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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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10,659 篇 专利
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12 篇 工学
- 9 篇 电子科学与技术（可...
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- 1 篇 动力工程及工程热...
- 1 篇 电气工程
- 1 篇 信息与通信工程
- 1 篇 化学工程与技术
- 1 篇 航空宇航科学与技...
1 篇 理学
- 1 篇 物理学

主题

12 篇 栅极结构
2 篇 阈值电压
2 篇 场发射显示器
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1 篇 电子束光刻
1 篇 高电子迁移率晶体...
1 篇 高k/金属栅短沟道
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机构

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1,520 篇 台湾积体电路制造...
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403 篇 上海华虹宏力半导...
397 篇 联华电子股份有限...
291 篇 长鑫存储技术有限...
227 篇 上海华力集成电路...
205 篇 上海华力微电子有...
132 篇 中国科学院微电子...
125 篇 合肥晶合集成电路...
124 篇 格罗方德半导体公...
121 篇 南亚科技股份有限...
118 篇 长江存储科技有限...
113 篇 旺宏电子股份有限...
111 篇 福建省晋华集成电...
100 篇 华虹半导体有限公...
96 篇 英特尔公司
95 篇 世界先进积体电路...
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72 篇 中芯国际集成电路...

作者

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242 篇 赵猛
159 篇 李勇
126 篇 三重野文健
101 篇 洪中山
101 篇 王志豪
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83 篇 江国诚
79 篇 韩秋华
70 篇 程冠伦
70 篇 张城龙
69 篇 金吉松
68 篇 何永根
63 篇 肖德元
57 篇 谢瑞龙
57 篇 何有丰
54 篇 陈昊瑜
53 篇 禹国宾
53 篇 纪世良

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10,671 篇 中文

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详细简洁

排序：

耐酸碱的和栅极结构的摩擦电纳米发电机

耐酸碱的和栅极结构的摩擦电纳米发电机

引用

作者：吴俊鹏青岛大学

学位级别：硕士

在最近几年中便携式和可穿戴无线设备的飞速发展和第五代（5G）技术的普及,智能电子手表、智能手环和智能眼镜等小型电子设备越来越受人们的欢迎,但不可避免的是由于设备朝着小型化的趋势和电池使用过程的中的损耗,设备电源的更换变的... 详细信息

在最近几年中便携式和可穿戴无线设备的飞速发展和第五代（5G）技术的普及,智能电子手表、智能手环和智能眼镜等小型电子设备越来越受人们的欢迎,但不可避免的是由于设备朝着小型化的趋势和电池使用过程的中的损耗,设备电源的更换变的越来越麻烦。摩擦电纳米发电机（TENG）作为一种高效环保的蓝色能源,为小型电子设备供电提供了一种全新的方式。在本文中我们介绍了耐酸碱的TENG和栅极结构TENG在安全方面的应用。随着技术的不断进步,环境保护的问题变得越来越重要,在恶劣环境中使用电子设备已逐渐引起人们的关注。例如,TENG的摩擦层可能会被腐蚀（例如酸性,碱性或油性环境）,从而导致TENG损坏或破坏。在第二章的工作研究中,TENG的摩擦层由使用静电纺丝和烧结工艺制备的具有超疏水特性的烧结后的聚乙烯醇-聚四氟乙烯（S-PVA-PTFE）复合膜和通用的工业吸油纸构成。TENG的最大功率密度可达261 m W m-2,可以点亮100个蓝色LED,能让各种小型电子设备正常工作。此外,将摩擦层浸泡在强酸溶液中然后浸泡在强碱溶液中72小时后,TENG的性能没有明显变化。TENG可以在油腻的工作环境中稳定工作。TENG为在恶劣环境下工作的自供电传感器提供了一种新颖的方法。柔性和可穿戴电子产品的快速发展提出了向小型化,移动性,多功能性和人工智能发展的趋势。TENG可以利用微/纳米多功能材料来有效地收集和存储周围环境中的能量,从而可以驱动智能小型化电子设备持续稳定地运行。TENG的输出功率密度的增加需要新的设计。在第三章的研究当中,提出了一种新的光栅TENG,并通过以两个平行电极作为集电极的近场电纺丝和常规静电纺丝分别制造了两个摩擦层。我们发现,由于更精细的光栅结构以及接触面积的改变,这种纳米发电机可以实现1800 W m-2的非常高的输出。TENG也可以用作自供电传感器来检测机械信号,不需要额外的电源来驱动它。同时,TENG的各向异性也可用于感应角度,锁定设备或加密信息。这种输出控制技术为将来的输出功率改善提供了更有效的思路,也就是说,可以通过有效地调整相应的接触面积和电极面积来设计新一代的高输出TENG。

关键词：耐酸碱栅极结构摩擦电纳米发电机自供电传感器

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鞍型栅极结构纳米线冷阴极场发射显示器的研制

鞍型栅极结构纳米线冷阴极场发射显示器的研制

引用

作者：麦强中山大学

学位级别：硕士

场发射显示器具有低功耗、高亮度、响应速度快和工作温度范围宽等优点。而采用准一维纳米材料冷阴极是实现低成本大面积可控制场发射显示器的一个新途径。本文简要介绍了场发射显示器的工作原理及其器件结构，综述了场发射显示器的研究... 详细信息

场发射显示器具有低功耗、高亮度、响应速度快和工作温度范围宽等优点。而采用准一维纳米材料冷阴极是实现低成本大面积可控制场发射显示器的一个新途径。本文简要介绍了场发射显示器的工作原理及其器件结构，综述了场发射显示器的研究现状，并重点介绍了鞍型栅极结构场发射显示器的结构设计及器件结构的湿法制作工艺研究结果。最后，分别介绍了集成CuO纳米线和ZnO纳米线冷阴极的鞍型栅极场发射显示器的特性研究结果。\n 1．针对低温热氧化生长准一维纳米冷阴极材料的特点，提出了一种结合平面栅极和背栅极的鞍型栅极结构场发射显示器。该结构可以方便地将各种低温定域生长的准一维纳米冷阴极材料集成于器件结构中。在该器件的模拟结果中可以发现，相比背栅极结构，鞍型栅极结构可以有效地提高栅极在阴极上产生的电场，从而降低栅极驱动电压。\n 2．建立了一套湿法制作鞍型栅极结构的工艺。该工艺适合于大面积器件制作。在大面积绝缘层刻蚀方面，针对SiO2/SixNy的双层绝缘层，本论文提出采用绝缘层剥离工艺，而对于Al2O3的单层绝缘层，采用了湿法腐蚀工艺。在纳米线阴极生长方面，采用了热氧化实现了CuO纳米线和ZnO纳米线在器件中大面积定域生长。\n 3．分别采用CuO纳米线或ZnO纳米线冷阴极研制出全封装鞍型栅极场发射显示器原型器件，并实现动态显示。发展一种针对该器件的老化方法，实现了器件的稳定工作。对器件特性研究表明，鞍型栅极结构CuO纳米线FED器件直流测试的器件开启电压为120 V左右，驱动电压为60 V；最小视频驱动工作电压为150V左右。

关键词：场发射显示器栅极结构冷阴极结构设计器件结构

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栅极结构的制作方法

栅极结构的制作方法

引用

作者：操梦雅许宗能牛龙朱梦媚尹记红 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

本发明提供一种栅极结构的制作方法。所述制作方法包括：提供基底，基底的上表面包括沿第一方向伸长且跨越多个有源区的多个第一区域、跨越第一区域的多个第二区域、以及位于相邻两个第一区域之间的第三区域，第二区域的部分与第一区域... 详细信息

标准号: CN115332062A

本发明提供一种栅极结构的制作方法。所述制作方法包括：提供基底，基底的上表面包括沿第一方向伸长且跨越多个有源区的多个第一区域、跨越第一区域的多个第二区域、以及位于相邻两个第一区域之间的第三区域，第二区域的部分与第一区域重叠且其余部分与第三区域重叠；在基底的上表面依次形成栅极材料层和硬掩模层；刻蚀去除第二区域上的硬掩模层，使得硬掩模层中具有第一开口；在第一开口的侧壁形成侧墙；刻蚀去除第三区域上的硬掩模层和侧墙；以第一区域上保留的硬掩模层和侧墙为掩模，刻蚀栅极材料层形成栅极。如此制作栅极，制造成本较低，且刻蚀第二区域上的硬掩模层和形成侧墙的工艺窗口相对较大。

关键词：硬掩模层第一区域第二区域侧墙基底刻蚀上表面去除开口制作栅极材料层工艺窗口刻蚀栅极区域重叠栅极结构制造成本材料层伸长侧壁掩模源区保留

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栅极结构和场效应晶体管的制备方法及半导体工艺设备

栅极结构和场效应晶体管的制备方法及半导体工艺设备

引用

作者：周赐林源为盖克彬 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

本申请提供一种栅极结构和场效应晶体管的制备方法及半导体工艺设备，其中，该栅极结构的制备方法包括：提供半导体膜层结构；在半导体膜层结构的一侧表面上依次形成介质层和第一掩膜层；第一掩膜层设置有第一掩膜开口，第一掩膜开口暴... 详细信息

标准号: CN117995666A

本申请提供一种栅极结构和场效应晶体管的制备方法及半导体工艺设备，其中，该栅极结构的制备方法包括：提供半导体膜层结构；在半导体膜层结构的一侧表面上依次形成介质层和第一掩膜层；第一掩膜层设置有第一掩膜开口，第一掩膜开口暴露介质层的部分表面；对介质层暴露出的表面执行第一刻蚀步骤，形成第一凹槽；第一凹槽靠近第一掩膜层的开口宽度大于第一掩膜开口的宽度，第一凹槽的深度小于介质层的厚度；对介质层暴露出的表面执行第二刻蚀步骤，形成第二凹槽；第二凹槽与第一凹槽上下连通构成T型凹槽，第二凹槽的开口宽度接近第一掩膜开口的宽度；向T型凹槽的内部填充金属，形成T型栅极结构。本申请可有效提高栅极结构的制备精度。

关键词：介质层开口掩膜栅极结构掩膜层制备半导体膜层暴露半导体工艺设备场效应晶体管刻蚀步骤内部填充上下连通申请金属

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栅极结构间空气间隙的形成方法及NAND器件的制造方法

栅极结构间空气间隙的形成方法及NAND器件的制造方法

引用

作者：姚邵康王奇伟陈昊瑜 201315 上海市浦东新区良腾路6号

本发明提供了一种栅极结构间空气间隙的形成方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成有NAND器件的多个栅极结构，相邻两个栅极结构之间填充有氮化硅层，栅极结构部分凸出于氮化硅层；至少执行两次去除工艺，以去除氮化硅层，其中，每次去... 详细信息

标准号: CN114300459A

本发明提供了一种栅极结构间空气间隙的形成方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成有NAND器件的多个栅极结构，相邻两个栅极结构之间填充有氮化硅层，栅极结构部分凸出于氮化硅层；至少执行两次去除工艺，以去除氮化硅层，其中，每次去除工艺包括，形成保护介质层覆盖栅极结构的外壁，湿法蚀刻部分氮化硅层；于相邻两个栅极结构之间形成空气间隙。本发明中，通过每次去除工艺中先形成保护介质层覆盖栅极结构以及再湿法蚀刻去除部分氮化硅层，利用保护介质层保护栅极结构在湿法蚀刻中不被腐蚀且采用至少两次去除氮化硅层，从而使得栅极结构在湿法蚀刻后保持较佳的形貌，从而有利于后续栅极结构之间的空气间隙的形成。

关键词：栅极结构氮化硅层去除湿法蚀刻空气间隙介质层衬底形貌覆盖填充外壁腐蚀

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栅极结构和栅极结构制作方法

栅极结构和栅极结构制作方法

引用

作者：李成果陈志涛任远曾巧玉 510000 广东省广州市天河区长兴路363号

本申请提供的栅极结构和栅极结构制作方法，涉及微电子器件技术领域。其中，栅极结构包括沟道层、势垒层、高阻帽层、P型帽层和栅电极层。势垒层制作于沟道层的一面，高阻帽层制作于势垒层远离沟道层的一面，栅电极层制作于高阻帽层远离... 详细信息

标准号: CN110504317A

本申请提供的栅极结构和栅极结构制作方法，涉及微电子器件技术领域。其中，栅极结构包括沟道层、势垒层、高阻帽层、P型帽层和栅电极层。势垒层制作于沟道层的一面，高阻帽层制作于势垒层远离沟道层的一面，栅电极层制作于高阻帽层远离P型帽层的一面。沟道层和势垒层在相邻的界面处形成二维电子气，高阻帽层用于减小栅电极层的泄漏电流。通过上述设置，可以减小栅电极层的泄漏电流、提高器件可靠性。

关键词：栅电极层沟道层势垒层高阻帽层栅极结构泄漏电流制作减小二维电子气器件可靠性微电子器件界面处申请

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栅极结构中具有两个相邻金属层的结构

栅极结构中具有两个相邻金属层的结构

引用

作者：贾加尔·辛格 S·纳拉亚南 W·郑美国加利福尼亚州

本发明涉及栅极结构中具有两个相邻金属层的结构。一种结构包括：半导体鳍；位于半导体鳍中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；围绕第一源极/漏极区的第一掺杂区，其在半导体鳍中限定沟道区；以及围绕第二源极/漏极区的第二掺杂区，... 详细信息

标准号: CN113903795A

本发明涉及栅极结构中具有两个相邻金属层的结构。一种结构包括：半导体鳍；位于半导体鳍中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；围绕第一源极/漏极区的第一掺杂区，其在半导体鳍中限定沟道区；以及围绕第二源极/漏极区的第二掺杂区，其在半导体鳍中限定漏极扩展区。栅极结构位于沟道区和漏极扩展区上方。该栅极结构包括栅极电介质层、位于栅极电介质层上方且与第二金属层相邻的第一金属层，以及位于第一金属层和第二金属层上方的连续栅极导体。金属层中的一者位于沟道区上方，金属层中的另一者位于漏极扩展区上方。金属层可以具有不同的厚度和/或功函数，以提高包括该结构的LDMOS FinFET的跨导和RF性能。

关键词：源极/漏极区半导体鳍漏极扩展区栅极结构沟道区金属层栅极电介质层第二金属层第一金属层掺杂区相邻金属层导体连续栅极功函数

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栅极结构与其制作方法

栅极结构与其制作方法

引用

作者：张钦福林昭维朱家仪童宇诚 362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

本发明公开了一种栅极结构，包含一有源区、一第一介电层位于所述有源区上且位于栅极图案两侧的边缘部位、一第二介电层位于所述栅极图案中间的所述有源区上以及所述栅极图案两侧的边缘部位的所述第一介电层上，其中所述第二介电层位于... 详细信息

标准号: CN111627993B

本发明公开了一种栅极结构，包含一有源区、一第一介电层位于所述有源区上且位于栅极图案两侧的边缘部位、一第二介电层位于所述栅极图案中间的所述有源区上以及所述栅极图案两侧的边缘部位的所述第一介电层上，其中所述第二介电层位于所述第一介电层上的部位的厚度大于所述第二介电层位于所述有源区上的部位的厚度、一导电层位于所述第二介电层上、一阻障层位于所述导电层上、一金属层位于所述阻障层上，其中所述阻障层围绕在所述金属层的底面与侧壁上、以及一氮化硅层位于所述金属层上。本发明具有特殊的栅极介电层设计，可以抑制GIDL问题，同时又不会引起其他不良的影响。

关键词：介电层源区栅极图案金属层阻障层边缘部位导电层栅极介电层氮化硅层栅极结构侧壁底面

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栅极结构的制作方法

栅极结构的制作方法

引用

作者：朱梦媚尹记红许宗能 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

本发明提供一种栅极结构的制作方法。该制作方法包括：提供基底，基底上表面包括沿第一方向伸长且跨越多个有源区的多个第一区域、跨越第一区域的多个第二区域、以及位于相邻两个第一区域之间的第三区域；在基底的上表面形成栅极材料层... 详细信息

标准号: CN115332060A

本发明提供一种栅极结构的制作方法。该制作方法包括：提供基底，基底上表面包括沿第一方向伸长且跨越多个有源区的多个第一区域、跨越第一区域的多个第二区域、以及位于相邻两个第一区域之间的第三区域；在基底的上表面形成栅极材料层和ONO层，ONO层包括第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层；刻蚀去除第二区域上的第二氧化物层和氮化物层，且至少保留第二区域上部分厚度的第一氧化物层；刻蚀去除第三区域上的ONO层，且在该刻蚀过程中，第二区域上的第一氧化物层作为牺牲层；至少以第一区域上保留的氮化物层为掩模，刻蚀栅极材料层以形成栅极。如此，栅极的制造成本较低，且避免了有机底层结构层的刻蚀工艺窗口较窄的问题。

关键词：氧化物层第二区域第一区域氮化物层基底刻蚀去除基底上表面栅极材料层刻蚀工艺刻蚀过程刻蚀栅极有机底层栅极结构制造成本材料层结构层上表面牺牲层伸长保留掩模源区制作

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栅极结构形成方法

栅极结构形成方法

引用

作者：任晓辉奚裴齐龙茵 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

一种栅极结构形成方法，包括：提供依次形成有栅介质层、多晶硅层、第一金属层、金属氮化物层、第二金属层、硬掩膜层的衬底；在所述硬掩膜层表面依次形成底部抗反射层和光刻胶图形，所述光刻胶图形与栅极结构对应；以所述光刻胶图形为... 详细信息

标准号: CN102148146B

一种栅极结构形成方法，包括：提供依次形成有栅介质层、多晶硅层、第一金属层、金属氮化物层、第二金属层、硬掩膜层的衬底；在所述硬掩膜层表面依次形成底部抗反射层和光刻胶图形，所述光刻胶图形与栅极结构对应；以所述光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀底部抗反射层、硬掩膜层，直至暴露出第二金属层；以刻蚀后的硬掩膜层为掩膜，采用选用Cl₂、NF₃、O₂作为刻蚀气体，其中Cl₂与NF₃的体积比小于2，依次刻蚀第二金属层、金属氮化物层和第一金属层，直至暴露出多晶硅层。本发明形成的栅极结构表面无蚀坑和杂质残留。

关键词：掩膜金属层光刻胶图形刻蚀底部抗反射层金属氮化物栅极结构多晶硅栅极结构表面刻蚀气体介质层衬底小于

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