检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2005年第3期35卷 305-307页

作者：肖志强向军利衡草飞陈林曾天志陈万军张波电子科技大学IC设计中心

提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOSFET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%... 详细信息

提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOSFET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%,显示出很好的QgdRds(on)改善性能;同时,反向恢复电荷减少了40.76%。

关键词： VDMOS FET 栅电荷密勒电容导通电阻反向恢复电荷

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一种具有低密勒电容的IGBT新结构设计

一种具有低密勒电容的IGBT新结构设计

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作者：胡汶金电子科技大学

学位级别：硕士

IGBT结合了MOSFET器件和双极型晶体管的优点,作为能源变换与电力传输系统的关键器件,被广泛应用于消费电子、交通运输及国防科技等涵盖个人生活及国家发展的各个领域。受到市场需求的影响,业内研究人员一直向着降低IGBT开关损耗、提高I... 详细信息

IGBT结合了MOSFET器件和双极型晶体管的优点,作为能源变换与电力传输系统的关键器件,被广泛应用于消费电子、交通运输及国防科技等涵盖个人生活及国家发展的各个领域。受到市场需求的影响,业内研究人员一直向着降低IGBT开关损耗、提高IGBT工作频率和提高IGBT可靠性的方向进行探索和研究,改善IGBT开启损耗EON与电磁干扰噪声EMI噪声之间的矛盾关系已成为当前国内外设计人员研究IGBT的热点和难点,其中减小IGBT的密勒电容是改善该折中关系的重要方向之一。基于此,本文提出了一种可以有效减小IGBT密勒电容的新结构,并进一步提升IGBT的电学性能。本文的主要研究内容如下:1、提出了一种具有多晶硅二极管栅极结构的槽栅IGBT新结构（Poly silicon Diodes Gate structure for trench gate IGBT,PDG-TIGBT）。该结构在传统槽栅IGBT的N+POLY栅极和槽栅底部之间引入作为缓冲层的P+POLY栅极和用于实现多晶硅二极管结构的P-POLY栅极,P-POLY硅栅可以与IGBT的N-漂移区相互耗尽形成栅内耗尽电容,在较高的集电极电压下减小器件的密勒电容并抬高槽栅附近的电位Vacc。仿真结果表明,与传统FS-TIGBT对比,所提结构在栅极电阻为80Ω、集电极电压VCE为600 V的情况下,密勒电容CGC降低70.7%,槽栅底部电位Vacc抬升146%。密勒电容和槽栅附近初始电位两个电学参数的改善进一步优化了IGBT的开启特性与EMI噪声特性之间的折中关系。仿真结果显示,在器件开启瞬态,槽栅底部电位增长速度d Vacc/dt减小23.5%,集电极电流变化速率最大值d ICE/dt（max）减小45.8%,并且在EON保持一致的前提下,PDG-TIGBT的d ICE/dt（max）减小了84.2%,d VKA/dt（max）下降了44.4%。2、对PDG-TIGBT进行工艺制程与版图的设计。在传统工艺制程的基础上,结合所提结构的特点,制定了较为恰当的工艺流程。同时对N-漂移区的厚度与电阻率、P型基区的注入剂量、沟槽栅极的深度、FS层的厚度与电阻率以及P+集电区注入剂量这几个工艺关键参数进行仿真拉偏与优化,得到一组满足IGBT击穿电压、阈值电压及正向导通压降的设计指标的元胞工艺参数。在此基础上,采用等位环、场限环与场板结合的结构实现对所提结构终端的设计,并通过调整环间距以满足终端的耐压需求。最后,完成PDG-TIGBT的版图设计。

关键词：槽栅IGBT 多晶二极管密勒电容电磁干扰 EON~EMI折中

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SiC MOSFET密勒电容分析及影响

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电子元器件与信息技术 2019年第4期 95-99页

作者：孙铭泽李建成李乐乐农恩宁湘潭大学物理与光电工程学院国防科技大学电子科学与工程学院

SiC材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特点。已成为Si功率器件的良好替代品,广泛应用在电力电子领域。随着开关频率的提高,原本在Si基中可以忽略的寄生参数在SiC中显得尤为重要。寄生参数决定了SiC功率器件的损耗,更是决定了... 详细信息

SiC材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特点。已成为Si功率器件的良好替代品,广泛应用在电力电子领域。随着开关频率的提高,原本在Si基中可以忽略的寄生参数在SiC中显得尤为重要。寄生参数决定了SiC功率器件的损耗,更是决定了器件使用的条件。本文进行理论加仿真进行验证,详细分析了SiCMOSFET开关过程中密勒平台形成的原因,以及密勒电容带来的上下桥臂串扰问题。并结合前人的抑制串扰电路,改进一款利用三极管反并联二极管的电路抑制栅极的正反向串扰。最后利用LTspice仿真软件对改进的被动式密勒箝位电路进行仿真分析。

关键词： SiC MOSFET 密勒电容串扰密勒箝位

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消除密勒电容实现光电耦合器快速工作的研究

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山西电子技术 2020年第4期 91-93页

作者：崔建国宁永香山西工程技术学院山西阳泉045000

普通光电耦合器由于存在密勒电容,故极易受密勒效应影响,造成数据传输的时效性较差,将光耦的光电三极管集成在一个级联电路中,级联电路包括共射极工作模式的光电管和共基极模式的晶体管T2,从T2角度看,晶体管T2工作于射极跟随器模式,T2... 详细信息

普通光电耦合器由于存在密勒电容,故极易受密勒效应影响,造成数据传输的时效性较差,将光耦的光电三极管集成在一个级联电路中,级联电路包括共射极工作模式的光电管和共基极模式的晶体管T2,从T2角度看,晶体管T2工作于射极跟随器模式,T2基极电位稳定,故光电管集电极同样有稳定的直流电位,光电管电压放大倍数几乎为零,密勒电容被消除,光耦的工作频率加快。

关键词：光电耦合器相位密勒电容密勒效应射极跟随器

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一种减小密勒电容的分离式沟槽栅IGBT结构

一种减小密勒电容的分离式沟槽栅IGBT结构

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作者：伍伟喻明康高崇兵 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明提供了一种减小密勒电容的分离式沟槽栅IGBT结构，该结构在具有浮空P区的常规沟槽栅IGBT结构的基础上，对沟槽栅部分进行分离式设计，首先将沟槽栅分为上部栅与下部栅，然后对上部栅再次进行分离式设计，分为左右两栅。上部两栅... 详细信息

标准号: CN115832033A

本发明提供了一种减小密勒电容的分离式沟槽栅IGBT结构，该结构在具有浮空P区的常规沟槽栅IGBT结构的基础上，对沟槽栅部分进行分离式设计，首先将沟槽栅分为上部栅与下部栅，然后对上部栅再次进行分离式设计，分为左右两栅。上部两栅中靠近浮空P区的连接发射极，余者连接栅极，下部栅则连接发射极。连接发射极的栅电极统称为屏蔽栅，屏蔽栅通过大幅减小器件集电极与栅极的交叠面积，从而达到降低密勒电容的目的。同时，在器件开启阶段，上部屏蔽栅电极能够使来自浮空P区的位移电流无法进入栅极，从而提高栅极电压的可控性，减小EMI噪声。

关键词：发射极沟槽栅浮空减小分离式设计密勒电容屏蔽栅屏蔽栅电极常规沟槽位移电流栅极电压集电极可控性栅电极交叠

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一种低密勒电容的VDMOS器件

一种低密勒电容的VDMOS器件

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作者：高巍李曦周春颖任敏叶钰麒张波 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明提供一种低密勒电容的VDMOS器件结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种低密勒电容VDMOS器件，通过将多晶硅电极区进行不同类型掺杂，以PN结自隔离的方法将其分为三段，将与JFET区交叠的部分和金属化源极短接，从而... 详细信息

标准号: CN114361239B

本发明提供一种低密勒电容的VDMOS器件结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种低密勒电容VDMOS器件，通过将多晶硅电极区进行不同类型掺杂，以PN结自隔离的方法将其分为三段，将与JFET区交叠的部分和金属化源极短接，从而使得栅漏的交叠面积大大减小，实现了对密勒电容的有效降低。另外通过在JFET区顶部引入高掺杂区以弥补导通电阻的增大。因此，本发明结构在保证VDMOS原有的基本电学性能的基础上，有效地降低了密勒电容，减小了器件的开关损耗。

关键词：密勒电容减小交叠功率半导体器件多晶硅电极金属化源极导通电阻电学性能高掺杂区开关损耗有效地原有的自隔离短接三段栅漏掺杂引入保证

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一种低密勒电容的VDMOS器件

一种低密勒电容的VDMOS器件

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作者：高巍李曦周春颖任敏叶钰麒张波 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

标准号: CN114361239A

关键词：密勒电容减小交叠功率半导体器件多晶硅电极金属化源极导通电阻电学性能高掺杂区开关损耗有效地原有的自隔离短接三段栅漏掺杂引入保证

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一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器

一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器

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作者：崔建国宁永香崔建峰崔燚李光序 045000 山西省阳泉市开发区学院路1号

本实用新型公开了一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器，其包括光耦输入电路、晶体管光电耦合器电路、射极跟随器电路、射极跟随器基极偏压产生电路、偏压稳定电路、负载电阻RL电路，输入信号通过所述光耦输入电路电阻RV进入所述... 详细信息

标准号: CN211656113U

本实用新型公开了一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器，其包括光耦输入电路、晶体管光电耦合器电路、射极跟随器电路、射极跟随器基极偏压产生电路、偏压稳定电路、负载电阻R_L电路，输入信号通过所述光耦输入电路电阻R_V进入所述晶体管光电耦合器电路,所述射极跟随器电路由晶体管T₂构成，所述晶体管光电耦合器电路TIL111的内部晶体管T₁的集电极连接晶体管T₂的发射极，12V电源依次通过电阻R1、R2连接工作地构成所述射极跟随器基极偏压产生电路，电阻R1、R2的连接点与晶体管T2的基极相连，电容电解C1构成所述偏压稳定电路，通过调节T2的基极偏压，使光电管的集电极电位保持恒定，从而消除了密勒效应。

关键词：晶体管光电耦合器电路基极偏压电阻射极跟随器电路光耦输入电路射极跟随器产生电路偏压稳定电路快速光电耦合器恒定本实用新型集电极电位集电极连接负载电阻密勒电容密勒效应信号通过发射极光电管连接点电容电解电源

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基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元

基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元

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作者：王海滨林善明谢迎娟单鸣雷刘玉宏刘翔 210022 江苏省常州市晋陵北路200号

本发明公开了一种基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元，包括存储单元，其特征在于：所述存储单元为DICE存储单元，所述DICE存储单元四个节点中的每两个节点之间设置有密勒电容。本发明的有益之处在于：在DICE存储单元的节点... 详细信息

标准号: CN103886894A

本发明公开了一种基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元，包括存储单元，其特征在于：所述存储单元为DICE存储单元，所述DICE存储单元四个节点中的每两个节点之间设置有密勒电容。本发明的有益之处在于：在DICE存储单元的节点之间连接交叉耦合密勒电容，可以实现用较小的电容获得较大的电容。在电路尺寸上，密勒电容不会明显增加器件面积，可以满足集成电路尺寸越来越小的要求。交叉耦合密勒电容的增加提高了节点翻转的临界点电荷，降低了相同数量的收集电荷能够引起的节点电压的改变，增加了DICE存储单元两个反相器之间的反馈延时时间，提高了DICE存储单元多节点抗SEU加固能力，避免两个节点同时受到辐射影响可能发生反转现象。

关键词：存储单元密勒电容交叉耦合电容加固集成电路尺寸电路尺寸辐射影响节点电压器件面积电荷点电荷反相器反转延时反馈连接

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一种增大放大器密勒电容的电路

一种增大放大器密勒电容的电路

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作者：程金星王庆波于艾温伟伟吴友朋 100094 北京市海淀区北清路109号

本发明公开了一种增大放大器密勒电容的电路，包括密勒电容、功率继电器、延时自动恢复电路、漏电检测电路、防反接保护电路及过热保护电路；延时自动恢复电路包括微信号强电控制电路、强弱电转电路、小功率继电器及延时继电。本发明不... 详细信息

标准号: CN114598275A

本发明公开了一种增大放大器密勒电容的电路，包括密勒电容、功率继电器、延时自动恢复电路、漏电检测电路、防反接保护电路及过热保护电路；延时自动恢复电路包括微信号强电控制电路、强弱电转电路、小功率继电器及延时继电。本发明不仅能够实时地执行漏电保护断开主电路，并可以在延时一定时间后进行自动恢复，可以有效地缩短漏电保护断电故障的时间，降低漏电保护断电故障造成的经济损失，而且还可以起到防反接和过热保护的效果，从而可以有效地避免密勒电容因过热或反接而导致的损坏现象的发生，有效地延长密勒电容的使用寿命。

关键词：密勒电容漏电保护电路有效地延时自动恢复断电故障延时放大器防反接保护电路过热保护电路漏电检测电路强电控制电路小功率继电器功率继电器过热保护经济损失使用寿命自动恢复防反接强弱电主电路反接过热断开

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