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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

189 篇 专利

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189 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

23 篇 中芯国际集成电路...
20 篇 上海华力微电子有...
11 篇 安集微电子有限公...
10 篇 上海华虹宏力半导...
5 篇 安集微电子科技有...
4 篇 中科见微智能装备...
4 篇 长鑫存储技术有限...
4 篇 上海华力集成电路...
3 篇 苏州能讯高能半导...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 安集微电子科技股...
3 篇 长江存储科技有限...
3 篇 三洋电机株式会社
2 篇 和舰科技有限公司
2 篇 华进半导体封装先...
2 篇 杰华特微电子股份...
2 篇 深圳市日欣工业设...
2 篇 株洲南车时代电气...
2 篇 无锡中微晶园电子...

作者

17 篇 荆建芬
16 篇 蔡鑫元
13 篇 姚颖
11 篇 徐强
8 篇 潘依君
7 篇 宋凯
6 篇 邱腾飞
6 篇 张建
5 篇 李恒
4 篇 葛薇薇
4 篇 刘智勇
4 篇 高嫄
3 篇 卞鹏程
3 篇 冈田喜久雄
3 篇 刘焕新
3 篇 袁俊
3 篇 青野勉
3 篇 杨俊雅
2 篇 佟大明
2 篇 俞柳江

语言

189 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件表面"

共 189 条记录，以下是11-20 订阅

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详细简洁

排序：

基于视觉检测的半导体器件表面除尘方法及其系统

基于视觉检测的半导体器件表面除尘方法及其系统

引用

作者：刘智勇周毓涛 215000 江苏省苏州市张家港市塘桥镇东城科技创业园B幢2楼

本发明公开了一种基于视觉检测的半导体器件表面除尘方法及其系统，该方法包括：采集半导体器件的实时图像，将实时图像与预设基准图像匹配对比，从而得到半导体器件表面上灰尘异物的位置信息以及灰尘异物图像；根据灰尘异物图像的面积... 详细信息

标准号: CN117470104B

本发明公开了一种基于视觉检测的半导体器件表面除尘方法及其系统，该方法包括：采集半导体器件的实时图像，将实时图像与预设基准图像匹配对比，从而得到半导体器件表面上灰尘异物的位置信息以及灰尘异物图像；根据灰尘异物图像的面积大小拾取对应规格的除尘棒，并根据灰尘异物的位置信息，驱动除尘棒与灰尘异物进行接触并粘除。采用图像识别方式，快速识别半导体器件表面的灰尘异物，根据实时获取的灰尘异物图像选择最匹配的除尘棒接触并粘除，这样可以做到快速地完成除尘工作，同时除尘棒消耗最少，且由于半导体器件在除尘时与除尘棒接触次数最小化，快速清除器件表面异物，也最大限度地避免了器件表面损伤或二次污染。

关键词：灰尘异物除尘棒半导体器件表面除尘半导体器件器件表面实时图像匹配图像二次污染基准图像快速清除快速识别实时获取视觉检测图像识别图像选择最小化异物拾取预设损伤采集驱动消耗

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一种使用二氧化碳气体团簇进行半导体器件表面清洗的方法

一种使用二氧化碳气体团簇进行半导体器件表面清洗的方法

引用

作者：赵振合 214000 江苏省无锡市梁溪区运河东路555号3908

一种使用二氧化碳气体团簇进行半导体器件表面清洗的方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、将半导体器件如硅片安装在真空室的水平载台上；S2、使用冷却器和喷嘴将二氧化碳气体流引入真空室，并用质量流量计控制气体流量，形成二氧化碳... 详细信息

标准号: CN115692177A

一种使用二氧化碳气体团簇进行半导体器件表面清洗的方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、将半导体器件如硅片安装在真空室的水平载台上；S2、使用冷却器和喷嘴将二氧化碳气体流引入真空室，并用质量流量计控制气体流量，形成二氧化碳气体团簇；S3、在喷嘴的帮助下将二氧化碳气体团簇喷射到半导体器件表面；S4、匀速移动载台的移动臂，将注入的气体和污染物颗粒排出真空室。该种使用二氧化碳气体团簇进行半导体器件表面清洗的方法，利用二氧化碳气体团簇去除颗粒，高效清洗半导体器件表面的同时，不对图案造成损伤。

关键词：二氧化碳气体半导体器件表面团簇真空室清洗喷嘴二氧化碳气体流控制气体流量半导体器件污染物颗粒质量流量计匀速移动冷却器移动臂硅片排出去除载台喷射损伤并用图案引入帮助

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在半导体器件表面生成钝化层的方法和装置

在半导体器件表面生成钝化层的方法和装置

引用

作者：孙富成温子瑛张冲宇 214135 江苏省无锡市新区震泽路18号无锡(国家)软件园鲸鱼座A幢1楼

本公开的实施例涉及一种在半导体器件表面生成钝化层的方法和装置。该方法包括：针对半导体器件表面进行预处理；将含臭氧的混合气体和预定气体进行混合，以便生成第一混合气体；以及将第一混合气体提供至经预处理的半导体器件表面，以... 详细信息

标准号: CN116666195A

本公开的实施例涉及一种在半导体器件表面生成钝化层的方法和装置。该方法包括：针对半导体器件表面进行预处理；将含臭氧的混合气体和预定气体进行混合，以便生成第一混合气体；以及将第一混合气体提供至经预处理的半导体器件表面，以便利用第一混合气体对半导体器件表面进行钝化，以在半导体器件表面生成钝化层，其中预定气体至少用于改善所生成的钝化层的结构特性。同时，能够减少对半导体器件表面进行钝化的过程中化学品试剂的消耗，避免在器件表面留下有害废液，并且能够使操作简单化，以确保生成的钝化层具有稳定电学特性。

关键词：半导体器件表面混合气体钝化层预处理预定气体钝化方法和装置电学特性结构特性器件表面化学品废液臭氧消耗

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一种半导体器件表面缺陷视觉检测设备及检测方法

一种半导体器件表面缺陷视觉检测设备及检测方法

引用

作者：马信 215000 江苏省苏州市苏州工业园区泾茂路168号2幢101

本发明公开了一种半导体器件表面缺陷视觉检测设备及检测方法，涉及半导体器件技术领域；改善无法在检测前对其表面的灰尘进行处理的问题，而本发明包括底板和设置在底板上方的放置板，所述底板与放置板之间通过连接杆固定连接，所述底... 详细信息

标准号: CN116908233A

本发明公开了一种半导体器件表面缺陷视觉检测设备及检测方法，涉及半导体器件技术领域；改善无法在检测前对其表面的灰尘进行处理的问题，而本发明包括底板和设置在底板上方的放置板，所述底板与放置板之间通过连接杆固定连接，所述底板与放置板之间设置有夹持机构，所述放置板的顶部通过连接杆固定连接有顶板，所述顶板的顶部开设有滑动槽，所述滑动槽的内表面滑动连接有滑动块，所述滑动块的顶部固定连接有第一电机，所述第一电机输出轴的一端固定连接有第一齿轮；本发明通过第一电机的设置，带动扫描探头移动，从而对半导体器件进行扫描，同时第一电机带动清理机构转动，对半导体器件进行清理，保证检测时的检测精度。

关键词：底板放置板半导体器件检测滑动槽滑动块连接杆电机半导体器件表面半导体器件技术视觉检测设备电机输出轴电机带动滑动连接夹持机构清理机构扫描探头内表面齿轮转动扫描移动保证

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半导体器件表面薄膜折射率的测量方法

半导体器件表面薄膜折射率的测量方法

引用

作者：彭时秋陈全胜王涛肖步文 214000 江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室

本发明涉及一种测量方法，尤其是一种半导体器件表面薄膜折射率的测量方法。按照本发明提供的技术方案，一种半导体器件表面薄膜折射率的测量方法，所述测量方法包括如下步骤：步骤1、利用膜厚仪测量得到待测量薄膜厚度h1，其中，所述... 详细信息

标准号: CN113539876A

本发明涉及一种测量方法，尤其是一种半导体器件表面薄膜折射率的测量方法。按照本发明提供的技术方案，一种半导体器件表面薄膜折射率的测量方法，所述测量方法包括如下步骤：步骤1、利用膜厚仪测量得到待测量薄膜厚度h1，其中，所述膜厚仪内所选测量模型的模型折射率为n1；步骤2、对薄膜层进行实际厚度测量，以能得到所述薄膜层的实际厚度h2；步骤3、根据上述厚度h1、实际厚度h2以及模型折射率n1，能得到薄膜层的折射率n2，其中，n2＝n1*h1/h2。本发明能有效实现对薄膜折射率的测量，提高测量的效率，降低测量成本。

关键词：测量薄膜折射率薄膜层折射率半导体器件表面膜厚仪测量薄膜测量成本测量模型厚度测量有效实现

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一种半导体器件表面金属电极选择性去除的方法和装置

一种半导体器件表面金属电极选择性去除的方法和装置

引用

作者：吴锦鹏曾嵘刘佳鹏杨晨李晓钊尚再轩余占清赵彪 100084 北京市海淀区清华园1号

本发明提供一种半导体器件表面金属电极选择性去除的方法和装置，所述半导体器件表面金属电极选择性去除的方法包括：把电源（A），阳极探针（E）、阴极探针（D）、电解液（H）和半导体芯片（J）上的金属电极（I）搭建成电解回路。本发... 详细信息

标准号: CN114899098A

本发明提供一种半导体器件表面金属电极选择性去除的方法和装置，所述半导体器件表面金属电极选择性去除的方法包括：把电源（A），阳极探针（E）、阴极探针（D）、电解液（H）和半导体芯片（J）上的金属电极（I）搭建成电解回路。本发明原理简单，通过简单的电路结构即可实现，且成本低，无需采用刻蚀等需要贵重设备的去除手段；无需制作掩模版，广泛适用于对目标区域不同的半导体芯片批量进行表面金属去除；避免了多次光刻中光刻胶质量问题对半导体芯片上目标区域之外的部分产生影响。本发明提出的半导体器件表面金属电极选择性去除的装置可结合自动探针台等辅助机械装置，实现自动定位和去除，可操作性强，适用于批量生产。

关键词：金属电极半导体器件表面半导体芯片选择性去除去除目标区域辅助机械装置方法和装置自动探针台表面金属电解回路电路结构贵重设备阳极探针阴极探针质量问题自动定位电解液光刻胶掩模版光刻刻蚀电源制作生产

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一种去除半导体器件表面钨残留的方法

一种去除半导体器件表面钨残留的方法

引用

作者：陶友飞陆金吴正泉 200233 上海市徐汇区虹漕路385号

本发明公开了一种去除半导体器件表面钨残留的方法。该方法包括下述步骤：(1)将钨淀积后的半导体器件经钨回刻工艺，得半导体器件A；其中：所述钨淀积后的半导体器件的表面钨层厚度为A，所述钨回刻工艺去除的钨层厚度为B，所述B为所述A... 详细信息

标准号: CN113327851A

本发明公开了一种去除半导体器件表面钨残留的方法。该方法包括下述步骤：(1)将钨淀积后的半导体器件经钨回刻工艺，得半导体器件A；其中：所述钨淀积后的半导体器件的表面钨层厚度为A，所述钨回刻工艺去除的钨层厚度为B，所述B为所述A的40‑60％；(2)将步骤(1)中所述半导体器件A经化学机械抛光处理，去除所述半导体器件表面剩余的钨，即可。本发明的方法可以减少钨在晶圆上的余量，降低器件表面钨残留风险；大大提高钨化学机械抛光的效率，降低抛光时间，提高工艺稳定性，降低耗材成本。

关键词：半导体器件去除半导体器件表面淀积回刻钨层化学机械抛光处理残留工艺稳定性耗材成本机械抛光降低器件钨化学抛光晶圆

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一种半导体器件表面金属化工艺

一种半导体器件表面金属化工艺

引用

作者：黄亚发张俊 214205 江苏省无锡市宜兴市新街街道百合工业园

本发明提供一种半导体器件表面金属化工艺，该工艺包括以下步骤：S1、对待金属化的硅片进行表面处理；S2、对表面处理后的硅片进行化学镀镍处理，在硅表面形成镍磷金属层；S3、将带有镍磷金属层的硅片放入高温炉中，通入保护气体进行高... 详细信息

标准号: CN113584484A

本发明提供一种半导体器件表面金属化工艺，该工艺包括以下步骤：S1、对待金属化的硅片进行表面处理；S2、对表面处理后的硅片进行化学镀镍处理，在硅表面形成镍磷金属层；S3、将带有镍磷金属层的硅片放入高温炉中，通入保护气体进行高温合金，在硅片表面形成合金层；S4、采用蒸发银工艺对带有合金层的硅片进行真空蒸发，在合金层外形成银金属层，完成金属化工艺。本发明通过化学镀和蒸发镀银两者工艺结合，利用化学镀成本低的优势结合上蒸发工艺环境污染小，表面金属稳定性好，安全生产风险低等优势来实现半导体器件表面金属化。

关键词：硅片合金层半导体器件表面金属化工艺化学镀金属层金属化镍磷蒸发化学镀镍处理保护气体表面金属高温合金工艺结合硅片表面银金属层优势结合蒸发工艺高温炉硅表面镀银放入安全生产

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半导体器件表面颗粒测量平台

半导体器件表面颗粒测量平台

引用

作者：许文泽袁鹏华刘东升 201315 上海市浦东新区良腾路6号

本实用新型的半导体器件表面颗粒测量平台，包括：工作台组件，用于放置所述半导体器件；高度滑尺固定组件，其固定连接在所述工作台上；高度滑尺，其第一端固定连接在所述高度滑尺固定组件上；水平滑尺，其第一端与所述高度滑尺的第二... 详细信息

标准号: CN211652591U

本实用新型的半导体器件表面颗粒测量平台，包括：工作台组件，用于放置所述半导体器件；高度滑尺固定组件，其固定连接在所述工作台上；高度滑尺，其第一端固定连接在所述高度滑尺固定组件上；水平滑尺，其第一端与所述高度滑尺的第二端固定连接；颗粒检测器，用于检测所述半导体器件表面颗粒物，所述颗粒检测器固定设置在所述水平滑尺的第二端。本实用新型规范了测量人员测量的手法和标准，从而使得测量获取的数据更为准确。

关键词：高度滑尺半导体器件表面本实用新型颗粒检测器固定组件水平滑尺第一端测量半导体器件工作台组件固定设置颗粒测量人员测量颗粒物检测

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一种半导体器件表面预清洁方法

一种半导体器件表面预清洁方法

引用

作者：林静 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种半导体器件表面预清洁方法，所述预清洁方法至少包括以下步骤：首先，提供可供预处理的基底，所述基底包括半导体衬底和自然氧化形成在所述半导体衬底表面的氧化膜；接着，放置所述基底于第一工艺腔中，并向第一工艺腔内... 详细信息

标准号: CN104733283A

本发明提供一种半导体器件表面预清洁方法，所述预清洁方法至少包括以下步骤：首先，提供可供预处理的基底，所述基底包括半导体衬底和自然氧化形成在所述半导体衬底表面的氧化膜；接着，放置所述基底于第一工艺腔中，并向第一工艺腔内通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与氧化膜发生化学反应在半导体衬底上形成保护膜；最后，将形成有保护膜的半导体衬底从第一工艺腔中取出，保存于存储装置中，经过设定的保存时间后，将形成有保护膜的半导体衬底放置在第二工艺腔中进行退火处理，使所述保护膜去除，直至暴露出半导体衬底表面。利用本发明的预清洁方法进行预清洁的效果好、效率高，不易发生再次自然氧化造成污染，成本降低。

关键词：半导体衬底保护膜工艺腔清洁方法基底半导体衬底表面刻蚀气体自然氧化氧化膜半导体器件表面预处理化学反应存储装置退火处理清洁污染

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