检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：林兆军崔鹏吕元杰杨铭付晨杨勇雄 250199 山东省济南市历城区山大南路27号

一种提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法，相对于传统的利用外部电路提高器件线性度的方法，本发明在一定程度上增大极化库仑场散射，增强其对极化光学声子散射的抵消作用，将会使得RS具有更小的改变量，从而达到提高器件线... 详细信息

标准号: CN107742643A

一种提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法，相对于传统的利用外部电路提高器件线性度的方法，本发明在一定程度上增大极化库仑场散射，增强其对极化光学声子散射的抵消作用，将会使得R_S具有更小的改变量，从而达到提高器件线性度的最终目的，从而使其具有简单、直接、可操作性强和集成度高等特点。

关键词：器件线性极化散射异质结场效应晶体管光学声子外部电路集成度传统的改变量线性度抵消

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具有串联连接的增强模式栅极区域和耗尽模式栅极区域的异质结场效应晶体管器件

具有串联连接的增强模式栅极区域和耗尽模式栅极区域的异质结场效...

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作者： H·Y·黄 N·德阿尔梅达布拉加 R·米克维科厄斯美国加利福尼亚州

大致而言，异质结场效应晶体管器件包括支撑沟道区域的第一压电层、在第一压电层上方的第二压电层以及源极和漏极。在第二压电层上方的电介质层将源极和漏极电分离，并具有多个区段，这些区段中的两个区段通过第一间隙分离。第一栅极具... 详细信息

标准号: CN107924917A

大致而言，异质结场效应晶体管器件包括支撑沟道区域的第一压电层、在第一压电层上方的第二压电层以及源极和漏极。在第二压电层上方的电介质层将源极和漏极电分离，并具有多个区段，这些区段中的两个区段通过第一间隙分离。第一栅极具有第一尖端，第一尖端在第一间隙内，第一间隙具有小于约200nm的长度。在紧接在第二压电层下方的第一压电层中，在第一间隙正下方，电介质层中的应力产生至少约1×10¹¹/cm²电荷的压电电荷。第一栅极控制沟道区域的常关断区段。具有至少500nm的长度的第二栅极控制沟道区域的常导通区段。

关键词：压电层沟道区域电介质层栅极控制漏极源极异质结场效应晶体管压电电荷应力产生电荷电分离导通关断支撑

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InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究

InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Jingtao Zhao 赵景涛 Zhaojun Lin 林兆军 Chongbiao Luan 栾崇彪 Zhihong Feng 冯志红 Yuanjie Lv 吕元杰 Zhanguo Wang 王占国 School of Physics Shandong University Jinan 250100China 山东大学物理学院济南 250100 Science and Technology on ASIC Laboratory Hebei Semiconductor Research Institute Shijiazhuang 050 专用集成电路国家重点实验室石家庄 050051 Laboratory of Seraiconductor Materials Science Institute of Sermiconductors Chinese Academy of Sci 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京 100083

利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/AlN界面极化电荷的不规则分布产生了极化库仑... 详细信息

利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/AlN界面极化电荷的不规则分布产生了极化库仑场。同AlGaN/AlN/GaNHFET器件一样，该散射机制对方形和圆形的In0.18Al0.82N/AlN/GaN HFET器件中的二维电子气(2DEG)电子迁移率同样有着重要影响。

关键词：半导体技术异质结场效应晶体管极化库仑场散射二维电子气电子迁移率

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单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法

单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法

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作者：胡伟达吴峰王鹏王芳张莉丽王振李庆陈效双陆卫 200083 上海市虹口区玉田路500号

本发明公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS2)薄片通过定点转移到硅衬底上并形... 详细信息

标准号: CN110729375B

本发明公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS₂)薄片通过定点转移到硅衬底上并形成范德华异质结。运用电子束光刻并结合lift‑off工艺制备金属源极和漏极，形成异质结场效应晶体管结构。器件的独特性在于其异质结是单边耗尽的pp结，有别于双边耗尽的pn结。单边耗尽的异质结可以有效抑制遂穿辅助的界面复合和界面缺陷捕获效应，从而实现高量子效率、光电转换效率以及快的响应速度。本发明的探测器具有信噪比高、量子效率和光电转换效率高、响应快的特点，并且可应用于太阳能电池领域。

关键词：异质结耗尽光电转换效率探测器异质结场效应晶体管太阳能电池领域金属源漏电极电子束光刻高量子效率二硫化钼高效快速工艺制备机械剥离界面复合界面缺陷金属源极量子效率器件结构器件制备有效抑制响应独特性辅助的硅衬底耗尽区信噪比衬底漏极砷磷制备捕获应用

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具有垂直结构的异质结晶体管

具有垂直结构的异质结晶体管

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作者：勒内·埃斯科菲耶泽格·卢多特法国巴黎

本发明涉及一种异质结场效应晶体管(1)，其包括：‑形成电子气体层或空穴层(15)的III‑N型第一和第二半导体层(14、13)的堆叠；‑与该气体层电接触的第一传导电极(21)以及第二传导电极(22)；‑分离层(12)，其与第一电极对齐且位于第二半导体... 详细信息

标准号: CN110476254B

本发明涉及一种异质结场效应晶体管(1)，其包括：‑形成电子气体层或空穴层(15)的III‑N型第一和第二半导体层(14、13)的堆叠；‑与该气体层电接触的第一传导电极(21)以及第二传导电极(22)；‑分离层(12)，其与第一电极对齐且位于第二半导体层(13)的下方；‑第三半导体层(11)，其布置在分离层(12)下方并且与第二电极电接触；‑导电元件(24)，其与所述气体层(15)电接触并且电连接第三半导体层(11)和所述气体层(15)；‑位于所述导电元件(24)和第一传导电极(21)之间的控制栅极(23)。

关键词：半导体层传导电极电接触气体层导电元件分离层异质结场效应晶体管第二电极第一电极电子气体控制栅极对齐电连接空穴层堆叠

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GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)

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半导体技术 2021年第6期46卷 417-425,439页

作者：朱彦旭李锜轩谭张杨李建伟魏昭王猜北京工业大学光电子技术教育部重点实验室北京100124

5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光... 详细信息

5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光电器件中的表面等离激元和表面声波(surface acoustic wave,SAW)等[108]与光子间耦合振荡导致的局部势场增强和散射效应,有效增加了探测器的光谱响应,逐渐成为探索具有高响应度、高探测率GaN光电探测器的研究热点方向。

关键词：光电探测器异质结场效应晶体管紫外探测器表面声波光谱响应光电器件探测率表面态

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直角栅场板异质结场效应晶体管及其制作方法

直角栅场板异质结场效应晶体管及其制作方法

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作者：毛维郝跃范举胜董萌刘红侠杨林安王冲郑雪峰张金风 710071 陕西省西安市太白南路2号

本发明公开了一种直角栅场板异质结场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层(11)，其中钝... 详细信息

标准号: CN104409495B

本发明公开了一种直角栅场板异质结场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层(11)，其中钝化层(8)内设有凹槽(9)，钝化层(8)与保护层(11)之间淀积有直角栅场板(10)，直角栅场板(10)靠近栅极一侧边缘与凹槽靠近栅极一侧边缘对齐，该直角栅场板与栅极(7)电气连接，且下端完全填充在凹槽(9)内。本发明具有工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。

关键词：栅场板钝化层一侧边缘保护层异质结场效应晶体管高击穿电压场板技术电气连接击穿电压对齐成品率过渡层势垒层台面场板衬底淀积漏极下端源极填充制作

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Bi2O2Se与过渡金属硫族化合物异质结器件的制备及其性能的研究

Bi2O2Se与过渡金属硫族化合物异质结器件的制备及其性能的研究

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作者：要文文华北电力大学(北京)

学位级别：硕士

过渡金属硫族化合物因其类石墨烯且带隙可调的特性,使其在光电子器件制备上拥有着诱人且广阔的前景。为了能将过渡金属硫族化合物广泛的应用在光电器件方面,选择合适的制备工艺及应用走向极为重要。寻找最佳的制备工艺,减小接触电极与... 详细信息

过渡金属硫族化合物因其类石墨烯且带隙可调的特性,使其在光电子器件制备上拥有着诱人且广阔的前景。为了能将过渡金属硫族化合物广泛的应用在光电器件方面,选择合适的制备工艺及应用走向极为重要。寻找最佳的制备工艺,减小接触电极与过渡金属硫族化合物之间的接触电阻,是研究其光电特性并实现生产与生活应用的前提。本文系统的介绍了利用聚二甲基硅氧烷和机械剥离法相结合的方法制备Bi2O2Se场效应晶体管、WSe2场效应晶体管和Bi2O2Se/WSe2异质结场效应晶体管的过程。通过改变真空中器件的退火温度,得到了使电极与过渡金属硫族化合物接触电阻最小时最佳退火温度。这降低了金属与半导体之间肖特基势垒的高度,提高了场效应晶体管的迁移率及开关比。主要工作:首先通过化学气相沉积法制备了倾斜生长的Bi2O2Se样品,通过直接按压的方式转移到SiO2/Si衬底上,再通过探针和显微镜辅助转移的方法将预先制备的金属电极转移到半导体Bi2O2Se两侧,通过200℃真空无载气退火1小时,制备出欧姆接触的金属半导体结,制备成了 Bi2O2Se场效应晶体管。以同样的转移方法,制备了机械剥离的过渡金属硫族化物--WSe2场效应晶体管,并通过改变真空退火的温度,找到了 WSe2与金属Pd电极接触电阻最佳时的退火温度。通过降低Pd金属与半导体材料WSe2之间的接触电阻,使WSe2场效应晶体管的开关比、整流比、迁移率都得到了提高。在以上工作的基础上,我们进一步制备了具有双极性开关特性的Bi2O2Se/WSe2异质结场效应晶体管。分析其电子结构,我们认为Bi2O2Se/WSe2异质结属Ⅱ类异质结,其开关状态可以通过栅极或源漏电压调控,且具有105的开关比和40 μS的光响应速度,其光谱响应范围从可见光到近红外。可见Bi2O2Se/WSe2异质结场效应晶体管具有较高的光电性能。本工作对低维材料在光电器件上的应用研究做出了积极的探索和贡献。

关键词： Bi2O2Se WSe2 异质结场效应晶体管光电性能

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双异质结AlGaN/GaN HFET特性分析与电场模型建立

双异质结AlGaN/GaN HFET特性分析与电场模型建立

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作者：廖涛西南交通大学

学位级别：硕士

AlGaN/GaN异质结场效应管(HFET)器件以其禁带宽度大、高耐压能力、高电子饱和速度和低开关损耗等优势使其成为功率器件领域的研究热点。目前，普遍认为限制AlGaN/GaNHFET耐压能力的因素主要有缓冲层的泄漏电流、栅极边缘的电势集中形成... 详细信息

AlGaN/GaN异质结场效应管(HFET)器件以其禁带宽度大、高耐压能力、高电子饱和速度和低开关损耗等优势使其成为功率器件领域的研究热点。目前，普遍认为限制AlGaN/GaNHFET耐压能力的因素主要有缓冲层的泄漏电流、栅极边缘的电势集中形成的高电场以及栅极泄漏电流等。尽管限制AlGaN/GaNHFET耐压能力的因素很多，本文重点关注于栅边电势集中现象对AlGaN/GaNHFET的影响。　　本文首先分析了常规双层异质结AlGaN/GaNHFET的耐压原理，栅极边缘的电场分布情况。在此基础上，根据电荷守恒原理将AlGaN/GaNHFET分解成几个简单结构进行等效叠加，通过求解每一部分相应的泊松方程，建立势垒层中从栅边到漏端的二维电势模型。TCAD仿真结果同该模型的解析结果拟合表明，该解析模型具有很好的准确性和适用性。　　此外，为了提高器件的电流处理能力、低温下的工作能力和耐压能力等性能。在常规双层异质结AlGaN/GaNHFET的基础上将AlGaN层中Al组分改为沿特定方向线性均匀变化。文中分析了这种极化掺杂沟道结型场效应晶体管(PolFET)中三维电子气(3DEG)的来源和形成原理，并分析了PolFET和常规双层异质结AlGaN/GaNHFET耐压时电荷分布的差异。在此基础上对常规双层异质结AlGaN/GaNHFET的模型进行适当修改，使其满足PolFET电场模型建立的需要。通过同TCAD仿真结果的拟合对比发现，该模型对器件的设计和优化有好的指导作用。

关键词：异质结场效应晶体管氮化镓铝氮化镓栅边电势电场分布模型

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基于La基栅的LaAlO₃/SrTiO₃异质结场效应晶体管及制作方法

基于La基栅的LaAlO<Sub>3</Sub>/SrTiO<Sub>3</Sub>异质结场效应...

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作者：刘红侠赵璐陈煜海冯兴尧汪星费晨曦 710071 陕西省西安市太白南路2号

本发明公开了一种基于La基栅结构的LaAlO3/SrTiO3异质结场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术中栅电容对器件沟道电荷控制能力弱的问题。其自下而上包括：SrTiO3晶体衬底(1)，LaAlO3薄膜(2)，LaAlO3薄膜(2)上设有源极(4)，漏极(5)... 详细信息

标准号: CN105470306A

本发明公开了一种基于La基栅结构的LaAlO₃/SrTiO₃异质结场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术中栅电容对器件沟道电荷控制能力弱的问题。其自下而上包括：SrTiO₃晶体衬底(1)，LaAlO₃薄膜(2)，LaAlO₃薄膜(2)上设有源极(4)，漏极(5)和栅电极(6)；LaAlO₃薄膜(2)与栅电极(6)之间设有栅介质材料层(3)，构成该晶体管的栅电容，该栅介质材料层(3)，采用由La₂O₃薄膜(301)和Al₂O₃保护层(302)构成的叠栅结构。本发明的栅介质材料性能稳定、介电常数高，热稳定性好，栅电容控制能力强，栅极击穿电压高，可用于制造高性能异质结场效应晶体管器件。

关键词：薄膜栅介质材料异质结场效应晶体管栅电极栅电容栅极击穿电压热稳定性好电荷控制介电常数晶体衬底晶体管的控制能力器件沟道性能稳定设有自下而上保护层电容对栅结构叠栅可用漏极一种源极中栅构成制造公开解决

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