检索结果-内蒙古大学图书馆

物理化学学报 2010年第7期26卷 1941-1946页

作者：申茜甘霖刘松曹阳王振兴惠静姝郭雪峰北京大学化学与分子工程学院、分子动态与稳态结构国家重点实验室、北京分子科学国家实验室北京100871

将有机场效应晶体管用于传感和开关实际应用的主要阻碍之一是其破坏性传感机制产生的一系列问题.这里我们报道了一种智能的系统,用光致变色分子螺吡喃(SP)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)结合作为栅介电材料,得到的器件能以一种无损的方式,通... 详细信息

将有机场效应晶体管用于传感和开关实际应用的主要阻碍之一是其破坏性传感机制产生的一系列问题.这里我们报道了一种智能的系统,用光致变色分子螺吡喃(SP)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)结合作为栅介电材料,得到的器件能以一种无损的方式,通过光可逆调控器件的导电性能.当螺吡喃分子发生可逆的光学异构时,器件的电容和导电性随之发生显著而可逆的变化.这种构象诱导电感耦合的作用机理提供了一种制备功能器件的新方法,可以推广为利用其它刺激响应型分子来制备特定功能器件的普适性方法.

关键词：光异构化光致变色分子螺吡喃薄膜晶体管栅介电质

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一种CMOS图像传感器及其制造方法

一种CMOS图像传感器及其制造方法

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作者：王欣洋李扬姜涛辛国松 130033 吉林省长春市经开区营口路588号

本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：在半导体衬底上形成有场氧化物层；在所述半导体衬底上依次沉积形成有栅介电层和栅材料层；图案化所述栅材料层和所述栅介电质层以形成栅电极；向所述半导体衬底中注入杂质离子以形成... 详细信息

标准号: CN112582440B

本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：在半导体衬底上形成有场氧化物层；在所述半导体衬底上依次沉积形成有栅介电层和栅材料层；图案化所述栅材料层和所述栅介电质层以形成栅电极；向所述半导体衬底中注入杂质离子以形成光电二极管区域；在所述半导体衬底上形成层间介电层；所述层间介电层包括氮化物层，图案化所述层间介电层，以形成预定的开口，且在所述开口的两侧壁上沉积有所述氮化物层。本发明还提供了一种CMOS图像传感器。通过本发明，能够提高光电检测器的光收集效率，并且可以减少光电检测器的性能劣化。

关键词：衬底半导体层间介电层光电检测器氮化物层栅材料层图案化沉积开口光电二极管区域场氧化物层光收集效率性能劣化杂质离子栅介电层栅介电质介电层两侧壁栅电极制造

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用于在网络中管理工作负荷的计算机实现方法和系统

用于在网络中管理工作负荷的计算机实现方法和系统

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作者： C.德库萨蒂斯 S.卡夏普 R.B.克里施纳默西美国纽约阿芒克

实施例包括用于在网络中管理工作负荷的方法、系统和计算机程序产品。交换机接收与工作负荷相关联的数据。以将数据与工作负荷相关联的标识符标记收到的数据。基于确定存储在交换机的缓冲器内的第二数据超过阈值，压缩收到的数据。交换... 详细信息

标准号: CN104717153B

实施例包括用于在网络中管理工作负荷的方法、系统和计算机程序产品。交换机接收与工作负荷相关联的数据。以将数据与工作负荷相关联的标识符标记收到的数据。基于确定存储在交换机的缓冲器内的第二数据超过阈值，压缩收到的数据。交换机将压缩数据存储在缓冲器中。基于交换机过载的确定，将压缩数据发送到第二网络。

关键词：重掺杂区掺杂区基板半导体结构掺杂类型栅介电质导电体介电质栅电极

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一种有机无机杂化薄膜晶体管及其制备方法

一种有机无机杂化薄膜晶体管及其制备方法

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作者：李金华江力黄康王贤保梅涛王建颖 430000 湖北省武汉市武昌友谊大道368号

本发明提供了一种有机无机杂化薄膜晶体管，属于光电元器件领域。包括依次设置的衬底、氧化锌无机半导体层、金属电极对、有机栅介电质层和金属电极，所述有机栅介电质层为双层薄膜，包括CYTOP薄膜和P(VDF‑TrFE‑CFE)薄膜，所述CYTOP薄... 详细信息

标准号: CN108470830A

本发明提供了一种有机无机杂化薄膜晶体管，属于光电元器件领域。包括依次设置的衬底、氧化锌无机半导体层、金属电极对、有机栅介电质层和金属电极，所述有机栅介电质层为双层薄膜，包括CYTOP薄膜和P(VDF‑TrFE‑CFE)薄膜，所述CYTOP薄膜与氧化锌无机半导体层接触。本发明以氧化锌为无机半导体层材料，以CYTOP/P(VDF‑TrFE‑CFE)为有机栅介电质材料，P(VDF‑TrFE‑CFE)介电常数高达60，可以使半导体内部诱导出更多的载流子，提高沟道内载流子浓度，进而提高器件载流子迁移率，CYTOP可以有效减小界面缺陷态浓度，进一步提高载流子迁移率，能够提高薄膜晶体管的开关比。

关键词：无机半导体层栅介电质氧化锌载流子薄膜载流子迁移率金属电极有机无机杂化薄膜薄膜晶体管光电元器件界面缺陷态介电常数双层薄膜依次设置开关比晶体管衬底沟道减小半导体诱导

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半导体结构

半导体结构

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作者：陈永初中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

本发明公开了一种半导体结构。此一半导体结构包括一基板、形成于基板中的一第一阱、形成于第一阱中的一第一重掺杂区、形成于基板中并与第一阱分离的一第二重掺杂区、形成于基板中第二重掺杂区下的一第二阱、形成于基板上介于第一重掺... 详细信息

标准号: CN105226094B

本发明公开了一种半导体结构。此一半导体结构包括一基板、形成于基板中的一第一阱、形成于第一阱中的一第一重掺杂区、形成于基板中并与第一阱分离的一第二重掺杂区、形成于基板中第二重掺杂区下的一第二阱、形成于基板上介于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间的一栅介电质、以及形成于栅介电质上的一栅电极。栅介电质至少在横跨延伸自接近第二重掺杂区的一侧的一部分具有实质上均一的厚度。第一阱具有第一掺杂类型。第一重掺杂区、第二重掺杂区及第二阱具有第二掺杂类型。

关键词：重掺杂区基板栅介电质半导体结构掺杂类型栅电极均一横跨延伸

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一种CMOS图像传感器及其制造方法

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作者：王欣洋李扬姜涛辛国松 130033 吉林省长春市经开区营口路588号

标准号: CN112582440A

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半导体结构

半导体结构

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作者：陈永初中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

标准号: CN105226094A

关键词：重掺杂区第一阱基板栅介电质半导体结构掺杂类型基板上栅电极均一一侧一种横跨延伸公开

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