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文献类型

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馆藏范围

  • 42 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 教育学
    • 1 篇 教育学
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    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 2 篇 半导体器件设计
  • 1 篇 cdio
  • 1 篇 晶体管
  • 1 篇 稳压管
  • 1 篇 高性能
  • 1 篇 obe

机构

  • 6 篇 中国工程物理研究...
  • 4 篇 台湾积体电路制造...
  • 4 篇 福建康博电子技术...
  • 2 篇 国家电网有限公司
  • 2 篇 山西创芯光电科技...
  • 2 篇 上海维安半导体有...
  • 2 篇 国网山西省电力公...
  • 2 篇 无锡华润上华科技...
  • 2 篇 国际商业机器公司
  • 2 篇 国网山西省电力公...
  • 2 篇 基合半导体有限公...
  • 2 篇 华润微电子有限公...
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  • 2 篇 上海幂方电子科技...
  • 1 篇 淄博美林电子有限...
  • 1 篇 瑞萨电子株式会社
  • 1 篇 复旦大学
  • 1 篇 联亚鑫科技有限公...
  • 1 篇 中国科学院苏州纳...
  • 1 篇 上海芯钬量子科技...

作者

  • 6 篇 赵娟
  • 6 篇 李洪涛
  • 6 篇 李博婷
  • 5 篇 黄宇鹏
  • 5 篇 张信
  • 5 篇 李波
  • 4 篇 王力
  • 4 篇 涂长招
  • 4 篇 涂金福
  • 4 篇 李敏
  • 2 篇 史军梁
  • 2 篇 盛拓
  • 2 篇 吕海凤
  • 2 篇 黄保成
  • 2 篇 龚大卫
  • 2 篇 宋斌斌
  • 2 篇 薛建凯
  • 2 篇 李斌
  • 2 篇 沈海峰
  • 2 篇 徐筑奇

语言

  • 42 篇 中文
检索条件"主题词=半导体器件设计"
42 条 记 录,以下是31-40 订阅
排序:
N型超结功率MOSFET器件及制造方法
N型超结功率MOSFET器件及制造方法
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作者: 涂长招 王力 涂金福 李敏 袁益飞 364000 福建省龙岩市新罗区东肖镇东华社区龙腾南路14号珠江大厦702-15室
本发明公开了一种N型超结功率MOSFET器件及制造方法,属于半导体器件设计及制造领域,包括:半导体衬底,以及在所述半导体衬底上生长出的外延层;在所述外延层并列设置有元胞区和器件终端区,所述元胞区由交替相间的第一P柱区半导体和... 详细信息
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一种结型场效应晶体管器件的制备方法
一种结型场效应晶体管器件的制备方法
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作者: 蒋骞苑 赵德益 吕海凤 郝壮壮 张啸 王允 201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
本发明公开了一种结型场效应晶体管器件的制备方法,属于半导体器件设计和制造领域,包括硅片,于硅片的第一表面形成第一N型埋层和P型埋层并退火;清洗后生长第一P型外延层;于第一P型外延层中形成第二N型埋层;再次清洗,生长第二P型... 详细信息
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沟槽内埋金属丝的IGBT器件
沟槽内埋金属丝的IGBT器件
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作者: 翟露青 彭宝刚 255000 山东省淄博市张店区张柳路(淄博科技工业园东南角)
本实用新型涉及一种沟槽内埋金属丝的IGBT器件,属于半导体器件设计制造领域。包括栅极(6)和ILD绝缘层(1),ILD绝缘层(1)设置在栅极(6)的上方,ILD绝缘层(1)上方设置有栅Pad(4),在ILD绝缘层(1)和栅极(6)之间设置有金属丝(2),金属丝(2... 详细信息
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一种基于隧穿效应的光控IGBT结构
一种基于隧穿效应的光控IGBT结构
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作者: 赵娟 李博婷 李洪涛 李波 黄宇鹏 张信 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
本实用新型涉及半导体器件设计领域,针对现有技术存在的问题,本实用新型提供一种光控IGBT实现装置。采用激光脉冲控制栅极下方半导体材料中导电沟道的形成,控制IGBT的通断,用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本实用新... 详细信息
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高稳定性稳压管系列
高稳定性稳压管系列
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该稳压管是一种采用温度补偿措施的P-N结埋入型稳压器件,是机械部<六五>100项基础件攻关项目之一。具有低温度系数、低噪声、高稳定性等优良性能。解决了批量生产的工艺,测量方法及测试仪器设备等技术。主要技术指标:稳定电... 详细信息
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一种集成光触发一体化IGBT结构
一种集成光触发一体化IGBT结构
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作者: 赵娟 李博婷 李洪涛 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
本实用新型属于半导体器件设计领域,尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构。本实用新型针对现有技术存在的问题,通过设计触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路,采用绝缘隔离的触发方法控制栅极控制IGBT的通断,与IGBT电路... 详细信息
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光学晶体管及其制备方法
光学晶体管及其制备方法
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作者: 卢年端 段新绿 刘明 李泠 杨冠华 陆丛研 史学文 王嘉玮 耿玓 揣喜臣 姜文峰 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
本发明涉及半导体器件设计及制备技术领域,尤其涉及光学晶体管及其制备方法,包括:衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源电极、漏电极、钝化层和遮光层;所述栅电极形成在所述衬底的表面;所述栅介质层形成在所述衬底上包含所述栅电极... 详细信息
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混合低电阻金属线
混合低电阻金属线
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作者: 鲍军静 J·J·朱 G·纳拉帕蒂 美国加利福尼亚州
公开了在半导体器件设计和制造中使用的标准单元和用于制造标准单元的方法。所公开的各方面包括具有多条宽金属线的标准单元。宽金属线由铜形成。标准单元也包括多条窄金属线。对于12nm或更小的量级的线宽,该窄金属线由具有比铜更低的... 详细信息
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屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法
屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法
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作者: 余强 焦伟 姚鑫 桑雨果 骆菲 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼
本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法,在制造屏蔽栅沟槽场效应晶体管的隔离氧化层时采用高密度等离子体(HDP),并在淀积该层之前进行湿法刻蚀处理,利用高密度等离子体(HDP)层的淀积特点,使其填充具备特有形貌:沟槽... 详细信息
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一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法
一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法
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作者: 赵娟 李博婷 李洪涛 黄宇鹏 李波 张信 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
本发明属于半导体器件设计领域,尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法。本发明针对现有技术存在的问题,通过设计与IGBT电路结构在同一片硅片上加工的触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路,采用绝缘隔离的触发方... 详细信息
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