检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：宿晓慧中国科学院大学

学位级别：博士

单粒子瞬态脉冲SET(Single Event Transient)，这一由高能粒子轰击电路敏感区引发节点瞬时电脉冲的现象，已成为影响宇航芯片可靠性的最重要因素之一。　　本文针对SET开展研究工作，以SET产生电路、SET测量电路及SET加固电路设计作为... 详细信息

单粒子瞬态脉冲SET(Single Event Transient)，这一由高能粒子轰击电路敏感区引发节点瞬时电脉冲的现象，已成为影响宇航芯片可靠性的最重要因素之一。　　本文针对SET开展研究工作，以SET产生电路、SET测量电路及SET加固电路设计作为主要研究内容，分别从实现新功能、提升性能和降低MOS管数量的角度出发，提出了5款电路结构，并基于0.18μm SOI CMOS工艺，设计验证芯片，对上述电路进行实测验证。具体地，本文完成了以下工作:　　1).设计了2款SET产生电路:均能在无辐射环境下，产生32种宽度的模拟SET信号。实测表明:单相产生电路，能够输出0.13～3.34ns脉宽的010型脉冲，调节精度0.1066ns;双相产生电路，能够输出0～3.35ns脉宽的010型脉冲，调节精度0.107ns，以及0～3.01ns脉宽的101型脉冲，调节精度0.0937ns。　　2).设计了2款SET脉宽测量电路:均能产生30位测量结果，并采用温度计码串行输出。其中宽范围测量电路通过新增预处理电路，优化延迟检测电路结构，提升测量的准确性。实测表明，能够对0.13～3.17ns脉宽的010型脉冲进行测量，精度0.1064ns。高精度测量电路在宽范围电路基础上，提出双边沿可控延迟检测电路结构，使得测量精度不再受限于工艺尺寸，而与两个MOS管的宽长比之比相关，可进一步提高测量精度。实测表明，能够对0.13ns～0.71ns脉宽的信号进行测量，测量精度为0.0205ns。　　3).设计了1款低硬件开销的SET加固电路:本文利用上/下拉不对称的缓冲器代替传统延迟电路，提出了仅由20个MOS管构成的SET加固电路结构（现有延迟滤波加固电路需要116个MOS管）。实测表明，该电路能够滤除信号中包含的脉宽小于2.52ns的010型和101型SET信号。

关键词：宇航芯片单粒子瞬态脉冲测量电路加固电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

光电耦合器的单粒子瞬态脉冲效应研究

引用

原子能科学技术 2008年第B09期42卷 36-40页

作者：封国强马英起张振龙韩建伟中国科学院空间科学与应用研究中心北京100190 中国科学院研究生院北京100049

利用脉冲激光模拟单粒子效应实验装置研究光电耦合器HCPL-5231和HP6N134的单粒子瞬态脉冲(SET)效应。实验获得了相关器件的单粒子瞬态脉冲波形参数与等效LET的关系,并甄别出器件SET效应的敏感位置,初步分析了SET效应产生的机理。利用脉... 详细信息

利用脉冲激光模拟单粒子效应实验装置研究光电耦合器HCPL-5231和HP6N134的单粒子瞬态脉冲(SET)效应。实验获得了相关器件的单粒子瞬态脉冲波形参数与等效LET的关系,并甄别出器件SET效应的敏感位置,初步分析了SET效应产生的机理。利用脉冲激光测试了光电耦合器的SET宽度与等效LET的关系,并尝试测试了两种光电耦合器的SET效应的截面,其中,HCPL-5231的实验结果与其他文献利用重离子加速器得到的数据符合较好,验证了脉冲激光测试器件单粒子效应的有效性。

关键词：脉冲激光单粒子瞬态脉冲光电耦合器等效LET

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

光电耦合器4N49单粒子瞬态脉冲效应的试验研究

引用

原子能科学技术 2010年第6期44卷 764-768页

作者：马英起封国强安广朋张振龙黄建国韩建伟中国科学院空间科学与应用研究中心北京100190 中国科学院研究生院北京100049

通过脉冲激光模拟单粒子效应,对光电耦合器4N49的单粒子瞬态脉冲(SET)效应进行了试验研究。在10V工作电压下,获取了4N49在特定线性能量传输(LET)值下的SET波形特征及其变化规律,得到了器件SET效应的等效LET阈值为***-1,而饱和截面数值... 详细信息

通过脉冲激光模拟单粒子效应,对光电耦合器4N49的单粒子瞬态脉冲(SET)效应进行了试验研究。在10V工作电压下,获取了4N49在特定线性能量传输(LET)值下的SET波形特征及其变化规律,得到了器件SET效应的等效LET阈值为***-1,而饱和截面数值则高达1.2×10-3cm2。试验验证了4N49的SET效应对后续数字电路的影响状况,定量研究了SET效应减缓电路的有效性,通过设计合理的电路参数可将器件在5V工作电压下的SET效应阈值由***-1提高至***-1。4N49的SET效应试验研究为光电耦合器SET效应的测试及防护措施的有效性验证提供了新的试验方法。

关键词：脉冲激光光电耦合器单粒子瞬态脉冲

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

微纳器件单粒子瞬态脉冲效应的电荷收集与传输机制研究

微纳器件单粒子瞬态脉冲效应的电荷收集与传输机制研究

引用

作者：李赛中国科学院大学(中国科学院国家空间科学中心)

学位级别：博士

国内外的航天实践表明,单粒子效应(Single event effect,SEE)是空间环境中诱发卫星异常的主要因素之一,而随着半导体器件工艺尺寸的不断缩减,微纳器件中单粒子瞬态(Single-event-transient,SET)脉冲效应引发的错误逐渐成为总软错误中的... 详细信息

国内外的航天实践表明,单粒子效应(Single event effect,SEE)是空间环境中诱发卫星异常的主要因素之一,而随着半导体器件工艺尺寸的不断缩减,微纳器件中单粒子瞬态(Single-event-transient,SET)脉冲效应引发的错误逐渐成为总软错误中的主导因素。深入研究微纳器件中SET脉冲的电荷收集、传输规律和在电路中传播引发的错误结果,并揭示其内在作用机制,可为抗辐照芯片设计人员提供数据参考和理论依据。本文以微纳器件SET脉冲效应的电荷收集、传输机制研究为主线,自主搭建了用于采集裸片微弱SET脉冲信号的探针测试平台,设计了一款130 nm体硅工艺组合逻辑器件和一款130 nm SOI(Silicon-on-insulator,SOI)工艺时序逻辑器件,利用脉冲激光、重离子和数值仿真等方法研究了体硅工艺和SOI工艺单管的SET脉冲电荷收集规律、体硅组合逻辑电路中SET脉冲的传输规律及体硅、SOI工艺时序逻辑电路的单粒子翻转(Single event upset,SEU)敏感性。全文从SET脉冲的产生到传播再到在后续电路诱发错误等三个关键过程出发展开了详细的研究,研究工作获得的主要成果和结论如下: (1)基于脉冲激光单粒子效应试验装置,结合半导体探针测试组件,搭建了用于采集裸片微弱SET脉冲信号的探针测试平台。该探针测试平台可采集脉宽在百ps量级的微弱脉冲信号,已通过180 nm体硅单管进行验证,并多次展开试验,试验手段已较为成熟。 (2)基于SET脉冲探针测试平台,试验研究了180 nm体硅单管的SET脉冲电荷收集规律受激光能量、偏置电压、栅尺寸及辐照位置等因素的影响。基于TCAD数值仿真工具,建模研究了130 nm SOI工艺单管的SET电流脉冲受重离子线性能量传输(linear energy transfer,LET)值、辐照位置和栅尺寸的影响。研究表明:1)重离子LET值和偏置电压的增加均会提高器件收集电荷的能力;2)体硅器件中:栅长增加,SET脉冲幅值增加,脉宽变窄;栅宽增加,SET脉冲幅值变化不大,脉宽增加;SOI工艺器件中:栅长增加,SET脉冲幅值增加,脉宽变宽,寄生双极晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)放大倍数减小;栅宽增加,SET幅值增加,脉宽变窄,寄生BJT放大倍数增大;3)对于T型栅结构,在漏体结上存在两个最敏感辐照位置,其中一个辐照位置下产生的SET脉冲幅值最大,另一个辐照位置下收集的电荷量最多。 (3)利用Hspice电路仿真软件,将180 nm单管实测SET电流脉冲作为组合逻辑电路中的SEE注入源仿真研究了反相器链中SET电压脉冲的产生规律和传输规律。利用脉冲激光和重离子辐照方法研究了130 nm体硅组合逻辑电路中产生的SET脉宽的分布特征。仿真研究表明:当SET电流在电路中产生的SET电压脉冲幅值较大时,SET的脉宽在传播过程中先展宽再窄化,最终趋于稳定,而当SET电压脉冲幅值较小时,SET脉宽在传播过程中将不断窄化,直至消减殆尽。130 nm体硅反相器链的SET脉宽分布研究表明:双阱CMOS工艺下,PMOS管的寄生双极效应开启和电荷共享效应是较高激光能量/LET值时造成SET脉宽呈双(多)峰分布的主要原因,且反相器链中PMOS管栅宽减小会使电路产生的SET脉冲平均脉宽变宽。 (4)利用脉冲激光辐照方法,研究了65 nm体硅工艺时序逻辑器件DFF(D-type Flip-Flop)链的SEU敏感性受工作电压、时钟频率、电路结构、数据模式及版图结构等因素的影响。研究表明:1)电压降低,DFF链的敏感性增加;2)频率对DFF链SEU敏感性的影响主要受组合逻辑和等效组合逻辑(锁存状态时,主/从锁存器相当于组合逻辑电路)中的SET脉冲的影响;3)同一DFF链在数据“0”测试时比数据“1”测试时对SEU更敏感;4)敏感节点间距增加和采用保护环、保护漏进行版图加固均可有效提高DFF链的抗SEU性能。不同电路结构DFF链的电路仿真表明,置位结构和复位结构引入的组合逻辑模块中产生的SET脉冲将分别使其在数据“0”和“1”测试时对SEU更加敏感性。 (5)基于130 nm SOI工艺,设计了一款版图布局、栅尺寸及电路结构不同的时序逻辑器件DFF链,并利用重离子和脉冲激光辐照方法研究了其SEU敏感性。试验结果表明:1)DFF单元中版图布局对电路SEU阈值影响不大,但双排交叉放置的DFF链的SEU截面更低;2)DFF单元中晶体管的栅长、栅宽的增加均可提高电路的SEU阈值;3)DICE结构DFF链的SEU阈值明显高于常规结构DFF链。论文从单管SET脉冲的产生出发,研究了不设计条件下SET脉冲的电荷收集规律,基于该结果研究了SET脉冲在组合逻辑中传播规律,并进一

关键词：单粒子瞬态脉冲电荷收集传输体硅 SOI 组合逻辑时序逻辑

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

单粒子瞬态脉冲拟合方法、装置、设备及介质

单粒子瞬态脉冲拟合方法、装置、设备及介质

引用

作者：彭超雷志锋赵战刚何玉娟马腾陈义强 511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

本公开提供了一种单粒子瞬态脉冲拟合方法、装置、设备及介质，涉及电路仿真技术领域，包括获取带电辐射粒子入射至纳米器件的第一时间参数和第二时间参数；根据第一时间参数，得到用于拟合单粒子瞬态脉冲的峰值电流的第一双指数模型；... 详细信息

标准号: CN118332994A

本公开提供了一种单粒子瞬态脉冲拟合方法、装置、设备及介质，涉及电路仿真技术领域，包括获取带电辐射粒子入射至纳米器件的第一时间参数和第二时间参数；根据第一时间参数，得到用于拟合单粒子瞬态脉冲的峰值电流的第一双指数模型；根据第二时间参数，得到用于拟合单粒子瞬态脉冲的长尾电流的第二双指数模型；根据第一双指数模型和第二双指数模型，得到单粒子瞬态脉冲的拟合模型。本公开将带电辐射粒子入射至纳米器件的过程分为两部分，通过构建两个双指数模型，实现对单粒子瞬态脉冲的精确模拟，提高了纳米级器件的拟合效果。

关键词：单粒子瞬态脉冲指数模型拟合纳米器件时间参数带电入射粒子电路仿真技术纳米级器件峰值电流拟合模型辐射长尾构建

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法、仿真方法及仿真模型

单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法、仿真方法及仿真模型

引用

作者：李兴冀刘中利崔秀海吕钢 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

本发明提供了单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法、仿真方法及仿真模型，涉及计算机仿真技术领域，方法包括：获取单粒子的初始线性能量转移；将初始线性能量转移进行转换，得到目标线性能量转移，其中，初始线性能量以MeV·cm2/mg为... 详细信息

标准号: CN115659770A

本发明提供了单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法、仿真方法及仿真模型，涉及计算机仿真技术领域，方法包括：获取单粒子的初始线性能量转移；将初始线性能量转移进行转换，得到目标线性能量转移，其中，初始线性能量以MeV·cm²/mg为单位，目标线性能量转移以单位长度的电子‑空穴对为单位；当单粒子入射到具有敏感结的元器件后，获取单粒子的径向衰减长度和入射深度；根据目标线性能量转移、单粒子的径向衰减长度和入射深度，得到单粒子在入射路径上产生的电子空穴对的分布情况；根据分布情况构建单粒子瞬态脉冲仿真模型。与现有技术比较，解决了如何构建出准确的单粒子瞬态脉冲仿真模型，提高研究可靠性，缩短研究周期、降低研究成本。

关键词：线性能量转移单粒子入射单粒子瞬态脉冲仿真模型构建衰减计算机仿真技术空穴仿真模型构建电子空穴线性能量元器件研究敏感转换

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

晶体管栅形状对单粒子瞬态脉冲特性的影响研究

引用

微电子学与计算机 2014年第10期31卷 76-80页

作者：赵馨远张晓晨王亮岳素格北京微电子技术研究所抗辐射加固工程中心北京100076

通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击条形栅器件与环形栅器件产生的单粒子瞬态脉冲特性具有非常大的区别.分析了栅形状对单粒子瞬态的影响在P... 详细信息

通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击条形栅器件与环形栅器件产生的单粒子瞬态脉冲特性具有非常大的区别.分析了栅形状对单粒子瞬态的影响在PMOS和NMOS器件中的不同机理,对单粒子瞬态加固设计具有指导性意义.

关键词：单粒子瞬态脉冲瞬态脉宽环形栅寄生双极放大效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Flash型FPGA单粒子瞬态脉冲分段滤除电路设计

引用

微电子学与计算机 2016年第2期33卷 63-67页

作者：史方显曾立王淼曹建勋权妙静北京航空航天大学宇航学院北京100191

为提高FPGA在辐射环境条件下的抗单粒子脉冲（SET）的能力，设计了一种由多个延时单元和并联逻辑保护单元（Guard Gate，GG）构成的SET脉冲分段滤除电路．将SET脉冲处理延时减小至传统方法的10．42％～49．8％，从而提高电路对SET脉冲... 详细信息

为提高FPGA在辐射环境条件下的抗单粒子脉冲（SET）的能力，设计了一种由多个延时单元和并联逻辑保护单元（Guard Gate，GG）构成的SET脉冲分段滤除电路．将SET脉冲处理延时减小至传统方法的10．42％～49．8％，从而提高电路对SET脉冲的处理能力，同时占用的逻辑资源未有明显增加．

关键词：单粒子瞬态脉冲逻辑保护单元 Flash型FPGA

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备

单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备

引用

作者：宿晓慧罗家俊韩郑生刘海南郝乐李欣欣 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明涉及电脉冲宽度测量技术领域，涉及一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路包括锁存电路的输入端与待测信号输入端连接；至少一级延迟锁存电路中的第一级延迟锁存电路的第一输入端和第二输入端均与待测信号输入端连接；当单粒子瞬态脉冲... 详细信息

标准号: CN106569040B

本发明涉及电脉冲宽度测量技术领域，涉及一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路包括锁存电路的输入端与待测信号输入端连接；至少一级延迟锁存电路中的第一级延迟锁存电路的第一输入端和第二输入端均与待测信号输入端连接；当单粒子瞬态脉冲宽度测量电路包含二级以上的延迟锁存电路时，从第二级延迟锁存电路开始每级延迟锁存电路的第一输入端与前一级延迟锁存电路的第一输出端连接，每级延迟锁存电路的第二输入端与待测信号输入端连接；在待测信号输入端接入待测单粒子瞬态脉冲信号后，锁存电路翻转驱动至少一级延迟锁存电路翻转，将锁存电路的输出端和至少一级延迟锁存电路中各个延迟锁存电路的第二输出端作为单粒子瞬态脉冲宽度测量电路的信号输出端。

关键词：锁存电路延迟输入端待测信号单粒子瞬态脉冲宽度测量电路输入端连接输出端单粒子瞬态脉冲信号输出端连接输入端接入信号输出端翻转驱动宽度测量第一级电脉冲前一级翻转

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

单粒子瞬态脉冲宽度测量电路

单粒子瞬态脉冲宽度测量电路

引用

作者：宿晓慧罗家俊韩郑生刘海南郝乐李欣欣 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明公开了一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路，包括：控制信号产生电路(101)及至少一级延时比较电路(102)；所述控制信号产生电路(101)具有单粒子脉冲接收端、脉冲开始信号输出端和脉冲结束信号输出端；每级所述延时比较电路(102)具有... 详细信息

标准号: CN104678188B

本发明公开了一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路，包括：控制信号产生电路(101)及至少一级延时比较电路(102)；所述控制信号产生电路(101)具有单粒子脉冲接收端、脉冲开始信号输出端和脉冲结束信号输出端；每级所述延时比较电路(102)具有延时信号输入端、使能输入端、延时信号输出端和翻转输出端。采用本发明实现的测量电路，能够对单粒子瞬态脉冲信号的高电平脉冲宽度进行测量，可测脉宽范围大，测量精度高。

关键词：输出端控制信号产生电路延时比较电路延时信号输入端单粒子瞬态脉冲信号单粒子瞬态脉冲宽度测量电路脉冲结束信号测量精度高高电平脉冲测量电路开始信号脉冲接收单粒子翻转脉冲脉宽使能测量

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：