检索结果-内蒙古大学图书馆

电气工程学报 2016年第1期11卷 1-11页

作者：朱梓悦秦海鸿董耀文严仰光徐华娟多电飞机电气系统工业和信息化部重点实验室南京210016

电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究... 详细信息

电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨,并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。

关键词：宽禁带半导体器件碳化硅氮化镓

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宽禁带半导体器件的隔离式正负压驱动供电SiP模块

宽禁带半导体器件的隔离式正负压驱动供电SiP模块

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作者：雷建明金涛陈敦军 215500 江苏省苏州市常熟市碧溪街道研究院路7号

本发明提供了一种宽禁带半导体器件的隔离式正负压驱动供电SiP模块，其特征在于，包括开环控制器、第一场效应管Q1、第二场效应管Q2、变压器T1、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电容C1、第二电容C2、稳压二极管ZD1和电阻R1。这种宽禁... 详细信息

标准号: CN117175949A

本发明提供了一种宽禁带半导体器件的隔离式正负压驱动供电SiP模块，其特征在于，包括开环控制器、第一场效应管Q1、第二场效应管Q2、变压器T1、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电容C1、第二电容C2、稳压二极管ZD1和电阻R1。这种宽禁带半导体器件的隔离式正负压驱动供电SiP模块，它能够分级输出多种电压，如±6.5V、±13V，特别适合宽禁带半导体器件的驱动。与传统方案相比，这种新方案的尺寸缩小了至少50％，并通过高度集成和高频化控制实现了核心技术的有效保护。这不仅提高了驱动的稳定性和可靠性，还为第三代宽禁带半导体器件的广泛应用打开了新的可能性。

关键词：宽禁带半导体器件驱动二极管场效应管电容隔离式正负压开环控制器稳压二极管供电尺寸缩小高度集成核心技术第三代高频化电阻分级变压器输出应用

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宽禁带半导体器件的发展

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中国电子科学研究院学报 2006年第1期1卷 6-10页

作者：毕克允李松法中国公司电子科学研究院北京100041 中电科技集团公司第13研究所石家庄050051

概要介绍了宽禁带半导体器件的近期发展情况。AlGaN/GaN微波功率HEMT、蓝光激光器和紫外探测器在军用电子系统中具有特殊重要的应用价值,同时在民用领域也有良好的应用前景和广阔的市场。简要描述了它们的技术特点,以及在相控阵雷达、... 详细信息

概要介绍了宽禁带半导体器件的近期发展情况。AlGaN/GaN微波功率HEMT、蓝光激光器和紫外探测器在军用电子系统中具有特殊重要的应用价值,同时在民用领域也有良好的应用前景和广阔的市场。简要描述了它们的技术特点,以及在相控阵雷达、电子战系统、精确制导、水下光通信和探测系统中的应用前景。

关键词：宽禁带半导体器件相控阵雷达电子战系统水下光通信精确制导

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基于新型宽禁带半导体器件变流系统特性及应用技术研究

基于新型宽禁带半导体器件变流系统特性及应用技术研究

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作者：赵相冶金自动化研究设计院

学位级别：硕士

本课题基于国家重点研发计划项目“工业流程用高效电机系统”,针对新型宽禁带半导体器件变流系统特性及应用技术进行研究。随着电机转速的不断提高,电机功率的不断增大,电机系统对电力电子器件的要求日益增高。目前PWM变流系统通常使用... 详细信息

本课题基于国家重点研发计划项目“工业流程用高效电机系统”,针对新型宽禁带半导体器件变流系统特性及应用技术进行研究。随着电机转速的不断提高,电机功率的不断增大,电机系统对电力电子器件的要求日益增高。目前PWM变流系统通常使用硅基电力电子器件,通常具有低开关频率和高开关损耗的特点,会导致大转矩脉动、长死区时间、大电压谐波、低系统效率等一系列问题。这些问题制约了电机系统在电压应力、开关频率、功率密度以及效率等方面的进一步优化,所以电机系统需要电气性能更好的新型电力电子器件。由于新型宽禁带半导体材料(SiC、GaN等)出色的物理、材料特性,为解决上述问题提供了可能,基于新型宽禁带半导体器件变流系统特性及应用技术研究已成为学科领域的热点课题,具有重要的理论意义和现实意义。本文首先介绍了四代电力电子器件的发展史,然后进行了常用电力电子材料特性对比分析,量化指出了第四代宽禁带半导体器件材料的性能优势,分析了宽禁带半导体器件和宽禁带半导体器件变流系统的国内外研究状况。本文以新型宽禁带半导体器件碳化硅MOSFET为研究对象,详细比较了碳化硅MOSFET模块与IGBT模块的性能。与IGBT相比,碳化硅MOSFET具有开关频率高、开关速度快、开关损耗小的优势。本课题开发了一套50k VA新型宽禁带半导体器件高效率、高功率密度变流系统,为减小换流系统的体积,本文对变流系统的层叠母排进行了优化设计。为了增强变流系统的散热能力,对散热冷却系统进行优化设计,并对整个换流系统的结构优化设计以减小体积,最终使得换流系统的功率密度更高。本文基于超稳定性设计原理设计了经典模型参考自适应系统。为改善高效电机系统的性能,加快控制系统响应速度,使电机系统遭受负载扰动时抵抗力更强,本文设计了小脑神经网络优化的模型参考自适应电机控制系统,并进行了仿真验证。本文将高功率密度新型功率器件变流系统与小脑神经网络优化的模型参考自适应电机控制系统结合搭建了高效电机系统实验平台进行实验,并对系统性能进行评价。仿真结果与实验结果表明,本课题设计的高效电机系统在系统稳定性、抗负载扰动性能和鲁棒性方面表现较好,满足电机系统动态性能的需求,具有重要的理论价值和工程实际意义。

关键词：宽禁带半导体器件变流系统 MARS 无传感器控制技术小脑神经网络永磁同步电机

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宽禁带半导体器件及其制备方法

宽禁带半导体器件及其制备方法

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作者：星野政宏张乐年 318000 浙江省台州市开发大道东段818号3幢4层西侧

本发明提供了一种宽禁带半导体器件及其制作方法，属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。本宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片和使用宽禁带半导体材料制成的底座，并在所... 详细信息

标准号: CN104241372B

本发明提供了一种宽禁带半导体器件及其制作方法，属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。本宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片和使用宽禁带半导体材料制成的底座，并在所述的底座上设有放置芯片的凹槽结构。本发明还提供了一种制作本宽禁带半导体器件的方法。本发明的宽禁带半导体器件的芯片衬底和底座均采用宽禁带半导体材料制成，能够达到快速散热的目的；同时由于热膨胀系数和散热系数基本相同，因此不需要在底部或者附属配件上增加调整热膨胀系数的各种材料，极大的简化了宽禁带半导体器件结构，减小了热膨胀的影响，提高了稳定性。

关键词：宽禁带半导体器件宽禁带半导体材料底座热膨胀系数芯片衬底热膨胀半导体制备凹槽结构附属配件快速散热散热系数受热膨胀减小制作

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基于第三代宽禁带半导体器件的电源输入侧整流电路

基于第三代宽禁带半导体器件的电源输入侧整流电路

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作者：周祥兵高潮郭慧韩佳乐顾裕谭汪瑞 225004 江苏省扬州市广陵区龙泉路16号

本发明公开了一种基于第三代宽禁带半导体器件的电源输入侧整流电路，采用两个第三代宽禁带半导体器件和两个硅基晶闸管，其中两个第三代宽禁带半导体器件共源极连接，两个硅基晶闸管共阴极连接。该电路利用了第三代宽禁带半导体器件导... 详细信息

标准号: CN116647135A

本发明公开了一种基于第三代宽禁带半导体器件的电源输入侧整流电路，采用两个第三代宽禁带半导体器件和两个硅基晶闸管，其中两个第三代宽禁带半导体器件共源极连接，两个硅基晶闸管共阴极连接。该电路利用了第三代宽禁带半导体器件导通电阻小、器件尺寸小的特点，同时利用了硅基晶闸管的延时可控导通功能，并使晶闸管直接将浪涌抑制电阻短路，不再需要继电器。最终使电源输入侧的整流工作损耗下降至一半以下，尺寸减小至少1/3。另外，该电路中的第三代宽禁带半导体器件还实现了自驱动功能，无需第三方供电，且正负半周自动完成转换，电路十分简单，成本低。

关键词：宽禁带半导体器件第三代晶闸管硅基电路电源输入继电器浪涌抑制电阻共阴极连接共源极连接尺寸减小导通电阻工作损耗延时可控整流电路正负半周自动完成第三方自驱动短路导通供电转换

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一种宽禁带半导体器件结构及制备方法

一种宽禁带半导体器件结构及制备方法

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作者：郝梦龙邹子文孙一苇 210018 江苏省南京市玄武区四牌楼2号

本发明涉及一种宽禁带半导体器件结构及制备方法，该宽禁带半导体器件结构从下到上依次为包括衬底层、过渡层、宽禁带半导体材料层、漏极、源极、势垒层、栅极和钝化层，其中钝化层中间部分设计有储存固态固液相变材料的微腔，且微腔设... 详细信息

标准号: CN118099112A

本发明涉及一种宽禁带半导体器件结构及制备方法，该宽禁带半导体器件结构从下到上依次为包括衬底层、过渡层、宽禁带半导体材料层、漏极、源极、势垒层、栅极和钝化层，其中钝化层中间部分设计有储存固态固液相变材料的微腔，且微腔设置在有源区顶端的近结区。本发明中，微腔内设计有微柱列，起到提供力学支撑、增大和相变材料的接触面积从而强化传热的作用。本发明通过结构设计将相变材料吸/储热技术应用到宽禁带半导体器件内部的近结区顶端，极大降低了散热热阻，有效降低了有源区的峰值温度并减小了结温的波动。相比传统的宽禁带半导体器件的结构设计，可以进一步提高功率器件的功率密度，维持器件工作时性能的可靠性与稳定性。

关键词：宽禁带半导体器件微腔相变材料钝化层结区源区宽禁带半导体材料固液相变材料功率器件技术应用力学支撑强化传热散热热阻衬底层传统的过渡层势垒层储热减小漏极微柱源极制备储存

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一种宽禁带半导体器件及制备方法

一种宽禁带半导体器件及制备方法

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作者：王磊唐蕴朱慧平张学文李博 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所

本发明提供了一种宽禁带半导体器件及制备方法，该宽禁带半导体器件包括：衬底；位于衬底一侧的外延层；位于衬底与外延层之间的P型层；其中，P型层中具有空穴，当单粒子入射到该宽禁带半导体器件中后，外延层中会产生大量的非平衡载流... 详细信息

标准号: CN118053901A

本发明提供了一种宽禁带半导体器件及制备方法，该宽禁带半导体器件包括：衬底；位于衬底一侧的外延层；位于衬底与外延层之间的P型层；其中，P型层中具有空穴，当单粒子入射到该宽禁带半导体器件中后，外延层中会产生大量的非平衡载流子，从而产生极高的电流脉冲，P型层中的空穴会消耗外延层产生的非平衡载流子，从而降低电流脉冲的强度，进一步的抑制单粒子烧毁效应的发生。

关键词：外延层宽禁带半导体器件衬底非平衡载流子空穴电流脉冲单粒子入射制备烧毁消耗

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一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统

一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统

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作者：孙鹏李沫汤戈龙衡李倩陈飞良代刚张健 621999 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应... 详细信息

标准号: CN106771952A

本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模拟伽马射线等辐射源作用于半导体器件的辐射电离效应，填补了宽禁带半导体器件的辐射电离效应激光模拟系统的空白，且该系统具有结构紧凑、安全性高等特点，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的对宽禁带半导体器件进行抗辐射加固设计提供了有效手段。

关键词：宽禁带半导体器件电离激光模拟系统半导体器件短波长辐射伽马射线脉冲激光辐照能量监测系统辐射源控制系统脉冲激光试验成本试验效率衰减系统显微成像有效手段抗辐射测试填补

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一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法

一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法

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作者：孙瑞泽梁永齐赵策洲蔡宇韬新加坡肯特岗

本发明公开了一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法，其中，所述宽禁带半导体器件的材料为III‑V族宽禁带半导体材料，该材料由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层和合金势垒层，所述方法包括以下步骤：步骤一，沉积钝化层；步... 详细信息

标准号: CN109216171A

本发明公开了一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法，其中，所述宽禁带半导体器件的材料为III‑V族宽禁带半导体材料，该材料由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层和合金势垒层，所述方法包括以下步骤：步骤一，沉积钝化层；步骤二，涂覆光刻胶，并形成光刻胶窗口；步骤三，刻蚀钝化层，并形成钝化层窗口；步骤四，涂覆纳米球；步骤五，形成纳米凹槽；步骤六，涂覆光刻胶，并形成光刻胶窗口；步骤七，电子束蒸发或磁控溅射多层金属；步骤八，多层金属的剥离；步骤九，快速热退火，形成欧姆接触。本发明的方法极大增加电极金属与宽禁带半导体的接触面积，降低宽禁带半导体器件的欧姆接触电阻，增强了器件性能，提高工艺效率，降低了工艺成本。

关键词：光刻胶宽禁带半导体器件涂覆欧姆接触电阻多层金属宽禁带半导体材料宽禁带半导体沉积钝化层电子束蒸发刻蚀钝化层快速热退火磁控溅射电极金属工艺成本工艺效率纳米凹槽欧姆接触器件性能钝化层沟道层缓冲层纳米球势垒层衬底合金剥离

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