCD中心定位后，传输到剥离腔体吸盘上，进行金属膜剥离；（5）完成剥离工艺后传输到清洗腔的卡盘上，进行自动DI水清洗、吹氮气和甩干等工艺；（6）将晶圆片取出放到收片片盒中，完成清洗过程。本发明使敏感的半导体器件表面的污染减到最小程度，从而大幅度地改善器件性能，提高产品的可靠性和稳定性。

关键词：晶圆片金属膜剥离上片盒传输清洗半导体器件表面电子制造设备氮气吸盘化学液浸泡剥离工艺器件性能清洗过程剥离腔浸泡槽清洗腔上片甩干吸附取出扫描敏感污染

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一种半导体器件的导通孔结构的制作方法

一种半导体器件的导通孔结构的制作方法

引用

作者：张文奇戴风伟李明张俊红高兰雅 214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋

本发明公开了一种半导体器件的导通孔结构的制作方法，包括：在半导体器件的导通孔中进行不完全电镀处理，以使电镀材料覆盖导通孔的底部，以及导通孔的内表面，电镀材料中间形成有空隙；对电镀材料的表面进行表面预处理；在电镀材料中... 详细信息

标准号: CN106505032A

本发明公开了一种半导体器件的导通孔结构的制作方法，包括：在半导体器件的导通孔中进行不完全电镀处理，以使电镀材料覆盖导通孔的底部，以及导通孔的内表面，电镀材料中间形成有空隙；对电镀材料的表面进行表面预处理；在电镀材料中间形成的空隙中填充有机聚合物；在半导体器件表面依次溅射下金属层和种子层，下金属层和种子层覆盖电镀材料和有机聚合物；在种子层上方制作与导通孔位置对应的微凸点。本发明提供的半导体器件的导通孔结构的制作方法，实现了半导体器件的导通孔结构的完全填充，避免了孔内缺陷。

关键词：导通孔电镀材料半导体器件种子层有机聚合物下金属层填充制作半导体器件表面表面预处理导通孔位置电镀处理内表面微凸点溅射覆盖

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一种半导体器件的导通孔结构

一种半导体器件的导通孔结构

引用

作者：张文奇戴风伟李明张俊红高兰雅 214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋

本发明实施例公开了一种半导体器件的导通孔结构，该结构包括：半导体基体；导通孔，形成在半导体基体中，导通孔中填充有电镀材料，电镀材料覆盖导通孔的底部，以及导通孔的内表面，电镀材料中间形成有空隙，空隙中填充有有机聚合物；... 详细信息

标准号: CN106783797A

本发明实施例公开了一种半导体器件的导通孔结构，该结构包括：半导体基体；导通孔，形成在半导体基体中，导通孔中填充有电镀材料，电镀材料覆盖导通孔的底部，以及导通孔的内表面，电镀材料中间形成有空隙，空隙中填充有有机聚合物；依次形成在半导体器件表面的下金属层和种子层，下金属层和种子层覆盖电镀材料和有机聚合物；微凸点，形成在种子层上方，且与导通孔的位置对应。本发明实施例提供的半导体器件的导通孔结构，避免了半导体通孔结构中出现缝隙以及应力集中的问题。

关键词：导通孔电镀材料种子层半导体基体半导体器件有机聚合物下金属层填充半导体器件表面通孔结构应力集中内表面微凸点覆盖半导体

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一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法

一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法

引用

作者：刘国友张鸿鑫罗海辉谭灿健贺洪露张大华 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

本发明公开了一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法，包括：形成于芯片的衬底上的导电缓冲层，用于芯片的导电和封装引线键合的缓冲；形成于导电缓冲层上的支撑缓冲层，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；形成于支撑缓冲层上... 详细信息

标准号: CN106898582A

本发明公开了一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法，包括：形成于芯片的衬底上的导电缓冲层，用于芯片的导电和封装引线键合的缓冲；形成于导电缓冲层上的支撑缓冲层，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；形成于支撑缓冲层上的防腐蚀抗老化层，对金属薄膜结构进行防腐蚀和抗老化保护；形成于防腐蚀抗老化层上的增强层，用于增加防腐蚀抗老化层的硬度和强度，同时改善金属薄膜结构的接触特性。其中，导电缓冲层和支撑缓冲层的位置可以互换。本发明能够解决现有半导体器件表面金属层结构使用寿命低、可靠性差的技术问题，同时本发明金属薄膜结构简单且应力较小，与铝工艺具有较强的兼容性，制造工艺简单，可使用铜引线进行封装，成本较低。

关键词：金属薄膜防腐蚀导电缓冲层抗老化层缓冲层支撑缓冲芯片半导体器件表面半导体器件金属金属层结构薄膜结构封装引线接触特性使用寿命制造工艺兼容性抗老化铝工艺铜引线增强层衬底导电键合封装互换制作

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利于填充的通孔制作方法

利于填充的通孔制作方法

引用

作者：孙磊黄君 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

本发明提供一种利于填充的通孔制作方法，在半导体器件表面依次沉积蚀刻停止层、内层介电层、抗反射层，并将抗反射层、内层介电层以及部分蚀刻停止层刻蚀出第一通孔；将第一通孔的底部刻蚀至二氧化硅层，形成第二通孔；在第二通孔内填... 详细信息

标准号: CN107170708A

本发明提供一种利于填充的通孔制作方法，在半导体器件表面依次沉积蚀刻停止层、内层介电层、抗反射层，并将抗反射层、内层介电层以及部分蚀刻停止层刻蚀出第一通孔；将第一通孔的底部刻蚀至二氧化硅层，形成第二通孔；在第二通孔内填充抗反射材料；光刻出口径大于第二通孔的第三通孔；将第三通孔底部刻蚀至半导体器件的二氧化硅层形成第四通孔，去除第四通孔内剩余的抗反射材料，形成第五通孔；继续刻蚀第五通孔。本发明提供的通孔制作方法将上部通孔关键尺寸做大进而形成较大敞口的通孔形貌，从而降低深宽比对后续工艺带来的负面影响，进而降低后续金属钨对通孔填充难度，增大了后续工艺窗口。

关键词：通孔刻蚀二氧化硅层抗反射材料内层介电层蚀刻停止层后续工艺抗反射层填充半导体器件表面形貌半导体器件负面影响通孔填充出口径大敞口金属钨比对光刻沉积去除制作

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一种酸性化学机械抛光液

一种酸性化学机械抛光液

引用

作者：高嫄荆建芬潘依君蔡鑫元 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢底层

本发明涉及一种酸性化学机械抛光液，其含有：含硅化合物、研磨颗粒、唑类化合物、酸、聚乙烯吡咯烷酮及其盐、氧化剂以及水。该酸性CMP抛光液的pH值为3‑6。该抛光液可以在酸性抛光环境下，满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和... 详细信息

标准号: CN106928855A

本发明涉及一种酸性化学机械抛光液，其含有：含硅化合物、研磨颗粒、唑类化合物、酸、聚乙烯吡咯烷酮及其盐、氧化剂以及水。该酸性CMP抛光液的pH值为3‑6。该抛光液可以在酸性抛光环境下，满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，同时对半导体器件表面的缺陷有很强的矫正能力，能够实现快速平坦化，提高工作效率，降低生产成本。

关键词：抛光液抛光半导体器件表面聚乙烯吡咯烷酮氧化剂含硅化合物唑类化合物工作效率抛光过程酸性化学研磨颗粒平坦化速率和选择比阻挡层矫正含硅有机化合物聚乙烯吡咯烷酮氧化剂唑类化合物酸性化学研磨颗粒抛光液无机酸

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一种化学机械抛光液及其在抛光ULK-铜互连制程中阻挡层的应用

一种化学机械抛光液及其在抛光ULK-铜互连制程中阻挡层的应用

引用

作者：姚颖荆建芬蔡鑫元邱腾飞宋凯 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢底层

本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液，含有(a)研磨颗粒(b)腐蚀抑制剂(c)铜表面保护剂(d)络合剂(e)聚乙烯吡咯烷酮(f)氧化剂(g)水。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，... 详细信息

标准号: CN106928862A

本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液，含有(a)研磨颗粒(b)腐蚀抑制剂(c)铜表面保护剂(d)络合剂(e)聚乙烯吡咯烷酮(f)氧化剂(g)水。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，对半导体器件表面的缺陷有很强的矫正能力，快速实现平坦化，且可防止金属抛光过程中产生的局部和整体腐蚀，提高工作效率，降低生产成本。

关键词：化学机械抛光液平坦化阻挡层半导体器件表面聚乙烯吡咯烷酮铜表面保护剂氧化剂腐蚀抑制剂工作效率金属抛光抛光过程研磨颗粒整体腐蚀络合剂速率和选择比抛光矫正化学机械抛光液聚乙烯吡咯烷酮铜表面保护剂氧化剂腐蚀抑制剂研磨颗粒络合剂

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一种浅沟槽隔离刻蚀设备之冷却装置及冷却方法

一种浅沟槽隔离刻蚀设备之冷却装置及冷却方法

引用

作者：唐在峰任昱吴智勇聂钰节吕煜坤 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

一种浅沟槽隔离刻蚀设备之冷却装置，包括：冷却装置本体，所述冷却装置本体内部容置待冷却之半导体器件；离子风机，所述离子风机设置在所述冷却装置本体之外侧，并向设置在所述冷却装置本体内的半导体器件进行风冷。本发明浅沟槽隔离... 详细信息

标准号: CN106328565A

一种浅沟槽隔离刻蚀设备之冷却装置，包括：冷却装置本体，所述冷却装置本体内部容置待冷却之半导体器件；离子风机，所述离子风机设置在所述冷却装置本体之外侧，并向设置在所述冷却装置本体内的半导体器件进行风冷。本发明浅沟槽隔离刻蚀设备之冷却装置通过在所述冷却装置本体之外侧进一步设置离子风机，并在所述冷却装置本体内形成气旋回流，具有显著除去半导体器件之表面静电的能力，大大提高冷却装置本体的冷却效果，降低残留刻蚀工艺气体在半导体器件表面形成的凝聚态副产物，并且及时有效的大幅度去除刻蚀后所述半导体器件表面和背面因静电效应而粘附的杂质颗粒。

关键词：冷却装置本体冷却装置半导体器件离子风机半导体器件表面浅沟槽隔离刻蚀设备体内表面静电静电效应刻蚀工艺冷却效果杂质颗粒副产物凝聚态粘附的风冷刻蚀去除容置背面冷却残留

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一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液

一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液

引用

作者：姚颖荆建芬蔡鑫元邱腾飞宋凯 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢底层

本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法，该抛光液包含研磨颗粒、唑类化合物、有机磷酸、非离子表面活性剂及氧化剂。本发明的化学机械抛光液可以在满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求的同... 详细信息

标准号: CN106928858A

本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法，该抛光液包含研磨颗粒、唑类化合物、有机磷酸、非离子表面活性剂及氧化剂。本发明的化学机械抛光液可以在满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求的同时，对半导体器件表面的缺陷有很强的矫正能力，且能够快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。

关键词：化学机械抛光液平坦化阻挡层非离子表面活性剂半导体器件表面氧化剂唑类化合物工作效率抛光过程研磨颗粒有机磷酸抛光液速率和选择比抛光矫正化学机械抛光液非离子表面活性剂氧化剂唑类化合物研磨颗粒有机磷酸平坦化阻挡层

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一种酸性化学机械抛光液

一种酸性化学机械抛光液

引用

作者：高嫄荆建芬潘依君蔡鑫元 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢底层

本发明涉及一种酸性化学机械抛光液，其含有：含硅化合物、研磨颗粒、唑类化合物、酸、两性表面活性剂、氧化剂以及水。该酸性CMP抛光液的pH值为3‑6。该抛光液可以在酸性抛光环境下，满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比... 详细信息

标准号: CN106928856A

本发明涉及一种酸性化学机械抛光液，其含有：含硅化合物、研磨颗粒、唑类化合物、酸、两性表面活性剂、氧化剂以及水。该酸性CMP抛光液的pH值为3‑6。该抛光液可以在酸性抛光环境下，满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，同时对半导体器件表面的缺陷有很强的矫正能力，能够实现快速平坦化，提高工作效率，降低生产成本。

关键词：抛光液抛光半导体器件表面两性表面活性剂氧化剂含硅化合物唑类化合物工作效率抛光过程酸性化学研磨颗粒平坦化速率和选择比阻挡层矫正含硅有机化合物两性表面活性剂氧化剂唑类化合物酸性化学研磨颗粒抛光液无机酸

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