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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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9 篇 专利

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9 篇 电子文献
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日期分布

机构

3 篇 半导体元件工业有...
1 篇 复旦大学
1 篇 天津大学
1 篇 德淮半导体有限公...
1 篇 陕西格芯国微半导...
1 篇 意法半导体公司
1 篇 台湾积体电路制造...

作者

3 篇 m·j·斯特德曼
3 篇 s·c·丹尼
3 篇 s·沙玛
1 篇 张卫
1 篇 孙清清
1 篇 史再峰
1 篇 朱婧瑀
1 篇 高静
1 篇 何振宇
1 篇 高翔
1 篇 徐江涛
1 篇 熊望明
1 篇 刘洋
1 篇 f·罗伊
1 篇 许慈轩
1 篇 高敏峰
1 篇 陈琳
1 篇 王天宇

语言

9 篇 中文

检索条件"主题词=堆叠图像传感器"

共 9 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

堆叠图像传感器中的像素控制信号验证

堆叠图像传感器中的像素控制信号验证

引用

作者： M·J·斯特德曼 S·C·丹尼 S·沙玛美国

本发明题为“堆叠图像传感器中的像素控制信号验证”。本发明公开了一种图像传感器，该图像传感器可由堆叠的第一衬底和第二衬底形成。成像像素阵列和验证电路可形成在第一衬底中。行控制电路可形成在第二衬底中。行控制电路可将行控制... 详细信息

标准号: CN118101927A

本发明题为“堆叠图像传感器中的像素控制信号验证”。本发明公开了一种图像传感器，该图像传感器可由堆叠的第一衬底和第二衬底形成。成像像素阵列和验证电路可形成在第一衬底中。行控制电路可形成在第二衬底中。行控制电路可将行控制信号提供到成像像素阵列。验证电路还可从行控制电路接收行控制信号。第一衬底可包括多个n沟道金属氧化物半导体晶体管，并且可不包括任何p沟道金属氧化物半导体晶体管。验证电路可包括SR锁存电路，该SR锁存电路具有耦接到上拉线的S节点和耦接到下拉晶体管的R节点以确保SR锁存电路在置位状态下启动。验证电路可包括电平移位器，电平移位器在控制信号处于低电平时使控制信号电压移位。

关键词：衬底验证电路行控制电路锁存电路成像像素阵列电平移位器图像传感器控制信号金属氧化物半导体晶体管堆叠图像传感器像素控制信号使控制信号下拉晶体管行控制信号电压移位置位状态接收行低电堆叠拉线验证

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堆叠图像传感器中的像素控制信号验证

堆叠图像传感器中的像素控制信号验证

引用

作者： M·J·斯特德曼 S·C·丹尼 S·沙玛美国亚利桑那

标准号: CN111526355B

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堆叠图像传感器中的像素控制信号验证

堆叠图像传感器中的像素控制信号验证

引用

作者： M·J·斯特德曼 S·C·丹尼 S·沙玛美国亚利桑那

标准号: CN111526355A

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堆叠图像传感器及其制备方法

堆叠图像传感器及其制备方法

引用

作者：高翔熊望明 223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

本发明提供一种堆叠图像传感器及其制备方法，堆叠图像传感器包括：光电二极管晶圆，光电二极管晶圆内形成有光电二极管；逻辑晶圆，键合于光电二极管晶圆上，逻辑晶圆内形成有图像传感器电路结构；硅通孔互连结构，位于光电二极管晶圆... 详细信息

标准号: CN110233159A

本发明提供一种堆叠图像传感器及其制备方法，堆叠图像传感器包括：光电二极管晶圆，光电二极管晶圆内形成有光电二极管；逻辑晶圆，键合于光电二极管晶圆上，逻辑晶圆内形成有图像传感器电路结构；硅通孔互连结构，位于光电二极管晶圆及所述逻辑晶圆内，且将光电二极管与图像传感器电路结构电连接。本发明的堆叠图像传感器通过将光电二极管与图像传感器电路结构分别形成于不同的晶圆中，可以增大光电二极管的受光面积，同时可以避免光电二极管产生的电子对图像传感器电路结构的信号产生干扰，还可以避免对堆叠图像传感器的满阱容量造成影响，避免串扰及图像滞后。

关键词：光电二极管晶圆堆叠图像传感器图像传感器电路互连结构信号产生电连接硅通孔串扰键合受光制备图像滞后

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用于堆叠图像传感器器件的新型保护二极管结构

用于堆叠图像传感器器件的新型保护二极管结构

引用

作者：高敏峰许慈轩中国台湾新竹

本公开涉及用于堆叠图像传感器器件的新型保护二极管结构。将传感器晶圆的第一侧面接合到第一逻辑晶圆的第一侧面。传感器晶圆包含像素，该像素被配置为检测通过传感器晶圆的与第一侧面相反的第二侧面进入传感器晶圆的辐射。第一逻辑晶... 详细信息

标准号: CN116564978A

本公开涉及用于堆叠图像传感器器件的新型保护二极管结构。将传感器晶圆的第一侧面接合到第一逻辑晶圆的第一侧面。传感器晶圆包含像素，该像素被配置为检测通过传感器晶圆的与第一侧面相反的第二侧面进入传感器晶圆的辐射。第一逻辑晶圆包含被配置为操作像素的电路。传感器晶圆或第一逻辑晶圆包含保护二极管。从第一逻辑晶圆的与第一侧面相反的第二侧面将第一逻辑晶圆变薄。在第一逻辑晶圆中形成穿衬底通孔(TSV)。保护二极管保护传感器晶圆或第一逻辑晶圆在TSV形成期间免受损坏。将第一逻辑晶圆的第二侧面接合到第二逻辑晶圆。从传感器晶圆的第二侧面将传感器晶圆变薄。

关键词：晶圆传感器侧面像素接合变薄堆叠图像传感器二极管保护二极管结构二极管新型保护衬底配置通孔电路辐射检测

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一种高速3D堆叠图像传感器

一种高速3D堆叠图像传感器

引用

作者：刘洋 712000 陕西省西安市西咸新区沣东新城能源金贸区起步区一期西咸金融港4-B1楼1楼101室

本发明公开了一种高速3D堆叠图像传感器。光电莫特忆阻器与传统（数模转换）AD电路相比，在功能上光电莫特忆阻器可以直接将光信号转变成频率脉冲信号，实现光信号感知、信号转换一体化。在结构上，莫特忆阻器是三维立体垂直结构，可以... 详细信息

标准号: CN116013944A

本发明公开了一种高速3D堆叠图像传感器。光电莫特忆阻器与传统（数模转换）AD电路相比，在功能上光电莫特忆阻器可以直接将光信号转变成频率脉冲信号，实现光信号感知、信号转换一体化。在结构上，莫特忆阻器是三维立体垂直结构，可以做成阵列结构，并根据需要进一步形成多层立体堆叠结构，而传统AD难以堆叠，它是平面结构，占芯片面积规模很大；其次，莫特器件单元尺寸非常小，可以做大规模阵列，一次性处理，在面积和体积上优势非常明显；在芯片3D堆叠结构中，解决了传统（数模转换）AD无法克服的芯片引线互联问题。尤其适用于3D堆叠结构的图像传感器。

关键词：忆阻器堆叠结构数模转换堆叠图像传感器芯片立体堆叠结构频率脉冲信号大规模阵列图像传感器一次性处理垂直结构面积规模平面结构器件单元三维立体芯片引线信号感知信号转变信号转换阵列结构面积和堆叠多层互联一体化

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具有由掺杂半导体材料制成的互连的堆叠图像传感器

具有由掺杂半导体材料制成的互连的堆叠图像传感器

引用

作者： F·罗伊法国克洛尔

本公开的实施例涉及一种具有由掺杂半导体材料制成的互连的堆叠图像传感器。该图像传感器包括第一半导体衬底，该第一半导体衬底支撑光电二极管以及转移晶体管的源极区。该第一半导体衬底上的第一互连级包括在该第一半导体衬底上的互连... 详细信息

标准号: CN206907769U

本公开的实施例涉及一种具有由掺杂半导体材料制成的互连的堆叠图像传感器。该图像传感器包括第一半导体衬底，该第一半导体衬底支撑光电二极管以及转移晶体管的源极区。该第一半导体衬底上的第一互连级包括在该第一半导体衬底上的互连电介质层以及在该互连电介质层上方的互连线路层。支撑读出晶体管的第二半导体衬底安装在该第一半导体衬底和该第一互连级上方。该第一互连级进一步包括与该第一半导体衬底中的该源极区物理接触且电接触的第一掺杂半导体材料电连接，该第一掺杂半导体材料电连接穿过该互连电介质层和这些互连线路层以便电连接至这些读出晶体管中的至少一个晶体管。

关键词：半导体衬底掺杂半导体材料互连电介质层电连接互连级读出晶体管互连线路源极区堆叠图像传感器光电二极管图像传感器转移晶体管衬底支撑物理接触电接触晶体管互连穿过支撑

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基于分块并行容错结构的3D堆叠图像传感器

基于分块并行容错结构的3D堆叠图像传感器

引用

作者：高静朱婧瑀徐江涛史再峰 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为减小连接通路上μbump、TSV等发生故障造成的图像质量下降的问题，在图像处理模块ISP中使用基于2*2像素块故障的检测算法可以有效检测出失效点，从而更容易地修复故障点，得到较好的输出图像。为此... 详细信息

标准号: CN109246372A

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为减小连接通路上μbump、TSV等发生故障造成的图像质量下降的问题，在图像处理模块ISP中使用基于2*2像素块故障的检测算法可以有效检测出失效点，从而更容易地修复故障点，得到较好的输出图像。为此，本发明采取的技术方案是，基于分块并行容错结构的3D堆叠图像传感器，像素阵列以2像素*2像素小单元的形式分块，每个小单元的中心通过微凸金属块μbump连接到信号线上，不同的信号线连接到下层不同的模数转换器ADC上，每个ADC再经由各自的硅通孔TSV通路连接到图像处理模块ISP层中。本发明主要应用于集成电路设计制造场合。

关键词：图像处理模块小单元分块像素模拟集成电路设计堆叠图像传感器集成电路设计模数转换器信号线连接发生故障检测算法连接通路容错结构输出图像通路连接像素阵列有效检测质量下降故障点硅通孔金属块失效点像素块信号线减小微凸下层并行图像修复应用制造

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基于微互连的3D堆叠图像传感器及其制备方法

基于微互连的3D堆叠图像传感器及其制备方法

引用

作者：陈琳王天宇何振宇孙清清张卫 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于微互连的3D堆叠图像传感器及其制备方法。本发明传感器包括相互键合的顶部晶圆和底部晶圆；其中，在顶部晶圆的上表面以一定间距形成有互连线，在底部晶圆的上表面以相同间距形成有互连线及微... 详细信息

标准号: CN108447881A

本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于微互连的3D堆叠图像传感器及其制备方法。本发明传感器包括相互键合的顶部晶圆和底部晶圆；其中，在顶部晶圆的上表面以一定间距形成有互连线，在底部晶圆的上表面以相同间距形成有互连线及微凸块，所述顶部晶圆的连线与所述底部晶圆的微凸块相互对应连接，在所述顶部晶圆与所述底部晶圆之间的空隙填充有绝缘材料；顶部晶圆背面安装有彩色滤光片和微透镜。本发明利用上下两衬底互连的结构制备了新型3D堆叠图像传感器，有效解决了传统TSV技术不适用于光电二极管阵列的问题，具有理想的全局快门功能，能够实现超过160dB的寄生光灵敏度和超高速捕获等。

关键词：晶圆堆叠图像传感器互连线上表面微凸块互连制备半导体技术领域光电二极管阵列全局快门功能彩色滤光片发明传感器光灵敏度晶圆背面绝缘材料空隙填充有效解决超高速微透镜衬底寄生键合连线捕获

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