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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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1 篇 期刊文献
1 篇 成果

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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 工学
- 1 篇 材料科学与工程（可...
- 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

2 篇 半导体器件设计
1 篇 cdio
1 篇 晶体管
1 篇 稳压管
1 篇 高性能
1 篇 obe

机构

6 篇 中国工程物理研究...
4 篇 台湾积体电路制造...
4 篇 福建康博电子技术...
2 篇 国家电网有限公司
2 篇 山西创芯光电科技...
2 篇 上海维安半导体有...
2 篇 国网山西省电力公...
2 篇 无锡华润上华科技...
2 篇 国际商业机器公司
2 篇 国网山西省电力公...
2 篇 基合半导体有限公...
2 篇 华润微电子有限公...
2 篇 北京智芯微电子科...
2 篇 上海幂方电子科技...
1 篇 淄博美林电子有限...
1 篇 瑞萨电子株式会社
1 篇 复旦大学
1 篇 联亚鑫科技有限公...
1 篇 中国科学院苏州纳...
1 篇 上海芯钬量子科技...

作者

6 篇 赵娟
6 篇 李洪涛
6 篇 李博婷
5 篇 黄宇鹏
5 篇 张信
5 篇 李波
4 篇 王力
4 篇 涂长招
4 篇 涂金福
4 篇 李敏
2 篇 史军梁
2 篇 盛拓
2 篇 吕海凤
2 篇 黄保成
2 篇 龚大卫
2 篇 宋斌斌
2 篇 薛建凯
2 篇 李斌
2 篇 沈海峰
2 篇 徐筑奇

语言

42 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件设计"

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一种结型场效应晶体管器件的制备方法

一种结型场效应晶体管器件的制备方法

引用

作者：蒋骞苑赵德益吕海凤郝壮壮张啸王允 201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢

本发明公开了一种结型场效应晶体管器件的制备方法，属于半导体器件设计和制造领域，包括硅片，于硅片的第一表面形成第一N型埋层和P型埋层并退火；清洗后生长第一P型外延层；于第一P型外延层中形成第二N型埋层；再次清洗，生长第二P型... 详细信息

标准号: CN112466753A

本发明公开了一种结型场效应晶体管器件的制备方法，属于半导体器件设计和制造领域，包括硅片，于硅片的第一表面形成第一N型埋层和P型埋层并退火；清洗后生长第一P型外延层；于第一P型外延层中形成第二N型埋层；再次清洗，生长第二P型外延层；形成N+注入区和P+注入区；生长二氧化硅介质层，并沿Y轴方向形成一深槽，形成深P+掺杂区；清洗，随后淀积P+多晶硅；形成对应的栅极接触孔；形成漏极金属、第一栅极金属和源极金属；于第二表面上形成第二栅极金属。本发明的有益效果在于：具有导通电阻低、栅控能力强、夹断电压低、开关功耗小、关断功耗较低等优点；同时其稳定性较高，适用于各种恒流源电路。

关键词：清洗栅极金属注入区硅片生长结型场效应晶体管半导体器件设计二氧化硅介质层退火恒流源电路栅极接触孔导通电阻第二表面第一表面开关功耗漏极金属源极金属掺杂区多晶硅能力强淀积功耗关断深槽制备断电制造

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光学晶体管及其制备方法

光学晶体管及其制备方法

引用

作者：卢年端段新绿刘明李泠杨冠华陆丛研史学文王嘉玮耿玓揣喜臣姜文峰 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明涉及半导体器件设计及制备技术领域，尤其涉及光学晶体管及其制备方法，包括：衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源电极、漏电极、钝化层和遮光层；所述栅电极形成在所述衬底的表面；所述栅介质层形成在所述衬底上包含所述栅电极... 详细信息

标准号: CN111048622A

本发明涉及半导体器件设计及制备技术领域，尤其涉及光学晶体管及其制备方法，包括：衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源电极、漏电极、钝化层和遮光层；所述栅电极形成在所述衬底的表面；所述栅介质层形成在所述衬底上包含所述栅电极的一面；所述有源层形成在所述栅介质层的表面；所述源电极和所述漏电极形成在所述有源层上；所述钝化层形成在所述有源层上包含所述源电极和所述漏电极的一面，其中，所述钝化层的材料为SU‑8光刻胶；所述遮光层形成在所述钝化层的表面。本申请通过利用SU‑8光刻胶作为钝化层，能够降低光学晶体管的阈值电压，提高了光学晶体管的性能。

关键词：钝化层源层栅介质层漏电极源电极栅电极晶体管衬底光刻胶遮光层半导体器件设计制备技术领域阈值电压制备申请

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一种基于隧穿效应的光控IGBT实现方法及结构

一种基于隧穿效应的光控IGBT实现方法及结构

引用

作者：赵娟李博婷李洪涛李波黄宇鹏张信 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

本发明涉及半导体器件设计领域，针对现有技术存在的问题，本发明提供一种光控IGBT实现方法及装置。采用激光脉冲控制栅极下方半导体材料中导电沟道的形成，控制IGBT的通断，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本发明在IGB... 详细信息

标准号: CN106972080B

本发明涉及半导体器件设计领域，针对现有技术存在的问题，本发明提供一种光控IGBT实现方法及装置。采用激光脉冲控制栅极下方半导体材料中导电沟道的形成，控制IGBT的通断，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本发明在IGBT的栅极区底面SiO₂层上方制备一层用于导电透光的光控层；栅极外圈层顶层生成致密金属层并在其上连接引线连接到IGBT封装壳体栅极外电极；内圈层通过所述导电的光控层与外圈层连接；当激光脉冲辐照IGBT栅极，即激光脉冲辐照光控层的内圈层时，使栅极下方P区宽度受到极大地压缩，在隧穿效应作用下，使N⁺、N^‑区载流子能够渡越通过P区，从而使IGBT导通。

关键词：光控层激光脉冲辐照外圈层导电载流子半导体器件设计半导体材料致密金属层导电沟道激光脉冲绝缘隔离控制栅极连接引线隧穿效应状态转换透光外电极栅极区顶层导通底面光控壳体通断制备压缩

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具有N通孔电极的半导体器件结构

具有N通孔电极的半导体器件结构

引用

作者：郝茂盛张楠袁根如 201209 上海市浦东新区川沙路151号3幢T1046室

本发明提供一种具有N通孔电极的半导体器件结构，包括：外延结构、贯穿外延结构的通孔结构；形成于所述通孔结构内侧壁上的绝缘层；填充于所述通孔内的N电极，N电极与通孔内侧壁上的N型层形成欧姆接触；形成于所述P型层上的P电极。本发... 详细信息

标准号: CN108023003A

本发明提供一种具有N通孔电极的半导体器件结构，包括：外延结构、贯穿外延结构的通孔结构；形成于所述通孔结构内侧壁上的绝缘层；填充于所述通孔内的N电极，N电极与通孔内侧壁上的N型层形成欧姆接触；形成于所述P型层上的P电极。本发明采用通孔电极作为N电极引出，相比于传统的芯片电极结构设计，可以大大减小芯片的尺寸，提高芯片的亮度，同时，也是解决小间距LED照明的核心技术；通过在N通孔电极的侧壁以及除了出光面的芯片表面制作反射层，可以大大提高芯片的光品质。本发明在半导体器件设计领域，尤其是半导体照明、microLED、小间距显示等领域具有较广泛的应用前景。

关键词：通孔电极通孔结构外延结构芯片绝缘层半导体器件结构半导体器件设计半导体照明通孔内侧壁核心技术欧姆接触芯片表面芯片电极传统的反射层光品质内侧壁侧壁减小通孔填充贯穿制作应用

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一种雪崩二极管结构的制造方法

一种雪崩二极管结构的制造方法

引用

作者：龚大卫 401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

本发明提供一种雪崩二极管结构的制造方法，采用多次外延和图形注入的工艺方法，仅需要短时间的热扩散就可以获得常规平面工艺和沟槽工艺都难以实现的大结深雪崩二级管结构，可以在保持传统平面工艺抗浪涌能力强的优点同时，大幅缩小器... 详细信息

标准号: CN105931952B

本发明提供一种雪崩二极管结构的制造方法，采用多次外延和图形注入的工艺方法，仅需要短时间的热扩散就可以获得常规平面工艺和沟槽工艺都难以实现的大结深雪崩二级管结构，可以在保持传统平面工艺抗浪涌能力强的优点同时，大幅缩小器件的芯片尺寸。此外，该技术可以通过改变不同外延层的P型掺杂浓度和逐次N型掺杂图形注入浓度，更灵活地调控雪崩击穿区域的形貌分布，实现进一步的器件优化。本发明可以大幅缩小器件面积、提高抗浪涌能力，在半导体器件设计制造领域具有广泛的应用前景。

关键词：抗浪涌半导体器件设计形貌雪崩二极管雪崩二级管常规平面传统平面沟槽工艺器件优化雪崩击穿能力强热扩散外延层结深制造芯片灵活调控应用

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一种基于隧穿效应的光控IGBT结构

一种基于隧穿效应的光控IGBT结构

引用

作者：赵娟李博婷李洪涛李波黄宇鹏张信 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

本实用新型涉及半导体器件设计领域，针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种光控IGBT实现装置。采用激光脉冲控制栅极下方半导体材料中导电沟道的形成，控制IGBT的通断，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本实用新... 详细信息

标准号: CN207165596U

本实用新型涉及半导体器件设计领域，针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种光控IGBT实现装置。采用激光脉冲控制栅极下方半导体材料中导电沟道的形成，控制IGBT的通断，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本实用新型在IGBT的栅极区底面SiO₂层上方制备一层用于导电透光的光控层；栅极外圈层顶层生成致密金属层并在其上连接引线连接到IGBT封装壳体栅极外电极；内圈层通过所述导电的光控层与外圈层连接；当激光脉冲辐照IGBT栅极，即激光脉冲辐照光控层的内圈层时，使栅极下方P区宽度受到极大地压缩，在隧穿效应作用下，使N⁺、N^‑区载流子能够渡越通过P区，从而使IGBT导通。

关键词：本实用新型光控层激光脉冲辐照外圈层导电载流子半导体材料半导体器件设计致密金属层导电沟道激光脉冲绝缘隔离控制栅极连接引线实现装置隧穿效应状态转换透光外电极栅极区顶层导通底面光控壳体通断制备压缩

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一种集成光触发一体化IGBT结构

一种集成光触发一体化IGBT结构

引用

作者：赵娟李博婷李洪涛 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

本实用新型属于半导体器件设计领域，尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构。本实用新型针对现有技术存在的问题，通过设计触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路，采用绝缘隔离的触发方法控制栅极控制IGBT的通断，与IGBT电路... 详细信息

标准号: CN207234748U

本实用新型属于半导体器件设计领域，尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构。本实用新型针对现有技术存在的问题，通过设计触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路，采用绝缘隔离的触发方法控制栅极控制IGBT的通断，与IGBT电路结构在同一片硅片上加工，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本实用新型中当正极性栅极电压控制电路的光控制开关未受光照时，负极性栅极电压控制电路对IGBT栅极进行负极性充电，使得IGBT保持关断状态；当正极性栅极电压控制电路的光控制开关受到光照时，正极性栅极电压控制电路对IGBT栅极进行正极充电，当IGBT栅极电压达到导通控制电脉冲参数要求时，IGBT导通。

关键词：栅极电压控制电路本实用新型正极性光控制开关绝缘隔离负极性光照充电半导体器件设计初级电源电路正极电脉冲参数触发控制导通控制方法控制关断状态栅极电压栅极控制正负极性状态转换光触发硅片触发导通通断一体化加工

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屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法

屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法

引用

作者：余强焦伟姚鑫桑雨果骆菲 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼

本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法，在制造屏蔽栅沟槽场效应晶体管的隔离氧化层时采用高密度等离子体（HDP），并在淀积该层之前进行湿法刻蚀处理，利用高密度等离子体（HDP）层的淀积特点，使其填充具备特有形貌：沟槽... 详细信息

标准号: CN108389800A

本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法，在制造屏蔽栅沟槽场效应晶体管的隔离氧化层时采用高密度等离子体（HDP），并在淀积该层之前进行湿法刻蚀处理，利用高密度等离子体（HDP）层的淀积特点，使其填充具备特有形貌：沟槽内中间平坦，沟槽两侧呈尖峰，而后抛弃传统的刻蚀前的平坦化处理，例如化学机械抛光（CMP）进行截止，而是直接湿法刻蚀处理，同时得到顶部隔离层的去除和沟槽内隔离氧化层的目标深度，达到与常规工艺基本相同的工艺目标效果，大大降低了工艺成本及工艺时间，在半导体器件设计及制造领域具有广泛的应用前景。

关键词：沟槽场效应晶体管高密度等离子体隔离氧化层湿法刻蚀屏蔽栅淀积制造半导体器件设计形貌化学机械抛光平坦化处理尖峰常规工艺工艺成本工艺目标传统的隔离层刻蚀去除填充平坦截止抛弃应用

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一种基于隧穿效应的光控IGBT实现方法及结构

一种基于隧穿效应的光控IGBT实现方法及结构

引用

作者：赵娟李博婷李洪涛李波黄宇鹏张信 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

本发明涉及半导体器件设计领域，针对现有技术存在的问题，本发明提供一种光控IGBT实现方法及装置。采用激光脉冲控制栅极下方半导体材料中导电沟道的形成，控制IGBT的通断，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本发明在IG... 详细信息

标准号: CN106972080A

本发明涉及半导体器件设计领域，针对现有技术存在的问题，本发明提供一种光控IGBT实现方法及装置。采用激光脉冲控制栅极下方半导体材料中导电沟道的形成，控制IGBT的通断，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本发明在IGBT 的栅极区底面SiO₂层上方制备一层用于导电透光的光控层；栅极外圈层顶层生成致密金属层并在其上连接引线连接到IGBT封装壳体栅极外电极；内圈层通过所述导电的光控层与外圈层连接；当激光脉冲辐照IGBT栅极，即激光脉冲辐照光控层的内圈层时，使栅极下方P区宽度受到极大地压缩，在隧穿效应作用下，使N⁺、N^‑区载流子能够渡越通过P区，从而使IGBT导通。

关键词：光控层激光脉冲辐照外圈层导电载流子半导体器件设计半导体材料致密金属层导电沟道激光脉冲绝缘隔离控制栅极连接引线隧穿效应状态转换透光外电极栅极区顶层导通底面光控壳体通断制备压缩硅层低电阻率金属栅网致密金属层引出电极制备过程外圈层栅极区源极丝网印刷工艺沉淀金属磁控溅射淀积金属还原工艺隧穿效应电阻率光控层上端面脱氧光控掺杂生长

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一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法

一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法

引用

作者：赵娟李博婷李洪涛黄宇鹏李波张信 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

本发明属于半导体器件设计领域，尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法。本发明针对现有技术存在的问题，通过设计与IGBT电路结构在同一片硅片上加工的触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路，采用绝缘隔离的触发方... 详细信息

标准号: CN106849924A

本发明属于半导体器件设计领域，尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法。本发明针对现有技术存在的问题，通过设计与IGBT电路结构在同一片硅片上加工的触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路，采用绝缘隔离的触发方法控制栅极相对源极的电位差，从而控制IGBT的通断，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本发明中当正极性栅极电压控制电路的光控制开关未受光照时，负极性栅极电压控制电路对IGBT栅极进行负极性充电，使得IGBT保持关断状态；当正极性栅极电压控制电路的光控制开关受到光照时，正极性栅极电压控制电路对IGBT栅极进行正极性充电，当IGBT栅极电压达到导通控制电脉冲参数要求时，IGBT导通。

关键词：栅极电压控制电路正极性光控制开关绝缘隔离负极性光照充电电位差半导体器件设计初级电源电路电脉冲参数触发控制导通控制方法控制关断状态栅极电压正负极性状态转换光触发硅片触发导通通断源极一体化加工

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