检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2005年第4期26卷 756-759页

作者：刘文超夏冠群李冰寒黄文奎中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触... 详细信息

利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性,并进一步分析了其具有良好高温特性的机理.

关键词： AlGaInP/GaAs 双异质结双极晶体管 Mo/W/Ti/Au 直流特性

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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)

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半导体技术 2009年第9期34卷 821-827页

作者：齐志华李献杰中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

5 制作工艺和优化 Ⅱ型InP DHBT的工艺流程与传统Ⅰ型InP HBT和DHBT工艺基本相同,一般沿用传统的三台面工艺,所不同之处主要是基区材料不同而导致湿法腐蚀和工艺细节变化,此外,由于Ⅱ型DHBT集电区全部采用InP材料,从而减小了由于四元缓... 详细信息

5 制作工艺和优化 Ⅱ型InP DHBT的工艺流程与传统Ⅰ型InP HBT和DHBT工艺基本相同,一般沿用传统的三台面工艺,所不同之处主要是基区材料不同而导致湿法腐蚀和工艺细节变化,此外,由于Ⅱ型DHBT集电区全部采用InP材料,从而减小了由于四元缓变层带来的形成集电区台面时的工艺难度.

关键词： GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管技术发展现状欧姆接触电极 InGaAs 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺

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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)

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半导体技术 2009年第8期34卷 721-725页

作者：齐志华李献杰中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与... 详细信息

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。

关键词： GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管微空气桥

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双异质结双极晶体管及其制备方法

双异质结双极晶体管及其制备方法

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作者：付兴中陈卓周国崔雍孙虎胡多凯高三磊高昶王国清张力江 050051 河北省石家庄市合作路113号

本发明提供一种双异质结双极晶体管及其制备方法。该方法包括：在待制备的圆片上制作发射区电极，并基于发射区电极对圆片中的发射区进行湿法腐蚀，以使圆片中发射区和基区之间的第一分界层暴露；在第一分界层的上表面制作基区电极，并... 详细信息

标准号: CN116978785A

本发明提供一种双异质结双极晶体管及其制备方法。该方法包括：在待制备的圆片上制作发射区电极，并基于发射区电极对圆片中的发射区进行湿法腐蚀，以使圆片中发射区和基区之间的第一分界层暴露；在第一分界层的上表面制作基区电极，并基于基区电极，依次对第一分界层和基区进行湿法腐蚀，以使圆片中基区和集电区之间的第二分界层暴露；在第二分界层的上表面制作集电区电极，并基于集电区电极，依次对第二分界层和集电区进行湿法腐蚀，以使圆片中集电区和腐蚀终止层之间的第三分界层暴露；依次对第三分界层、腐蚀终止层和圆片的InP衬底进行湿法腐蚀，得到双异质结双极晶体管。本发明能够提高器件的性能和隔离度。

关键词：分界层湿法腐蚀集电区基区圆片双异质结双极晶体管发射区电极腐蚀终止层集电区电极基区电极发射区上表面制备暴露制作隔离度衬底

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一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法

一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法

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作者：艾立鹍徐安怀齐鸣周书星 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；制备特征在于：（1）将InP（100）衬底送入气... 详细信息

标准号: CN103794644B

本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；制备特征在于：（1）将InP（100）衬底送入气态源分子束外延系统GSMBE的预处理室，于300‑350℃除气；（2）将上述衬底传递至GSMBE的生长室，生长前的衬底表面解析，解析是在As气氛下加热至解析温度，去除表面氧化层，然后将PH₃于1000℃进行裂解，得到P₂用作Ps源，调节气源炉PH₃压力P_V为450～700Torr；（3）衬底在P气氛的保护下进行生长前的表面解吸，衬底温度于400℃下进行外延生长，生长时衬底以每分钟5转的速度旋转，以保证外延材料的均匀性。

关键词：衬底解析制备生长双异质结双极晶体管气态源分子束外延表面氧化层外延缓冲层亚集电极层表面解吸衬底表面发射极层集电极层磷化铟基外延材料外延生长预处理室半绝缘基极层截止层均匀性生长室渐变除气盖层裂解气源去除加热送入腐蚀传递保证

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一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构

一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构

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作者：张宇陈宏泰车相辉林琳位永平王晶郝文嘉于浩 050051 河北省石家庄市合作路113号

本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓... 详细信息

标准号: CN105428403B

本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，能带渐变层为四层结构，能带渐变层一至三为N型In_(1‑x)Ga_xAs_yP_(1‑y)材料，从集电区层向基区层，其各层之间的组分渐变，能带渐变层四为非掺的InGa_xAs材料。本发明结构基区还具有更高的空穴浓度和更薄的厚度。本发明结构异质结界面处不存在导带尖峰，电子渡越时间更短，该结构制成的晶体管具有更高的频率性能。

关键词：渐变层磷化铟双异质结双极型晶体管双异质结双极晶体管空穴磷化铟集电区外延层结构异质结界面铟镓砷基区尖峰发射区层集电区层磷化铟基四层结构组分渐变基区层结构基轻掺杂重掺杂晶体管衬底导带

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带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

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固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 138-141,148页

作者：艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)... 详细信息

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。

关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延磷化铟阶梯缓变集电区

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新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究

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固体电子学研究与进展 2010年第1期30卷 23-26,68页

作者：艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质... 详细信息

设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量外延材料,成功地生长出带有n+-InGaP插入层结构的GaAs基InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料。采用常规的湿法腐蚀工艺,研制出发射极面积为100μm×100μm的新型结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件。直流特性测试的结果表明,所设计的集电结带有n+-InGaP插入层的InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件开启电压约为0.15V,反向击穿电压达到16V,与传统的单异质结InGaP/GaAs HBT相比,反向击穿电压提高了一倍,能够满足低损耗、较高功率器件与电路制作的要求。

关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延砷化镓

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基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT

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Journal of Semiconductors 2006年第6期27卷 1064-1067页

作者：苏树兵徐安怀刘新宇齐鸣刘训春王润梅中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=... 详细信息

报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.

关键词： MBE InGaAs基区双异质结双极晶体管

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InP基毫米波DHBT和SBD材料与器件研究

InP基毫米波DHBT和SBD材料与器件研究

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作者：滕腾中国科学院大学

学位级别：博士

毫米波固态器件和电路是电子装备固态化、小型化、相控阵化和智能化的核心器件，也是无线通信和无线传感网络发展的关键器件，属于国家发展的战略资源之一。InP基双异质结双极晶体管(DHBT)和平面型肖特基势垒二极管(SBD)是重要的毫米波... 详细信息

毫米波固态器件和电路是电子装备固态化、小型化、相控阵化和智能化的核心器件，也是无线通信和无线传感网络发展的关键器件，属于国家发展的战略资源之一。InP基双异质结双极晶体管(DHBT)和平面型肖特基势垒二极管(SBD)是重要的毫米波固态器件，具有工作频率高，开启电压低等优点，在毫米波单片集成电路(MIMIC)中有着广阔的应用前景。本论文针对InP基DHBT和SBD器件的研制难点和存在的问题，采用气态源分子束外延(GSMBE)技术和化合物半导体工艺平台，结合理论分析和模拟，对InP基DHBT和SBD在材料生长和器件研制两方面进行了探索研究，取得了如下的主要研究结果:\n 针对InP/InGaAs/InP DHBT材料的生长难点，对重C掺杂InGaAs基区材料和InGaAsP四元系插入层材料的生长进行了研究。将四元系组分计算引入参数调节过程，简化了四元系材料的生长过程。获得了具有较高迁移率的p型InGaAs基区材料，同时使BC结导带势垒尖峰得到明显改善。所生长的InP基DHBT结构材料具有良好的晶体质量和电学特性，已由器件合作单位应用于国产W波段电路的研制。\n 采用基于Bethe热电子发射理论和Schottky扩散理论相结合的模型，分析了SBD中的势垒高度调节机制。提出了一种调节InP基SBD势垒高度的设计方法，对带有不同厚度和掺杂浓度高掺杂层的InP基SBD直流I-V特性进行了数值模拟，设计结果可有效调节InP基SBD的开启电压，从理论上指导了材料结构设计。\n 提出了一种带有新型空气桥结构的InP基平面型SBD，并针对平面型InP基SBD的制备难题，设计了器件版图和工艺流程。结合新型空气桥结构的制备，对金属-半导体接触工艺和外延层湿法腐蚀关键技术进行了深入研究。通过淀积介质层保护、自对准工艺、蒸发溅射金属、选择性电镀、刻蚀腐蚀介质层和有源层等多步工艺，研制成功平面型InP基SBD器件，目前国内尚未见报道。\n 对所研制的InP基平面型SBD进行了表征和测试，结果表明，其直流开启电压约为0.2V;偏置电压0.6V时，电流密度53.7kA/cm2。从直流特性中提取了肖特基势垒高度、理想因子等参数。同时，提出了一种等效电路模型，以交流测试得到的S参数为优化目标，对等效电路模型的S参数进行了仿真并优化，得到器件的本征参数Cj=30.3fF，Rs=8.38Ω;进而计算出所制备的InP基平面型SBD的截止频率fc为627GHz，可用于毫米波段混频器、倍频器等电路的制作。

关键词：双异质结双极晶体管肖特基势垒二极管气态源分子束外延化合物半导体工艺平台

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