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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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146 篇 专利
2 篇 学位论文

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148 篇 电子文献
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2 篇 工学
- 2 篇 计算机科学与技术...
- 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

2 篇 双栅晶体管
1 篇 二硒化钨
1 篇 bzn反熔丝
1 篇 浮体效应
1 篇 反熔丝prom
1 篇 无电容动态随机存...
1 篇 总剂量效应
1 篇 感应耦合等离子体
1 篇 反熔丝特性

机构

28 篇 京东方科技集团股...
15 篇 昆山国显光电有限...
14 篇 云谷科技有限公司
8 篇 成都京东方光电科...
7 篇 合肥维信诺科技有...
6 篇 上海天马微电子有...
6 篇 北京大学
6 篇 厦门天马微电子有...
6 篇 上海天马有机发光...
5 篇 中国科学院微电子...
4 篇 中芯国际集成电路...
4 篇 深圳市华星光电半...
4 篇 维信诺科技股份有...
4 篇 武汉天马微电子有...
4 篇 武汉天马微电子有...
3 篇 广州华星光电半导...
3 篇 昆山龙腾光电有限...
3 篇 湖北长江新型显示...
3 篇 北京丰荣航空科技...
2 篇 北京京东方技术开...

作者

11 篇 朱正勇
8 篇 贾溪洋
7 篇 马志丽
7 篇 郭恩卿
6 篇 李俊峰
6 篇 李玥
6 篇 高娅娜
6 篇 周星耀
6 篇 张衎
6 篇 赵欣
6 篇 盖翠丽
5 篇 胡思明
5 篇 张盛东
5 篇 李泠
5 篇 朱绎桦
5 篇 孙光远
5 篇 廖聪维
4 篇 郭双
4 篇 王汉年
4 篇 赖青俊

语言

148 篇 中文

检索条件"主题词=双栅晶体管"

共 148 条记录，以下是1-10 订阅

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双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器

双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器

引用

作者：李毅达周冰程振林龙扬张国飙沈美朱泉舟 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号

本发明公开了一种双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器，其中，双栅晶体管存储单元包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置... 详细信息

标准号: CN114863967A

本发明公开了一种双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器，其中，双栅晶体管存储单元包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面；第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面。本发明采用一个晶体管作为存储单元，消除了存储电容限制存储单元缩小面积的缺陷，使得铁电存储器可以很好的应用在三维集成技术中。

关键词：介电层顶面存储单元沟道层漏极源极双栅晶体管铁电层三维集成技术铁电存储器存储电容数据读写限制存储存储器晶体管底面制作应用

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双栅晶体管存储单元及存储器

双栅晶体管存储单元及存储器

引用

作者：李毅达周冰程振林龙扬张国飙沈美朱泉舟 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号

本实用新型公开了双栅晶体管存储单元及存储器，其中，双栅晶体管存储单元包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并... 详细信息

标准号: CN217544163U

本实用新型公开了双栅晶体管存储单元及存储器，其中，双栅晶体管存储单元包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面；第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面。本实用新型采用一个晶体管作为存储单元，消除了存储电容限制存储单元缩小面积的缺陷，使得铁电存储器可以很好的应用在三维集成技术中。

关键词：介电层顶面存储单元沟道层漏极源极本实用新型双栅晶体管铁电层三维集成技术铁电存储器存储电容限制存储存储器晶体管底面应用

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一种垂直双栅晶体管的制备方法及垂直双栅晶体管

一种垂直双栅晶体管的制备方法及垂直双栅晶体管

引用

作者：杨冠华廖福锡李泠 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明涉及一种垂直双栅晶体管的制备方法及垂直双栅晶体管，属于半导体技术领域，解决了现有技术中的薄膜晶体管制造成本高的问题。该垂直双栅晶体管的制备方法包括如下步骤：依次形成第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层... 详细信息

标准号: CN118039483A

本发明涉及一种垂直双栅晶体管的制备方法及垂直双栅晶体管，属于半导体技术领域，解决了现有技术中的薄膜晶体管制造成本高的问题。该垂直双栅晶体管的制备方法包括如下步骤：依次形成第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层和第三金属层的叠层，其中，所述第一金属层和所述第三金属层分别为源极和漏极，所述第二金属层为第一栅极；刻蚀所述叠层的一侧，露出所述第一金属层形成侧壁；氧化刻蚀后的所述叠层中所述第二金属层的侧壁形成栅介质；以及通过沉积技术在所述叠层的侧壁上依次形成沟道层、沟道钝化层和第四金属层，其中，所述第四金属层为第二栅极。

关键词：金属层叠层第二金属层第一金属层双栅晶体管侧壁垂直介质层刻蚀制备半导体技术领域薄膜晶体管制造沟道钝化层沟道层栅介质沉积漏极源极

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一种基于神经网络算法的隧穿双栅晶体管特性模拟方法

一种基于神经网络算法的隧穿双栅晶体管特性模拟方法

引用

作者：何进任源李春来胡国庆刘京京潘俊王小萌何箫梦 518100 广东省深圳市高新技术产业园区南区深港产学研基地大楼东座五楼

本发明涉及一种基于神经网络算法的隧穿双栅晶体管特性模拟方法，特别地是采用三层前向结构的神经网络和对应算法来模拟隧穿双栅晶体管特性，它包括：选择的神经网络为三层前向结构，隐含层的第一层神经元数目设定为16个，隐含层的第二... 详细信息

标准号: CN110837721A

本发明涉及一种基于神经网络算法的隧穿双栅晶体管特性模拟方法，特别地是采用三层前向结构的神经网络和对应算法来模拟隧穿双栅晶体管特性，它包括：选择的神经网络为三层前向结构，隐含层的第一层神经元数目设定为16个，隐含层的第二层神经元数目为8个，输出层为第三层，神经元数目为1个，所采用的传输函数为线性函数；所有神经元采用反向传播算法，神经网络的输入个数为6，输入一组纳米隧穿双栅晶体管测量数据训练神经网络，经过训练后即可得到训练成功的神经网络。该模拟方法得到的神经网络输出数据与相应的测量数据相对误差一般在百分之一之内，大部分能达到千分之一。结果标明：神经网络模型方法比BSIM模型更准确，效率更高。

关键词：神经元神经网络双栅晶体管隧穿测量数据前向结构隐含层三层算法神经网络模型神经网络输出神经网络算法训练神经网络传输函数反向传播特性模拟线性函数相对误差第三层第一层输出层标明成功

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一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法

一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法

引用

作者：江子标刘贺李新 213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区龙资路1号

本申请涉及一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法。一种沟槽双栅晶体管原胞结构，包括导电衬底、导电外延层、P‑well结区、源结区和源区引线金属，导电外延层、P‑well结区和源结区上开设有闭环硅槽，闭环硅槽的槽壁上形成有绝缘隔离... 详细信息

标准号: CN115425086A

本申请涉及一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法。一种沟槽双栅晶体管原胞结构，包括导电衬底、导电外延层、P‑well结区、源结区和源区引线金属，导电外延层、P‑well结区和源结区上开设有闭环硅槽，闭环硅槽的槽壁上形成有绝缘隔离氧化层，闭环硅槽内设置有虚拟栅多晶硅和有效栅多晶硅，虚拟栅多晶硅与有效栅多晶硅之间还设置有虚拟栅隔离氧化层，有效栅多晶硅与源区引线金属之间还设置有效栅隔离氧化层；源结区包括交替设置的N+源结区和P+源结区，源区引线金属上开设有电连接插槽，源结区靠近源区引线金属的一侧插装在电连接插槽中。本申请的沟槽双栅晶体管原胞结构缩小了原胞的结构尺寸，减小了导通电阻、导通损耗和开关损耗高，提高了性价比。

关键词：源结栅多晶硅引线金属闭环双栅晶体管原胞结构氧化层导电硅槽源区电连接插槽虚拟外延层栅隔离结区导通电阻导通损耗交替设置绝缘隔离开关损耗靠近源槽壁插装衬底减小原胞申请制造

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一种基于垂直双栅晶体管的存取单元及其制备方法

一种基于垂直双栅晶体管的存取单元及其制备方法

引用

作者：杨冠华廖福锡李泠 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明涉及一种基于垂直双栅晶体管的存取单元及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有的DRAM数据读取效率低的问题。该制备方法包括：制备读取晶体管；通过沉积技术在读取晶体管上形成隔离层并刻蚀出通孔；在隔离层上依次形成第... 详细信息

标准号: CN117715418A

本发明涉及一种基于垂直双栅晶体管的存取单元及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有的DRAM数据读取效率低的问题。该制备方法包括：制备读取晶体管；通过沉积技术在读取晶体管上形成隔离层并刻蚀出通孔；在隔离层上依次形成第一金属层、第一介质层、第二金属层的第一叠层；刻蚀第一叠层的一侧，露出第一金属层形成侧壁；通过沉积技术在第一叠层的侧壁上依次形成沟道层、沟道钝化层和第三金属层。

关键词：叠层制备第一金属层读取晶体管隔离层侧壁刻蚀沉积半导体技术领域数据读取效率第二金属层沟道钝化层双栅晶体管存取单元沟道层介质层金属层通孔垂直

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双栅晶体管、像素驱动电路和显示面板

双栅晶体管、像素驱动电路和显示面板

引用

作者：周雷陈禧徐苗李洪濛梁苑茹 510700 广东省广州市黄埔区开源大道11号A1栋201室

本发明公开了一种双栅晶体管、像素驱动电路和显示面板。该双栅晶体管包括第一栅极、第一极和第二极；第一栅极、第一极和第二极同层设置；第一绝缘层，第一绝缘层设置于第一栅极的一侧；有源层，有源层设置于第一绝缘层远离第一栅极的... 详细信息

标准号: CN114530495A

本发明公开了一种双栅晶体管、像素驱动电路和显示面板。该双栅晶体管包括第一栅极、第一极和第二极；第一栅极、第一极和第二极同层设置；第一绝缘层，第一绝缘层设置于第一栅极的一侧；有源层，有源层设置于第一绝缘层远离第一栅极的一侧，有源层包括沟道区、第一区和第二区，沟道区设置于第一区和第二区之间，第一区与第一极连接，第二区与第二极连接；第二绝缘层，第二绝缘层的单位面积电容大于或等于第一绝缘层的单位面积电容的2倍；第二栅极，第二栅极与第一极电连接。可以在双栅晶体管用于像素驱动电路中的驱动晶体管时，提高双栅晶体管的灰阶控制能力，有利于实现像素驱动电路所在的显示面板的显示效果。

关键词：绝缘层双栅晶体管第一极像素驱动电路第一区源层单位面积电容显示面板沟道区驱动晶体管灰阶控制同层设置显示效果电连接

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制造双栅晶体管的方法

制造双栅晶体管的方法

引用

作者：巴特罗米杰·J·帕夫拉克荷兰艾恩德霍芬

制造了一种平面双栅晶体管，其中，将结晶抑制剂注入半导体晶片(10)的沟道区域(16)，所述晶片具有包括邻接非晶半导体层(12)的初始结晶半导体层(14)的叠层结构。通过加热，限制沟导区域内的非晶半导体层的局部再生长，从而允许在保持薄... 详细信息

标准号: CN101501861B

制造了一种平面双栅晶体管，其中，将结晶抑制剂注入半导体晶片(10)的沟道区域(16)，所述晶片具有包括邻接非晶半导体层(12)的初始结晶半导体层(14)的叠层结构。通过加热，限制沟导区域内的非晶半导体层的局部再生长，从而允许在保持薄的沟道的同时增大源极/漏极延伸区域的厚度。选择性地去除任何剩余的非晶材料，从而留下空腔，来允许在沟道区域的相对侧上形成栅极电极(30，32)。通过在初始结晶半导体层的两侧上提供非晶层，从而在两个方向上提供再生长限制，可以进一步利用本发明。

关键词：半导体层初始结晶沟道区域半导体晶片结晶抑制剂双栅晶体管源极/漏极再生叠层结构选择性地延伸区域栅极电极沟道晶层晶片空腔两侧

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射频开关和将双栅晶体管修改成射频开关的方法

射频开关和将双栅晶体管修改成射频开关的方法

引用

作者：爱德华·J·诺瓦克美国纽约阿芒克

本发明提供一种把双栅晶体管修改成射频开关的方法和一种射频开关。该方法把第一信号输入附加到晶体管的第一栅极上，把第二信号输入附加到晶体管的源区或漏区上，把共用栅极接触附加到第一栅极和第二栅极上，把信号输出附加到晶体管的... 详细信息

标准号: CN100495729C

本发明提供一种把双栅晶体管修改成射频开关的方法和一种射频开关。该方法把第一信号输入附加到晶体管的第一栅极上，把第二信号输入附加到晶体管的源区或漏区上，把共用栅极接触附加到第一栅极和第二栅极上，把信号输出附加到晶体管的第二栅极上，把源/漏区接触附加到附加了第二信号输入的源或漏区上，以及调制施加给共用栅极和源/漏区接触的电压以控制射频开关。

关键词：信号输入晶体管第一栅极射频开关源/漏区接触双栅晶体管信号输出成射频调制电压

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一种垂直自对准双栅晶体管及其制备方法

一种垂直自对准双栅晶体管及其制备方法

引用

作者：杨冠华廖福锡李泠 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明涉及一种垂直自对准双栅晶体管的制备方法及垂直自对准双栅晶体管，属于半导体技术领域，解决了现有技术中的薄膜晶体管制造成本高的问题。该垂直自对准双栅晶体管的制备方法包括如下步骤：依次形成第一金属层、第一介质层、第二... 详细信息

标准号: CN117594449A

本发明涉及一种垂直自对准双栅晶体管的制备方法及垂直自对准双栅晶体管，属于半导体技术领域，解决了现有技术中的薄膜晶体管制造成本高的问题。该垂直自对准双栅晶体管的制备方法包括如下步骤：依次形成第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层的叠层，其中，所述第一金属层和所述第三金属层分别为源极和漏极，所述第二金属层为栅极；刻蚀所述叠层形成凹槽，露出所述第一金属层；氧化刻蚀后的所述叠层中所述第二金属层在所述凹槽处的侧壁，形成第一栅介质和第二栅介质；向所述凹槽内填满半导体材料形成沟道层；以及通过沉积技术在所述沟道层上形成沟道钝化层。

关键词：第二金属层第一金属层双栅晶体管自对准叠层垂直沟道层介质层金属层栅介质刻蚀制备半导体材料半导体技术领域薄膜晶体管制造沟道钝化层凹槽处侧壁漏极填满源极沉积

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