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凹槽式栅极结构
凹槽式栅极结构
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作者： 苏国辉 中国台湾新北市
本公开提供一种凹槽式栅极结构。凹槽式栅极结构包括一凹槽结构，其中该凹槽结构包括一基底，具有从该基底的一最上表面延伸到该基底中的一凹槽；一导电特征，填充在该凹槽结构的该凹槽中；一第一功能层，在该导电特征与该凹槽结构之间... 详细信息
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晶体管装置及栅极结构
晶体管装置及栅极结构
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作者： 花长煌 蔡绪孝 许荣豪 宋俊汉 吴佩颖 颜宗正 中国台湾桃园市
本发明公开了一种晶体管装置及栅极结构，晶体管装置包含衬底和栅极结构。栅极结构设置于衬底上且包含第一金属层以及设置于第一金属层上的耐火金属层，其中第一金属层是断开的且耐火金属层是断开的。
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具有穿过栅极结构的深阱注入的LDMOS晶体管
具有穿过栅极结构的深阱注入的LDMOS晶体管
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作者： A·萨多夫尼科夫 M-Y·庄 J·陈 美国德克萨斯州
本申请涉及具有穿过栅极结构的深阱注入的LDMOS晶体管。一种晶体管制造方法包含在具有第一导电类型的半导体衬底之上形成栅极结构。对所述栅极结构之上的光致抗蚀剂层进行图案化，以从所述栅极结构的未被覆盖部分及所述半导体衬底的与... 详细信息
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三阱区内的电熔丝和三阱区上的栅极结构
三阱区内的电熔丝和三阱区上的栅极结构
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作者： E·G·盖布里斯莱希 S·M·尚克 A·F·卢瓦索 R·J·小戈捷 M·J·阿布-卡利尔 A·Y·吉纳维 美国纽约州
本公开涉及半导体结构，更具体地涉及位于三阱上的电熔丝和栅极结构及制造方法。该结构包括：衬底，其包括有界区域；栅极结构，其形成在有界区域内；以及电熔丝，其形成在有界区域内并电连接到栅极结构。
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用于形成垂直晶体管的取代栅极结构的方法
用于形成垂直晶体管的取代栅极结构的方法
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作者： S·索斯 史帝文·本利 美国加利福尼亚州
本揭示内容针对用于形成垂直晶体管的取代栅极结构的方法的各种具体实施例。揭示于本文的一示范方法主要包括，但不限于：形成第一及第二垂直半导体结构，形成各自毗邻该第一及该第二垂直半导体结构的沟道区的第一及第二牺牲间隔体，形... 详细信息
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具有掩埋栅极结构的FET
具有掩埋栅极结构的FET
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作者： 篠原启介 米格尔·乌特亚加 凯西·金 安迪·卡特 美国加利福尼亚
一种具有掩埋栅极结构的FET。该FET的栅极电极包括多个掩埋栅极结构，该结构的顶部在基板的顶表面上方延伸，并且该结构的底部被掩埋到至少等于沟道层的底部的深度或针对HEMT的沟道层内的2DEG平面的深度，使得掩埋栅极结构仅从沟道层侧... 详细信息
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一种栅极结构、场发射电子枪及其应用
一种栅极结构、场发射电子枪及其应用
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作者： 戴庆 李振军 李元勋 张扬 李驰 白冰 100190 北京市海淀区中关村北一条11号
本发明提供了一种栅极结构、场发射电子枪及其应用，所述栅极结构包括栅网和固定结构，所述栅网包括层叠的粗栅网与细栅网，所述固定结构内设置有通孔，所述栅网设置于固定结构的一侧表面并覆盖所述通孔，其中，所述粗栅网一侧贴近所述... 详细信息
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半导体装置及为其的多个组件提供栅极结构的方法
半导体装置及为其的多个组件提供栅极结构的方法
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作者： 王伟义 马克·S·罗德尔 博尔纳·J·奧布拉多维奇 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号
本公开提供一种半导体装置和一种为半导体装置的多个组件提供栅极结构的方法。所述方法包括以下步骤。提供硅酸盐层。在所述硅酸盐层上提供高介电常数层。在所述高介电常数层上提供逸出功金属层。在所述提供高介电常数层之后，执行低温... 详细信息
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鳍端部栅极结构及其形成方法
鳍端部栅极结构及其形成方法
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作者： 林士尧 高魁佑 陈振平 林志翰 中国台湾新竹市
本公开涉及鳍端部栅极结构及其形成方法。一种方法包括：在突出鳍的第一部分和第二部分上同时形成第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠；同时去除第一虚设栅极堆叠的第一栅极电极和第二虚设栅极堆叠的第二栅极电极，以分别形成第一沟槽... 详细信息
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具有旁路栅极结构的晶体管
具有旁路栅极结构的晶体管
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作者： D·法雷尔 S·伍德 S·什帕德 D·纳米什亚 美国北卡罗莱纳
本公开涉及具有旁路栅极结构的晶体管。晶体管器件包括在第一方向上延伸的源极触件、与所述源极触件相邻的在所述第一方向上延伸的栅极指状物以及与所述栅极指状物相邻的漏极触件，其中所述栅极指状物位于所述漏极触件和所述源极触件之... 详细信息
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