检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2014年第19期63卷 255-261页

作者：王晓晗郭红霞雷志锋郭刚张科营高丽娟张战刚工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州510610 西北核技术研究所西安710024 中国原子能科学研究院北京102413

文章提出了一种基于蒙特卡洛和器件仿真的存储器单粒子翻转截面获取方法,可以准确计算存储器单粒子效应,并定位单粒子翻转的灵敏区域.基于该方法,计算了国产静态存储器和现场可编程门阵列(FPGA)存储区的单粒子效应的截面数据,仿真结果... 详细信息

文章提出了一种基于蒙特卡洛和器件仿真的存储器单粒子翻转截面获取方法,可以准确计算存储器单粒子效应,并定位单粒子翻转的灵敏区域.基于该方法,计算了国产静态存储器和现场可编程门阵列(FPGA)存储区的单粒子效应的截面数据,仿真结果和重离子单粒子效应试验结果符合较好.仿真计算揭示了器件单粒子翻转敏感程度与器件n,p截止管区域面积相关的物理机理,并获得了不同线性能量转移(LET)值下单粒子翻转灵敏区域分布.采用蒙特卡洛方法计算了具有相同LET、不同能量的离子径迹分布,结果显示高能离子的电离径迹半径远大于低能离子,而低能离子径迹中心的能量密度却要高约两到三个数量级.随着器件特征尺寸的减小,这种差别的影响将会越来越明显,阈值LET和饱和截面将不能完全描述器件单粒子效应结果.

关键词：蒙特卡罗单粒子翻转器件仿真 LET值

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基于0.35μm CMOS工艺的APD器件仿真分析

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半导体光电 2015年第6期36卷 888-891,908页

作者：王巍杜超雨王婷鲍孝圆陈丽王冠宇王振黄义重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院重庆400065

提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p^+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析。仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边... 详细信息

提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p^+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析。仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿。CMOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65A/W,最大内部量子效率达到90%以上,响应速度能够达到6.3GHz,在400~900nm波长范围内,能够得到很大的响应度。

关键词： 0.35μm CMOS工艺雪崩光电二极管器件仿真边缘击穿保护环

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4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真

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电力电子技术 2011年第9期45卷 35-37页

作者：张海鹏齐瑞生王德君王勇杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室浙江杭州310018 大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院辽宁大连116024 杭州汉安半导体有限公司浙江杭州310018

4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点。为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管。采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿... 详细信息

4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点。为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管。采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿真结果表明,与具有类似参数的传统4H-SiC JBS相比,该器件具有更低的通态电阻、更小的反向泄漏电流及更低的静态功耗,更适合高频大功率低功耗电力电子系统应用。

关键词：碳化硅功率器件电学特性器件仿真

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器件仿真的云计算实验教学平台实现

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大众科技 2016年第9期18卷 18-19,37页

作者：旷明顺李长生湖南文理学院物电学院湖南常德415000

随着网络计算技术的日渐发展和成熟,逐渐演变成现今为大家所熟知的云计算,云计算实验平台对于虚拟实验技术的发展起到重要作用。文章基于虚拟科研组织nano HUB的虚拟计算技术进行云计算实验平台搭建,实现了专业微电子模拟软件在云计算... 详细信息

随着网络计算技术的日渐发展和成熟,逐渐演变成现今为大家所熟知的云计算,云计算实验平台对于虚拟实验技术的发展起到重要作用。文章基于虚拟科研组织nano HUB的虚拟计算技术进行云计算实验平台搭建,实现了专业微电子模拟软件在云计算教学实验平台的在线实验,为云计算在器件虚拟仿真实验教学和研究提供了新的解决方案。

关键词：器件仿真在线实验云计算

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TKScope嵌入式仿真开发平台讲座(18) TKScope推出多ARM器件仿真解决方案

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今日电子 2010年第11期 40-41页

随着ARM的普及和广泛使用，越来越多的用户将会涉及到ARM器件仿真问题。广州致远电子有限公司，国内知名专业仿真器提供厂商，旗下TKScope仿真器广泛使用在通信、手机、航天、工控、军工、汽车、家电等高要求领域.

关键词：器件仿真 ARM 真解仿真器通信手机

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基于HPVEE的数字电路器件仿真及其在测试上的应用

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计算机自动测量与控制 2000年第2期8卷 26-28页

作者：王格方孟亚峰李合平付建三总装军械工程学院研究生队石家庄050000

介绍了使用HPVEE (图形编程语言 )进行通用数字集成电路 (包括组合电路和时序电路 )器件仿真的方法 ,给出了利用该仿真电路实现通用数字集成电路的在线测试与故障诊断的具体实例。

关键词： HPVEEE语言数字集成电路测试器件仿真

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基于器件仿真的参数提取方法研究

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现代电子技术 2010年第8期33卷 6-8页

作者：方勇吴龙胜韩本光陈超唐威西安微电子技术研究所陕西西安710054

介绍器件参数提取的意义,并对基于工艺的参数提取和基于器件仿真的参数提取两种方法进行了比较。根据0.35μmSOI CMOS工艺参数,构造出部分耗尽SOI NMOS结构。基于BSI MSOI模型采用局部优化,单器件提取的策略进行参数提取。最后通过将仿... 详细信息

介绍器件参数提取的意义,并对基于工艺的参数提取和基于器件仿真的参数提取两种方法进行了比较。根据0.35μmSOI CMOS工艺参数,构造出部分耗尽SOI NMOS结构。基于BSI MSOI模型采用局部优化,单器件提取的策略进行参数提取。最后通过将仿真与实际测试得到的参数比较,验证了该方法的准确性。

关键词： SOI 参数提取器件仿真工艺参数

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TKScope嵌入式仿真开发平台讲座(18) TKScope推出多ARM器件仿真解决方案

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单片机与嵌入式系统应用 2010年第8期10卷 84-85页

作者：广州致远电子有限公司广州致远电子有限公司

随着ARM的普及和广泛使用,越来越多的用户将会涉及到ARM器件仿真问题.广州致远电子有限公司是国内知名的专业仿真器提供厂商,旗下TKScope仿真器广泛使用在通信、手机、航天、工控、军工、汽车、家电等高要求领域,支持ARM7、ARM9、ARM11... 详细信息

随着ARM的普及和广泛使用,越来越多的用户将会涉及到ARM器件仿真问题.广州致远电子有限公司是国内知名的专业仿真器提供厂商,旗下TKScope仿真器广泛使用在通信、手机、航天、工控、军工、汽车、家电等高要求领域,支持ARM7、ARM9、ARM11、Cortex-M0、Cortex-M1、Cortex-M3、XScale等多种ARM内核;与当前全部主流IDE环境无缝嵌接,如TKStudio、Keil、ADS、IAR、RealView、GDB等.

关键词： ARM7 器件仿真嵌入式仿真开发平台 RealView 真解讲座 ARM内核

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TKScope嵌入式仿真开发平台讲座(7) TKScope支持JTAG菊花链连接的多器件仿真——TKScope仿真菊花链结构配置指南

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单片机与嵌入式系统应用 2009年第9期9卷 82-83页

作者：广州致远电子有限公司广州致远电子有限公司

对于一个复杂的嵌入式系统,单个ARM器件往往不能满足实际的要求,可能需要多个ARM器件的协调配合才能完成用户设定的任务.

关键词：器件仿真配置指南 JTAG 链结构链连接菊花嵌入式系统协调配合

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TKScope推出多ARM器件仿真解决方案

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今日电子 2010年第11期 40-41页

随着ARM的普及和广泛使用,越来越多的用户将会涉及到ARM器件仿真问题.广州致远电子有限公司,国内知名专业仿真器提供厂商,旗下TKScope仿真器广泛使用在通信、手机、航天、工控、军工、汽车、家电等高要求领域,支持多种ARM内核:ARM7、ARM... 详细信息

随着ARM的普及和广泛使用,越来越多的用户将会涉及到ARM器件仿真问题.广州致远电子有限公司,国内知名专业仿真器提供厂商,旗下TKScope仿真器广泛使用在通信、手机、航天、工控、军工、汽车、家电等高要求领域,支持多种ARM内核:ARM7、ARM9、ARM11、Cortex-MO、Codex-M1、Cortex-M3、XSCALE;与当前全部主流IDE环境无缝嵌接,如TKStudio、Keil、ADS、IAR、RealView、GDB等.

关键词： ARM内核器件仿真仿真器有限公司无缝嵌接 XSCALE 问题通信手机汽车军工家电环境航天广州电子厂商 ARM9 ARM7 IDE

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