检索结果-内蒙古大学图书馆

微纳电子技术 1981年第1期 92-96页

作者： J.M.Schellenberg 李浩模

一、引言在低噪声 GaAsFET 的发展中,近来已有重大进展。噪声系数不断降低,频率上限不断提高,频率高至 Ka 频段的低噪声 FET 放大器也已实现。然而,高频 FET 尚不能适当地表征,并且对支配着高频工作的器件参数不能很好地了解。本文将提... 详细信息

一、引言在低噪声 GaAsFET 的发展中,近来已有重大进展。噪声系数不断降低,频率上限不断提高,频率高至 Ka 频段的低噪声 FET 放大器也已实现。然而,高频 FET 尚不能适当地表征,并且对支配着高频工作的器件参数不能很好地了解。本文将提出一种模拟工作的结果以及 Ka 频段 FET 的射频性能。本文也评价和提出了采用液相外延(LPE)、汽相外延(VPE)和离子注入(II)制作的 FET 器件。这三种类型器件

关键词：液相外延离子注入离子掺杂频段 GaAsFET Ka 汽相外延半绝缘衬底

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美国第37届器件研究年会

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半导体光电 1980年第3期 107-110页

美国第37届器件研究年会于1979年6月25曰至27日在博尔德的科罗拉多大学召开。会议由IEEE电子器件学会主办。

关键词：器件研究双注入焦面 InP 异质结激光器半导体激光器 GaAs 电流特性电荷藕合器件半绝缘衬底量子效率激光效率离化美国美利坚合众国北美洲

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GaAs MESFET的反常耿效应和雪崩效应

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微纳电子技术 1979年第4期 40-43页

作者： Patrick H Wang 袁明文美国HP公司SantaRosa部

在1微米栅长的GaAs FET中观察到反常的雪崩效应和耿效应。讨论了它们引起微波电路的恶化以及这些效应形成的原因。还报导了消除这些不良效应的几种可行的解决办法。

关键词： FET 电流栅长雪崩效应电压特性半绝缘衬底

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X和Ku波段单片VCO

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微纳电子技术 1983年第1期 58-62页

作者： B.N.Scott G.E.Brehm 梁春广

已经设计和制造了可从11.15调到14.39GHz以及16.0调到18.74GHz的GaAsVCO(电压控制振荡器)电路。1.1mm×1.2mm芯片上包含有两个变容管、一个300μmFET以及旁路电容器、调谐电感器和隔离电阻器。叙述了宽带电路设计技术。对引起带宽... 详细信息

已经设计和制造了可从11.15调到14.39GHz以及16.0调到18.74GHz的GaAsVCO(电压控制振荡器)电路。1.1mm×1.2mm芯片上包含有两个变容管、一个300μmFET以及旁路电容器、调谐电感器和隔离电阻器。叙述了宽带电路设计技术。对引起带宽不连续的变容管和电路效应进行讨论,表明用单个GaAs芯片有可能实现从11～18GHz连续调谐。

关键词：变容管源极栅极 Ku 单片 VCO 变容二极管负阻抗半绝缘衬底电压控制振荡器波段

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极低阈值InGaAsP台面激光器

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半导体光电 1983年第4期 58-61页

作者：陈倜荣何兴仁

在半绝缘InP衬底上,非钝化表面极低阈值电流InGaAsP/InP台阶台面激光器制作成功,其制作工艺包括一步液相外延生长和简便的腐蚀过程。在器件阈值低至6。3mA的情况下(腔长250μm)获得了基横模工作。文中还对利用质量输运技术制作的钝化与... 详细信息

在半绝缘InP衬底上,非钝化表面极低阈值电流InGaAsP/InP台阶台面激光器制作成功,其制作工艺包括一步液相外延生长和简便的腐蚀过程。在器件阈值低至6。3mA的情况下(腔长250μm)获得了基横模工作。文中还对利用质量输运技术制作的钝化与非钝化激光器作了比较。

关键词：激光器质量输运光激射器电子器件 InGaAsP InP 半绝缘衬底有源区

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向高集成化发展的GaAs数字IC

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微纳电子技术 1983年第1期 74-75页

作者：张汉三

GaAs数字IC技术最近已把目标转向高集成化上来了。1981年以前,通过试做环型振荡器这样的实验性器件,已把门的延迟时间降到40ps、30ps,缩短环型振荡器门时延的竞争已在去年宣告结束,而制作高集成度IC的竞争却加剧了。例如,已经研制成功了... 详细信息

GaAs数字IC技术最近已把目标转向高集成化上来了。1981年以前,通过试做环型振荡器这样的实验性器件,已把门的延迟时间降到40ps、30ps,缩短环型振荡器门时延的竞争已在去年宣告结束,而制作高集成度IC的竞争却加剧了。例如,已经研制成功了6×6bit和8×8bit的乘法器、500门的门阵列和1Kbit的静态RAM等大规模集成电路。今年11月9日在美国召开的1982年GaAsIC讨论会上,日本电电公社武藏野研究所发表了有关全译码式的1Kbit静态RAM、富士通等发表了有关6×6bit的并联乘法器的文章。此外,8月

关键词：高集成化乘法器文章 GaAs 半绝缘衬底 IC

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热处理引起非掺杂LEC(PBN)生长GaAs电学性能的变化

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微纳电子技术 1987年第4期 47-50页

作者： O.Ogawa 邱素娟

在温度为500～950℃范围内研完了LEC(PBN)生长GaAs的退火效应。退火引起电学和光学性能的变化有(1)退化(2)恢复(3)稳定和(4)均匀性改善,这些现象与退火条件和样品的热处理历程有关。暂且把这些变化归因于体深能级密度的作用和应力的释放。

关键词：电阻率退火条件光学性能电学电阻系数电磁学能级密度非掺杂均匀性半绝缘衬底电学性能 LEC GaAs PBN

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G波段AlN/GaN HEMT外延材料

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固体电子学研究与进展 2020年第3期40卷 F0003-F0003页

作者：李传皓彭大青李忠辉张东国杨乾坤吴少兵孙岩微波毫米波单片和集成电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性... 详细信息

南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性能AlN/GaN HEMT外延材料。图1为AFM 5μm×5μm范围下的表面形貌,势垒层表面平整,原子台阶明显,RMS=0.3 nm,且无明显缺陷。

关键词：外延材料势垒层扩散长度异质结界面 HEMT 表面平整 MOCVD 半绝缘衬底

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一种低功耗、零偏压单行载流子光电探测器

一种低功耗、零偏压单行载流子光电探测器

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作者：黄永清费嘉瑞段晓峰刘凯王俊任晓敏王琦蔡世伟张霞 100876 北京市海淀区西土城路10号

本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、... 详细信息

标准号: CN105140330A

本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。

关键词：半绝缘衬底电子阻挡层光电探测器零偏压收集层外延层吸收层阻止层载流子腐蚀费米能级禁带宽度低功耗过渡层响应度异质结功耗一种优选带宽公开组成工作

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4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法

4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法

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作者：贾护军邢鼎张航 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

本发明公开了一种4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法。其中，该场效应晶体管包括：4H-碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在4H-SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层，其中，P型缓冲层包括第一P型缓冲区、第二P型缓冲区和第三P型缓冲区且第二P型... 详细信息

标准号: CN105206679A

本发明公开了一种4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法。其中，该场效应晶体管包括：4H-碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在4H-SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层，其中，P型缓冲层包括第一P型缓冲区、第二P型缓冲区和第三P型缓冲区且第二P型缓冲区形成于第一P型缓冲区与第三P型缓冲区之间；覆盖在P型缓冲层上的N型沟道层，并在N型沟道层表面的两侧形成有源极帽层和漏极帽层，其中，源极帽层表面形成有源极，漏极帽层表面形成有漏极；在N型沟道层上方且靠近源极帽层处形成栅电极。本发明解决了现有的4H-SiC金属半导体场效应晶体管电流不稳定且击穿电压低的技术问题。

关键词：金属半导体场效应晶体管半绝缘衬底表面形成漏极帽层极帽有源场效应晶体管击穿电压源极帽层不稳定靠近源栅电极覆盖漏极一种电流两侧公开解决

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