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  • 2 篇 s·舒塞尔
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语言

  • 28 篇 中文
检索条件"主题词=探测器区域"
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排序:
X射线探测器区域预览方法和装置、设备、介质及产品
X射线探测器区域预览方法和装置、设备、介质及产品
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作者: 曾驰 201318 上海市浦东新区周祝公路278号
本公开涉及一种用于X射线成像系统的探测器区域预览方法和装置,所述X射线成像系统包括相机。方法包括:获取所述探测器在所述X射线成像系统的坐标系中的位置信息;获取所述相机在所述X射线成像系统的坐标系中的位置信息;至少基于所述... 详细信息
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图像重建方法、装置、电子设备及CT成像系统
图像重建方法、装置、电子设备及CT成像系统
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作者: 梁健 100176 北京市大兴区经济技术开发区康定街11号8幢1层
本公开的实施例提供图像重建方法、装置、电子设备及CT成像系统,获取常规剂量区域内的投影数据和低剂量区域内的投影数据,对低剂量区域内的投影数据进行正则化降噪,将常规剂量区域内的投影数据和降噪后低剂量区域内的投影数据进行重... 详细信息
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图像重建方法、装置、电子设备及CT成像系统
图像重建方法、装置、电子设备及CT成像系统
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作者: 梁健 100176 北京市大兴区经济技术开发区康定街11号8幢1层
本公开的实施例提供图像重建方法、装置、电子设备及CT成像系统,获取常规剂量区域内的投影数据和低剂量区域内的投影数据,对低剂量区域内的投影数据进行正则化降噪,将常规剂量区域内的投影数据和降噪后低剂量区域内的投影数据进行重... 详细信息
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集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法
集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法
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作者: 杨荣 余明斌 200120 上海市浦东新区环湖西二路888号C楼
本发明公开了一种集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法,该光电探测器包括由下至上的硅衬底和氧化层;其中,所述硅衬底和所述氧化层包括CMOS集成电路区域探测器区域和硅太阳能电池区域。本发明通过修改硅衬底上浅沟槽隔... 详细信息
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波导型光电探测器的制备方法
波导型光电探测器的制备方法
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作者: 涂芝娟 汪巍 蔡艳 余明斌 201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼
本发明提供一种波导型光电探测器的制备方法,包括:1)提供一衬底,对衬底进行刻蚀,形成探测器区域;2)对探测器区域的进行N型轻掺杂形成N型掺杂区,再对局部区域进行N型重掺杂形成N型重掺杂区;3)于N型掺杂区上形成第一锗光吸收层,... 详细信息
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集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法
集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法
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作者: 杨荣 余明斌 200120 上海市浦东新区环湖西二路888号C楼
本发明公开了一种集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法,该光电探测器包括由下至上的硅衬底和氧化层;其中,所述硅衬底和所述氧化层包括CMOS集成电路区域探测器区域和硅太阳能电池区域。本发明通过修改硅衬底上浅沟槽隔... 详细信息
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波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构
波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构
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作者: 涂芝娟 汪巍 蔡艳 余明斌 201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼
本发明提供一种波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构,波导型光电探测器包括:衬底,衬底上形成有探测器区域探测器区域包括N型掺杂区以及位于N型掺杂区局部区域的N型重掺杂形成N型重掺杂区;第一锗光吸收层,位于N型掺... 详细信息
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基于光场高阶关联的脉冲星光子流仿真系统及方法
基于光场高阶关联的脉冲星光子流仿真系统及方法
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作者: 韦震 喻虹 陆荣华 韩申生 201800 上海市嘉定区清河路390号
本发明提供了一种基于光场高阶关联的脉冲星光子流仿真系统及方法,该系统包含:光子流模拟子系统,用于生成光子时间序列,将探测面光强分布归一化作为空间概率分布,划分探测区域区域概率求和得到光子坍缩至各个区域的概率,光子... 详细信息
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针对探测器触发的处理方法、装置和电子设备
针对探测器触发的处理方法、装置和电子设备
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作者: 陈子问 518055 广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路3151号新兴产业园(健兴科技大厦)B701-705
本申请提供一种针对探测器触发的处理方法、装置和电子设备。该方法包括:接收探测器被触发后上报的触发信息;获取所述探测器的信用等级,其中所述信用等级是根据过往预设时间段内所述探测器的有效触发占比和/或误触发占比而确定的;... 详细信息
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一种硅基多模光接收件及其制备方法
一种硅基多模光接收器件及其制备方法
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作者: 冯大增 王奕琼 梁虹 武爱民 200050 上海市长宁区长宁路865号
本申请公开了一种硅基多模光接收件及其制备方法,所述方法包括:获取SOI晶圆;制备探测器,包括:在所述SOI晶圆上定义探测器区域;在所述探测器区域形成锗材料层;通过光刻和刻蚀所述锗材料层形成锗波导,所述锗波导的宽度为2.0~5.... 详细信息
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