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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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40 篇 专利
1 篇 期刊文献
1 篇 成果

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42 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 工学
- 1 篇 材料科学与工程（可...
- 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

2 篇 半导体器件设计
1 篇 cdio
1 篇 晶体管
1 篇 稳压管
1 篇 高性能
1 篇 obe

机构

6 篇 中国工程物理研究...
4 篇 台湾积体电路制造...
4 篇 福建康博电子技术...
2 篇 国家电网有限公司
2 篇 山西创芯光电科技...
2 篇 上海维安半导体有...
2 篇 国网山西省电力公...
2 篇 无锡华润上华科技...
2 篇 国际商业机器公司
2 篇 国网山西省电力公...
2 篇 基合半导体有限公...
2 篇 华润微电子有限公...
2 篇 北京智芯微电子科...
2 篇 上海幂方电子科技...
1 篇 淄博美林电子有限...
1 篇 瑞萨电子株式会社
1 篇 复旦大学
1 篇 联亚鑫科技有限公...
1 篇 中国科学院苏州纳...
1 篇 上海芯钬量子科技...

作者

6 篇 赵娟
6 篇 李洪涛
6 篇 李博婷
5 篇 黄宇鹏
5 篇 张信
5 篇 李波
4 篇 王力
4 篇 涂长招
4 篇 涂金福
4 篇 李敏
2 篇 史军梁
2 篇 盛拓
2 篇 吕海凤
2 篇 黄保成
2 篇 龚大卫
2 篇 宋斌斌
2 篇 薛建凯
2 篇 李斌
2 篇 沈海峰
2 篇 徐筑奇

语言

42 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件设计"

共 42 条记录，以下是31-40 订阅

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详细简洁

排序：

N型超结功率MOSFET器件及制造方法

N型超结功率MOSFET器件及制造方法

引用

作者：涂长招王力涂金福李敏袁益飞 364000 福建省龙岩市新罗区东肖镇东华社区龙腾南路14号珠江大厦702-15室

本发明公开了一种N型超结功率MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底，以及在所述半导体衬底上生长出的外延层；在所述外延层并列设置有元胞区和器件终端区，所述元胞区由交替相间的第一P柱区半导体和... 详细信息

标准号: CN116741800A

本发明公开了一种N型超结功率MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底，以及在所述半导体衬底上生长出的外延层；在所述外延层并列设置有元胞区和器件终端区，所述元胞区由交替相间的第一P柱区半导体和第一N柱区半导体构成，所述器件终端区靠近所述元胞区具有深槽，所述深槽内填充有绝缘介质，在所述深槽背离所述元胞区的一侧还具有第二P柱半导体，所述第二P柱半导体背离所述元胞区的一侧为弧形，且所述弧形为半径为r的圆弧形。本方案可以在保证低导通损耗的前提下，进一步显著地降低栅极寄生电容的技术问题。

关键词：半导体元胞区深槽外延层终端区衬底背离半导体器件设计功率MOSFET器件栅极寄生电容并列设置导通损耗交替相间绝缘介质圆弧形超结填充制造生长保证

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一种结型场效应晶体管器件的制备方法

一种结型场效应晶体管器件的制备方法

引用

作者：蒋骞苑赵德益吕海凤郝壮壮张啸王允 201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢

本发明公开了一种结型场效应晶体管器件的制备方法，属于半导体器件设计和制造领域，包括硅片，于硅片的第一表面形成第一N型埋层和P型埋层并退火；清洗后生长第一P型外延层；于第一P型外延层中形成第二N型埋层；再次清洗，生长第二P型... 详细信息

标准号: CN112466753A

本发明公开了一种结型场效应晶体管器件的制备方法，属于半导体器件设计和制造领域，包括硅片，于硅片的第一表面形成第一N型埋层和P型埋层并退火；清洗后生长第一P型外延层；于第一P型外延层中形成第二N型埋层；再次清洗，生长第二P型外延层；形成N+注入区和P+注入区；生长二氧化硅介质层，并沿Y轴方向形成一深槽，形成深P+掺杂区；清洗，随后淀积P+多晶硅；形成对应的栅极接触孔；形成漏极金属、第一栅极金属和源极金属；于第二表面上形成第二栅极金属。本发明的有益效果在于：具有导通电阻低、栅控能力强、夹断电压低、开关功耗小、关断功耗较低等优点；同时其稳定性较高，适用于各种恒流源电路。

关键词：清洗栅极金属注入区硅片生长结型场效应晶体管半导体器件设计二氧化硅介质层退火恒流源电路栅极接触孔导通电阻第二表面第一表面开关功耗漏极金属源极金属掺杂区多晶硅能力强淀积功耗关断深槽制备断电制造

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沟槽内埋金属丝的IGBT器件

沟槽内埋金属丝的IGBT器件

引用

作者：翟露青彭宝刚 255000 山东省淄博市张店区张柳路(淄博科技工业园东南角)

本实用新型涉及一种沟槽内埋金属丝的IGBT器件，属于半导体器件设计制造领域。包括栅极(6)和ILD绝缘层(1)，ILD绝缘层(1)设置在栅极(6)的上方，ILD绝缘层(1)上方设置有栅Pad(4)，在ILD绝缘层(1)和栅极(6)之间设置有金属丝(2)，金属丝(2... 详细信息

标准号: CN215933614U

本实用新型涉及一种沟槽内埋金属丝的IGBT器件，属于半导体器件设计制造领域。包括栅极(6)和ILD绝缘层(1)，ILD绝缘层(1)设置在栅极(6)的上方，ILD绝缘层(1)上方设置有栅Pad(4)，在ILD绝缘层(1)和栅极(6)之间设置有金属丝(2)，金属丝(2)连接栅Finger(3)，栅Finger(3)连接栅Pad(4)。本实用新型结构简单，设计合理，能够有效降低芯片开通时电流波动，不但提高了芯片稳定性，还提高了芯片的开关速度，具有较强的实用性。

关键词：绝缘层金属丝本实用新型连接栅半导体器件设计芯片芯片稳定性电流波动内埋开通制造

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一种基于隧穿效应的光控IGBT结构

一种基于隧穿效应的光控IGBT结构

引用

作者：赵娟李博婷李洪涛李波黄宇鹏张信 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

本实用新型涉及半导体器件设计领域，针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种光控IGBT实现装置。采用激光脉冲控制栅极下方半导体材料中导电沟道的形成，控制IGBT的通断，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本实用新... 详细信息

标准号: CN207165596U

本实用新型涉及半导体器件设计领域，针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种光控IGBT实现装置。采用激光脉冲控制栅极下方半导体材料中导电沟道的形成，控制IGBT的通断，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本实用新型在IGBT的栅极区底面SiO₂层上方制备一层用于导电透光的光控层；栅极外圈层顶层生成致密金属层并在其上连接引线连接到IGBT封装壳体栅极外电极；内圈层通过所述导电的光控层与外圈层连接；当激光脉冲辐照IGBT栅极，即激光脉冲辐照光控层的内圈层时，使栅极下方P区宽度受到极大地压缩，在隧穿效应作用下，使N⁺、N^‑区载流子能够渡越通过P区，从而使IGBT导通。

关键词：本实用新型光控层激光脉冲辐照外圈层导电载流子半导体材料半导体器件设计致密金属层导电沟道激光脉冲绝缘隔离控制栅极连接引线实现装置隧穿效应状态转换透光外电极栅极区顶层导通底面光控壳体通断制备压缩

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高稳定性稳压管系列

高稳定性稳压管系列

引用

该稳压管是一种采用温度补偿措施的Ｐ－Ｎ结埋入型稳压器件，是机械部＜六五＞１００项基础件攻关项目之一。具有低温度系数、低噪声、高稳定性等优良性能。解决了批量生产的工艺，测量方法及测试仪器设备等技术。主要技术指标：稳定电... 详细信息

标准号: 87202234

该稳压管是一种采用温度补偿措施的Ｐ－Ｎ结埋入型稳压器件，是机械部＜六五＞１００项基础件攻关项目之一。具有低温度系数、低噪声、高稳定性等优良性能。解决了批量生产的工艺，测量方法及测试仪器设备等技术。主要技术指标：稳定电压６．２Ｖ±５％；工作电流７．５ｍＡ和１０ｍＡ二种；动态电阻≤１５Ω；温度系数＜５×０．０００００１／℃（２０，５０，８０℃）；该器件是我国发展精密仪器仪表、实验室仪器、大型分析仪器所急需的重要基准器件。目前已用于上海电表厂的ＰＺ４９型数字电压表和本所的０．００１％直流标准电压发生器上，效果良好。具备年产２０００只的生产能力及产品转让条件，将有效地改变精密稳压管靠进口的局面。

关键词：半导体器件设计高性能稳压管晶体管

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一种集成光触发一体化IGBT结构

一种集成光触发一体化IGBT结构

引用

作者：赵娟李博婷李洪涛 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

本实用新型属于半导体器件设计领域，尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构。本实用新型针对现有技术存在的问题，通过设计触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路，采用绝缘隔离的触发方法控制栅极控制IGBT的通断，与IGBT电路... 详细信息

标准号: CN207234748U

本实用新型属于半导体器件设计领域，尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构。本实用新型针对现有技术存在的问题，通过设计触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路，采用绝缘隔离的触发方法控制栅极控制IGBT的通断，与IGBT电路结构在同一片硅片上加工，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本实用新型中当正极性栅极电压控制电路的光控制开关未受光照时，负极性栅极电压控制电路对IGBT栅极进行负极性充电，使得IGBT保持关断状态；当正极性栅极电压控制电路的光控制开关受到光照时，正极性栅极电压控制电路对IGBT栅极进行正极充电，当IGBT栅极电压达到导通控制电脉冲参数要求时，IGBT导通。

关键词：栅极电压控制电路本实用新型正极性光控制开关绝缘隔离负极性光照充电半导体器件设计初级电源电路正极电脉冲参数触发控制导通控制方法控制关断状态栅极电压栅极控制正负极性状态转换光触发硅片触发导通通断一体化加工

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光学晶体管及其制备方法

光学晶体管及其制备方法

引用

作者：卢年端段新绿刘明李泠杨冠华陆丛研史学文王嘉玮耿玓揣喜臣姜文峰 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明涉及半导体器件设计及制备技术领域，尤其涉及光学晶体管及其制备方法，包括：衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源电极、漏电极、钝化层和遮光层；所述栅电极形成在所述衬底的表面；所述栅介质层形成在所述衬底上包含所述栅电极... 详细信息

标准号: CN111048622A

本发明涉及半导体器件设计及制备技术领域，尤其涉及光学晶体管及其制备方法，包括：衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源电极、漏电极、钝化层和遮光层；所述栅电极形成在所述衬底的表面；所述栅介质层形成在所述衬底上包含所述栅电极的一面；所述有源层形成在所述栅介质层的表面；所述源电极和所述漏电极形成在所述有源层上；所述钝化层形成在所述有源层上包含所述源电极和所述漏电极的一面，其中，所述钝化层的材料为SU‑8光刻胶；所述遮光层形成在所述钝化层的表面。本申请通过利用SU‑8光刻胶作为钝化层，能够降低光学晶体管的阈值电压，提高了光学晶体管的性能。

关键词：钝化层源层栅介质层漏电极源电极栅电极晶体管衬底光刻胶遮光层半导体器件设计制备技术领域阈值电压制备申请

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混合低电阻金属线

混合低电阻金属线

引用

作者：鲍军静 J·J·朱 G·纳拉帕蒂美国加利福尼亚州

公开了在半导体器件设计和制造中使用的标准单元和用于制造标准单元的方法。所公开的各方面包括具有多条宽金属线的标准单元。宽金属线由铜形成。标准单元也包括多条窄金属线。对于12nm或更小的量级的线宽，该窄金属线由具有比铜更低的... 详细信息

标准号: CN114730733A

公开了在半导体器件设计和制造中使用的标准单元和用于制造标准单元的方法。所公开的各方面包括具有多条宽金属线的标准单元。宽金属线由铜形成。标准单元也包括多条窄金属线。对于12nm或更小的量级的线宽，该窄金属线由具有比铜更低的电阻的材料形成。

关键词：标准单元金属线半导体器件设计材料形成电阻条宽线宽制造

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屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法

屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法

引用

作者：余强焦伟姚鑫桑雨果骆菲 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼

本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法，在制造屏蔽栅沟槽场效应晶体管的隔离氧化层时采用高密度等离子体（HDP），并在淀积该层之前进行湿法刻蚀处理，利用高密度等离子体（HDP）层的淀积特点，使其填充具备特有形貌：沟槽... 详细信息

标准号: CN108389800A

本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法，在制造屏蔽栅沟槽场效应晶体管的隔离氧化层时采用高密度等离子体（HDP），并在淀积该层之前进行湿法刻蚀处理，利用高密度等离子体（HDP）层的淀积特点，使其填充具备特有形貌：沟槽内中间平坦，沟槽两侧呈尖峰，而后抛弃传统的刻蚀前的平坦化处理，例如化学机械抛光（CMP）进行截止，而是直接湿法刻蚀处理，同时得到顶部隔离层的去除和沟槽内隔离氧化层的目标深度，达到与常规工艺基本相同的工艺目标效果，大大降低了工艺成本及工艺时间，在半导体器件设计及制造领域具有广泛的应用前景。

关键词：沟槽场效应晶体管高密度等离子体隔离氧化层湿法刻蚀屏蔽栅淀积制造半导体器件设计形貌化学机械抛光平坦化处理尖峰常规工艺工艺成本工艺目标传统的隔离层刻蚀去除填充平坦截止抛弃应用

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一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法

一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法

引用

作者：赵娟李博婷李洪涛黄宇鹏李波张信 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

本发明属于半导体器件设计领域，尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法。本发明针对现有技术存在的问题，通过设计与IGBT电路结构在同一片硅片上加工的触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路，采用绝缘隔离的触发方... 详细信息

标准号: CN106849924A

本发明属于半导体器件设计领域，尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法。本发明针对现有技术存在的问题，通过设计与IGBT电路结构在同一片硅片上加工的触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路，采用绝缘隔离的触发方法控制栅极相对源极的电位差，从而控制IGBT的通断，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本发明中当正极性栅极电压控制电路的光控制开关未受光照时，负极性栅极电压控制电路对IGBT栅极进行负极性充电，使得IGBT保持关断状态；当正极性栅极电压控制电路的光控制开关受到光照时，正极性栅极电压控制电路对IGBT栅极进行正极性充电，当IGBT栅极电压达到导通控制电脉冲参数要求时，IGBT导通。

关键词：栅极电压控制电路正极性光控制开关绝缘隔离负极性光照充电电位差半导体器件设计初级电源电路电脉冲参数触发控制导通控制方法控制关断状态栅极电压正负极性状态转换光触发硅片触发导通通断源极一体化加工

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