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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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2,084 篇 专利

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2,084 篇 电子文献
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1,000 篇 中芯国际集成电路...
144 篇 上海华虹宏力半导...
79 篇 上海华力微电子有...
74 篇 上海宏力半导体制...
57 篇 上海华力集成电路...
39 篇 中国科学院微电子...
37 篇 长鑫存储技术有限...
32 篇 长江存储科技有限...
26 篇 德淮半导体有限公...
24 篇 杭州士兰集成电路...
19 篇 格科微电子有限公...
17 篇 上海蓝光科技有限...
17 篇 飞锃半导体有限公...
16 篇 华虹半导体有限公...
15 篇 武汉新芯集成电路...
14 篇 无锡华润上华科技...
12 篇 中芯国际集成电路...
11 篇 中国科学院上海微...
11 篇 株式会社东芝
10 篇 中微半导体设备有...

作者

137 篇 三重野文健
77 篇 赵猛
62 篇 洪中山
61 篇 张海洋
47 篇 何永根
45 篇 周飞
44 篇 鲍宇
30 篇 涂火金
29 篇 甘正浩
28 篇 邓浩
28 篇 何其旸
28 篇 禹国宾
26 篇 曹子贵
25 篇 何有丰
24 篇 杨彦涛
24 篇 韩秋华
23 篇 谢欣云
23 篇 李勇
21 篇 肖德元
20 篇 冯军宏

语言

2,084 篇 中文

检索条件"主题词=半导体衬底表面"

共 2084 条记录，以下是21-30 订阅

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半导体器件的制作方法

半导体器件的制作方法

引用

作者：祝进田 215000 江苏省苏州市金鸡湖大道99号纳米城西北区20幢405、406室

本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件结构，制作方法包括：提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上形成电子电路；提供第二半导体衬底，将所述第二半导体衬底键合于... 详细信息

标准号: CN115881555B

本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件结构，制作方法包括：提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上形成电子电路；提供第二半导体衬底，将所述第二半导体衬底键合于所述第一半导体衬底的第一表面；在所述第二半导体衬底表面生长外延结构，并制成光器件结构；去除部分所述第二半导体衬底并暴露出所述电子电路；在所述光器件结构和所述电子电路之间形成电连接。本发明的半导体器件的制作方法及半导体器件结构，其能够解决现有技术中硅光芯片因热胀冷缩而导致的性能不稳定的问题。

关键词：半导体衬底第一表面电子电路半导体器件结构半导体器件光器件制作半导体衬底表面衬底键合第二表面热胀冷缩外延结构相对设置电连接硅光去除芯片暴露生长

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：三重野文健周永昌 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底部和侧壁未延伸至所述外延层表面的第一栅极氧化层；位于所... 详细信息

标准号: CN117352390A

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底部和侧壁未延伸至所述外延层表面的第一栅极氧化层；位于所述第一栅极氧化层表面未延伸至所述外延层表面的第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层为半晶体态并且所述第二栅极氧化层中的部分原子扩散至所述第一栅极氧化层中；位于所述栅极沟槽中填满所述栅极沟槽的栅极。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以降低外延层表面的寄生电容，提高器件可靠性。

关键词：栅极氧化层栅极沟槽半导体结构外延层表面外延层基底半导体衬底表面栅极氧化层表面器件可靠性寄生电容原子扩散晶体态延伸侧壁衬底填满申请半导体

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异质结太阳能电池及其制备方法

异质结太阳能电池及其制备方法

引用

作者：孙鹏张良张景杜文朝 214100 江苏省无锡市锡山经济技术开发区荟智企业中心凤威路2号B312-175

本发明提供异质结太阳能电池及其制备方法，包括：对半导体衬底进行制绒得到绒面结构，绒面结构具有待抛光区和位于待抛光区侧部的绒面区；对半导体衬底进行吸杂，形成位于绒面结构表面的磷硅玻璃层；对磷硅玻璃层进行图案化处理，形成... 详细信息

标准号: CN117374168B

本发明提供异质结太阳能电池及其制备方法，包括：对半导体衬底进行制绒得到绒面结构，绒面结构具有待抛光区和位于待抛光区侧部的绒面区；对半导体衬底进行吸杂，形成位于绒面结构表面的磷硅玻璃层；对磷硅玻璃层进行图案化处理，形成贯穿磷硅玻璃层的孔型区域，待抛光区暴露在孔型区域中；对待抛光区进行抛光得到抛光区，绒面结构形成抛光绒面复合结构；去除位于绒面区的磷硅玻璃层；在抛光绒面复合结构的表面依次沉积去复合载流子传输层、透明导电层和栅线，栅线在半导体衬底表面的正投影与抛光区重合，提高了栅线与透明导电层的接触效果，降低了异质结太阳能电池的接触电阻，从而提高了异质结太阳能电池的光电转换效率。

关键词：抛光区磷硅玻璃层绒面结构绒面异质结太阳能电池抛光栅线透明导电层复合结构孔型区域衬底半导体半导体衬底表面光电转换效率复合载流子图案化处理接触电阻接触效果传输层正投影重合吸杂制绒沉积去除制备暴露贯穿

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射频集成电路的固支梁结构静电保护电路及其制备方法

射频集成电路的固支梁结构静电保护电路及其制备方法

引用

作者：王凯悦 610000 四川省成都市武侯区武科西一路88号1栋1楼7号132号

本发明涉及射频集成电路技术领域，尤其为射频集成电路的固支梁结构静电保护电路及其制备方法，包括半导体衬底，所述半导体衬底表面靠近两侧边缘处均固定设置有锚定块，且所述锚定块一端接地，两个所述锚定块之间固定安装有固支梁，还... 详细信息

标准号: CN117253889B

本发明涉及射频集成电路技术领域，尤其为射频集成电路的固支梁结构静电保护电路及其制备方法，包括半导体衬底，所述半导体衬底表面靠近两侧边缘处均固定设置有锚定块，且所述锚定块一端接地，两个所述锚定块之间固定安装有固支梁，还包括端口焊盘，所述端口焊盘位于半导体衬底一侧，且所述端口焊盘一端连接有信号传输线，所述信号传输线的另一端与射频集成电路的内部电路电连接，且固支梁的下拉电压大于射频集成电路的输入输出信号电压，且小于端口焊盘的静电脉冲信号的电压。在实现射频集成电路的静电保护的同时，有效降低寄生效应对射频集成电路的影响，确保射频集成电路的正常运行。

关键词：射频集成电路端口焊盘固支梁锚定块信号传输线衬底半导体半导体衬底表面内部电路电连接静电保护电路输出信号电压两侧边缘处固定设置寄生效应静电保护静电脉冲下拉电压一端连接接地制备

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具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法

具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法

引用

作者：陈庆敏李丙科陈加朋卓倩武 214000 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法，其首先在半导体衬底表面通过原子层沉积得到光滑的第一钝化层，然后继续依次循环脉冲通入由铝源前驱体以及硅烷封端剂构成的混合气体以及氧源，并在混合... 详细信息

标准号: CN117410386B

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法，其首先在半导体衬底表面通过原子层沉积得到光滑的第一钝化层，然后继续依次循环脉冲通入由铝源前驱体以及硅烷封端剂构成的混合气体以及氧源，并在混合气体以及氧源的通入间隙使用吹扫气进行吹扫，从而在第一钝化层表面通过原子层沉积得到具有粗糙结构的第二钝化层，对得到的第二钝化层进行加热，从而得到所述具有陷光结构的叠层钝化层。通过本发明中的方法制备得到的具有陷光结构的叠层钝化层，可以同时提高太阳能电池的稳定性和效率。

关键词：钝化层陷光结构叠层原子层沉积混合气体氧源制备半导体衬底表面太阳能电池技术钝化层表面硅烷封端剂太阳能电池粗糙结构钝化结构循环脉冲吹扫气前驱体吹扫铝源光滑加热

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一种沟槽肖特基二极管及其制备方法

一种沟槽肖特基二极管及其制备方法

引用

作者：蔡雨杉叶武阳 130000 吉林省长春市经开区营口路18号

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种沟槽肖特基二极管及其制备方法。包括半导体衬底、多个沟槽结构、连接沟槽结构的势垒金属层和所述半导体衬底表面的电极；沟槽结构包括外侧的终端沟槽结构以及等边三角形阵列分布的多个单胞... 详细信息

标准号: CN118315446A

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种沟槽肖特基二极管及其制备方法。包括半导体衬底、多个沟槽结构、连接沟槽结构的势垒金属层和所述半导体衬底表面的电极；沟槽结构包括外侧的终端沟槽结构以及等边三角形阵列分布的多个单胞沟槽；终端沟槽结构与最外侧单胞沟槽的距离为大于相邻单胞沟槽间距；所述终端沟槽结构包括不超过10条终端沟槽；沟槽结构包括沟槽、覆盖所述沟槽内壁的栅氧化层和位于所述栅氧化层表面且填充满沟槽的多晶硅填充层；沟槽肖特基二极管为八边形结构，斜边与所述单胞沟槽结构的等边三角形阵列斜边平行。优点在于：通过拐角处增加斜边，及终端沟槽到最边缘单胞沟槽距离大于单胞沟槽间距，提升反向性能、降低失效风险。

关键词：终端沟槽单胞沟槽结构斜边肖特基二极管等边三角形半导体衬底表面半导体器件技术栅氧化层表面八边形结构多晶硅填充势垒金属层边缘单胞沟槽距离沟槽内壁连接沟槽栅氧化层阵列分布拐角处电极衬底制备半导体平行覆盖

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：董秋立周亦康吴旭升 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽，所述沟槽底部和侧壁以及所述半导体衬底表面依次形成有第一电极层和电容介质层，所述沟槽中还形成有不填满所述沟槽的第一绝缘层；位... 详细信息

标准号: CN118042922A

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽，所述沟槽底部和侧壁以及所述半导体衬底表面依次形成有第一电极层和电容介质层，所述沟槽中还形成有不填满所述沟槽的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层表面和所述电容介质层表面的第二电极层以及填满所述沟槽的第二绝缘层；位于所述半导体衬底上覆盖所述半导体衬底的层间介质层以及位于所述层间介质层中分别电连接所述第一电极层和第二电极层的接触结构。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以提高深沟槽电容器的器件可靠性。

关键词：衬底半导体结构半导体绝缘层层间介质层电容介质层第二电极第一电极填满半导体衬底表面深沟槽电容器绝缘层表面器件可靠性接触结构电连接侧壁申请覆盖

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斜坡场板及其制造方法

斜坡场板及其制造方法

引用

作者：焦鹏王晓日张磊吕穿江周爽 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本发明公开了一种斜坡场板，由填充于场板开口中的第一导电材料层组成。场板开口由第一开口和第二开口横向连接形成。第一开口通过对层间膜的各向异性刻蚀形成且具有由各向异性刻蚀定义的第一和第二侧面。第二开口由对层间膜进行各向同... 详细信息

标准号: CN118248721A

本发明公开了一种斜坡场板，由填充于场板开口中的第一导电材料层组成。场板开口由第一开口和第二开口横向连接形成。第一开口通过对层间膜的各向异性刻蚀形成且具有由各向异性刻蚀定义的第一和第二侧面。第二开口由对层间膜进行各向同性刻蚀形成，第二开口的第一侧面为第一开口的第二侧面，第二开口的第二侧面具有由各向同性刻蚀所定义的倾斜结构；第二开口的底部表面和第一开口的底部表面相平；第一和第二开口的顶部表面都和层间膜的顶部表面相平。本发明还提供一种斜坡场板的制造方法。本发明实现单侧的倾斜结构，能在对半导体衬底表面区域的电场进行均匀控制的基础上防止出现尖峰电场，消除易击穿区域，提高器件的整体耐压性。

关键词：开口侧面各向同性刻蚀各向异性刻蚀底部表面顶部表面倾斜结构斜坡场板电场场板对层半导体衬底表面导电材料层均匀控制开口横向尖峰层间膜耐压性击穿填充制造

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：郑磊孙欣弓艳霞刘超陆韵峰 300385 天津市西青区兴华道19号

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有氧化层和栅极材料层；在所述栅极材料层表面形成具有若干第一开口的光阻层；沿所述第一开口对所述半导体衬底执行第一离子注入工艺，在... 详细信息

标准号: CN117672831A

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有氧化层和栅极材料层；在所述栅极材料层表面形成具有若干第一开口的光阻层；沿所述第一开口对所述半导体衬底执行第一离子注入工艺，在所述半导体衬底中形成离子注入区；沿所述第一开口刻蚀所述栅极材料层形成若干分立的栅极层；沿所述第一开口对所述半导体衬底执行第二离子注入工艺，调节所述离子注入区中的注入离子浓度分布，所述离子注入区的宽度等于所述若干分立的栅极层之间的间距。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以实现LDMOS中离子注入区电场定域化，降低LDMOS型集成器件由于图案化密度差异引起的阈值电压偏离。

关键词：离子注入区衬底栅极材料层半导体开口离子注入工艺半导体结构栅极层分立半导体衬底表面表面形成集成器件密度差异浓度分布注入离子阈值电压电场定域化光阻层图案化氧化层刻蚀申请偏离

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一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件

一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件

引用

作者：金井升张彼克杨楠楠张昕宇 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构；所述第一掺杂结构包括依次设置在所述半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶... 详细信息

标准号: CN117542916A

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构；所述第一掺杂结构包括依次设置在所述半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层包含第三掺杂元素，所述第三掺杂元素包括碳、氮和氧中的至少一种，所述掺杂多晶硅层中第三掺杂元素的浓度为1e18cm^‑3～1e19cm^‑3；所述第二掺杂结构包括第一硅掺杂层；覆盖所述第一掺杂结构和第二掺杂结构的钝化层，穿过所述钝化层与所述掺杂多晶硅层形成电连接的电极。本申请太阳能电池通过设置不同类型的第一掺杂结构和第二掺杂结构，能够提高太阳能电池的转换效率。

关键词：掺杂掺杂多晶硅层太阳能电池掺杂元素半导体衬底表面钝化层电介质层光伏组件依次设置转换效率电连接硅掺杂电极衬底申请制备半导体穿过覆盖

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