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半导体结构的制造方法
半导体结构的制造方法
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作者： 朱瑜杰 陈宏璘 孙强 阎海滨 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明提供了一种半导体结构的制造方法包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底中具有STI；在具有STI的半导体基底上形成第一多晶硅栅极；在STI和第一多晶硅栅极上依次形成氧化物-氮化物-氧化物的叠层结构；在所述氧化物-氮化物-氧... 详细信息
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半导体结构的制造方法
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作者： 朱瑜杰 陈宏璘 孙强 阎海滨 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明提供了一种半导体结构的制造方法包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底中具有STI；在具有STI的半导体基底上形成第一多晶硅栅极；在STI和第一多晶硅栅极上依次形成氧化物-氮化物-氧化物的叠层结构；在所述氧化物-氮化物-氧... 详细信息
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光刻方法
光刻方法
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作者： 胡骏 胡友存 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明公开了一种光刻方法，提供半导体结构，所述半导体结构上表面具有N类不位于同一平面上区域，在所述半导体结构上表面具有保护膜层，所述保护膜层覆盖所述N类区域；对所述N类中的第一类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第一类... 详细信息
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光刻方法
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作者： 胡骏 胡友存 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明公开了一种光刻方法，提供半导体结构，所述半导体结构上表面具有N类不位于同一平面上区域，在所述半导体结构上表面具有保护膜层，所述保护膜层覆盖所述N类区域；对所述N类中的第一类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第一类... 详细信息
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萧基二极管装置及其制造方法
萧基二极管装置及其制造方法
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作者： 白煌朗 蔡宏圣 中国台湾新竹科学工业园区
本发明提供一种萧基二极管装置及其制造方法，所述萧基二极管装置包括：一p型半导体结构；一n型漂移区，设置于所述p型半导体结构表面，包括掺质浓度相异的一第一n型掺杂区以及一第二n型掺杂区，而所述第二n型掺杂区具有较所述第一n型... 详细信息
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