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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

268 篇 专利

馆藏范围

268 篇 电子文献
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日期分布

机构

66 篇 中芯国际集成电路...
18 篇 上海华力微电子有...
13 篇 湖北大学
10 篇 西安电子科技大学
8 篇 中国科学院半导体...
8 篇 上海华虹宏力半导...
7 篇 深圳市华星光电技...
6 篇 华虹半导体有限公...
6 篇 彩虹集团公司
6 篇 京东方科技集团股...
5 篇 华南理工大学
5 篇 浙江大学
4 篇 上海集成电路研发...
4 篇 成都微光集电科技...
3 篇 上海宏力半导体制...
3 篇 天津大学
3 篇 深圳市华星光电半...
3 篇 友达光电股份有限...
3 篇 中山大学
3 篇 台湾积体电路制造...

作者

13 篇 李金华
12 篇 范钦
10 篇 宣荣喜
10 篇 宋建军
10 篇 张鹤鸣
10 篇 胡辉勇
8 篇 王贤保
8 篇 赵猛
8 篇 李珊珊
8 篇 蒋莉
7 篇 张海洋
6 篇 朱普磊
6 篇 何永根
6 篇 黎铭琦
6 篇 黄康
6 篇 李驰
5 篇 张杨
5 篇 王成艳
5 篇 郑春生
5 篇 张彬

语言

268 篇 中文

检索条件"主题词=栅极表面"

共 268 条记录，以下是261-270 订阅

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金属氧化物半导体器件的制造方法

金属氧化物半导体器件的制造方法

引用

作者：朱峰张海洋陈海华黄怡 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明公开了一种金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述衬底表面具有栅极，所述栅极表面具有硬掩膜层；在所述栅极侧壁表面沉积氧化硅层；去除所述硬掩膜层；在所述衬底和栅极表面沉积氮化硅层；刻蚀所述氮化... 详细信息

标准号: CN100561673C

本发明公开了一种金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述衬底表面具有栅极，所述栅极表面具有硬掩膜层；在所述栅极侧壁表面沉积氧化硅层；去除所述硬掩膜层；在所述衬底和栅极表面沉积氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层和氧化硅层形成侧壁间隔壁。本发明在所述栅极的侧壁形成侧壁保护层，该保护层起到了隔离腐蚀液与栅极的作用，从而避免了瓶颈现象的发生。

关键词：侧壁栅极表面保护层掩膜金属氧化物半导体器件沉积氮化硅层沉积氧化硅层半导体衬底衬底表面氮化硅层瓶颈现象氧化硅层腐蚀液衬底刻蚀隔壁隔离

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

引用

作者：毛刚俞少峰陈林林杨正睿虞肖鹏 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部；在半导体衬底表面形成隔离层；在所述鳍部表面和隔离层表面形成栅介质层；在部分栅介质层表面形成横跨所述鳍部的栅极；在栅介质层和栅极表面形成侧墙... 详细信息

标准号: CN105097532A

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部；在半导体衬底表面形成隔离层；在所述鳍部表面和隔离层表面形成栅介质层；在部分栅介质层表面形成横跨所述鳍部的栅极；在栅介质层和栅极表面形成侧墙材料层；对侧墙材料层进行第一角度等离子体刻蚀，去除鳍部一侧的侧壁上的侧墙材料层；对侧墙材料层进行第二角度等离子体刻蚀，去除鳍部另一侧的侧壁上的侧墙材料层和栅介质层上剩余的侧墙材料层，形成位于栅极侧壁表面的侧墙。上述方法可以在形成栅极侧壁上的侧墙的同时，去除位于鳍部侧壁表面的侧墙材料层，提高最终形成的鳍式场效应晶体管的性能。

关键词：鳍部侧墙材料层栅介质层去除半导体衬底表面等离子体刻蚀栅极侧壁材料层侧壁上侧墙对侧一侧鳍式场效应晶体管半导体衬底半导体结构隔离层表面表面形成侧壁表面第二角度第一角度栅极表面隔离层一种横跨进行

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栅极工艺的监测版图及监测方法

栅极工艺的监测版图及监测方法

引用

作者：胡华勇林益世 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种栅极工艺的监测版图及监测方法，其中，栅极工艺的监测版图包括第一监测版图和第二监测版图，第一监测版图包括：第一衬底；第一初始栅极；覆盖第一初始栅极表面的第一掩膜层；覆盖第一掩膜层表面的第一图形转移层；覆盖第一图形转... 详细信息

标准号: CN104900550B

一种栅极工艺的监测版图及监测方法，其中，栅极工艺的监测版图包括第一监测版图和第二监测版图，第一监测版图包括：第一衬底；第一初始栅极；覆盖第一初始栅极表面的第一掩膜层；覆盖第一掩膜层表面的第一图形转移层；覆盖第一图形转移层表面的具有第一图形的第一光刻胶层；第二监测版图包括：第二衬底；第二初始栅极；位于第二初始栅极表面的具有第二图形的第二掩膜层；覆盖第二掩膜层表面、以及暴露出的第二初始栅极表面的第二图形转移层；覆盖第二图形转移层表面的具有第三图形的第二光刻胶层。本发明既能获取栅极工艺的ADI监测结果又能获取AEI监测结果，通过ADI监测结果和AEI监测结果及时调整栅极工艺，提高半导体生产良率。

关键词：监测版图监测结果图形转移栅极工艺掩膜层栅极表面覆盖光刻胶层衬底半导体生产良率暴露监测

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顶栅薄膜晶体管的制作方法及顶栅薄膜晶体管

顶栅薄膜晶体管的制作方法及顶栅薄膜晶体管

引用

作者：张合静葛世民 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

本发明提供一种顶栅薄膜晶体管的制作方法及顶栅薄膜晶体管，所述制作方法包括如下步骤：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括源区、漏区及沟道区；在所述氧化物半导体层上沟道区对应位置形成... 详细信息

标准号: CN106409842A

本发明提供一种顶栅薄膜晶体管的制作方法及顶栅薄膜晶体管，所述制作方法包括如下步骤：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括源区、漏区及沟道区；在所述氧化物半导体层上沟道区对应位置形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极表面、所述氧化物半导体层表面及玻璃基板表面采用化学气相沉积的方法沉积层间介质，所述源区及漏区表面导体化；形成源极及漏极，所述源极及漏极分别与所述氧化物半导体层的源区及漏区电连接。本发明的优点在于，能够在沉积层间介质时便可导体化，可以保证较高的迁移率及开态电流。

关键词：氧化物半导体层漏区源区顶栅薄膜晶体管栅极绝缘层玻璃基板沉积层沟道区漏极源极玻璃基板表面化学气相沉积表面导体开态电流栅极表面导体化电连接迁移率制作保证

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通过可移除侧墙集成工艺增强应力记忆效应的方法

通过可移除侧墙集成工艺增强应力记忆效应的方法

引用

作者：郑春生 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

本发明提供一种通过可移除侧墙集成工艺增强应力记忆效应的方法，包括步骤：首先，在具有浅沟槽、栅极结构和轻掺杂漏/源区的硅衬底表面及栅极表面、侧壁上淀积一无定形碳层，刻蚀除去多余的无定形碳层形成栅极侧墙。其次，在硅衬底表... 详细信息

标准号: CN102637603B

本发明提供一种通过可移除侧墙集成工艺增强应力记忆效应的方法，包括步骤：首先，在具有浅沟槽、栅极结构和轻掺杂漏/源区的硅衬底表面及栅极表面、侧壁上淀积一无定形碳层，刻蚀除去多余的无定形碳层形成栅极侧墙。其次，在硅衬底表面、栅极及栅极侧墙表面淀积一氮化硅薄膜层，并对氮化硅薄膜层下的整个硅衬底进行漏/源粒子的注入。接着，除去氮化硅薄膜层和侧墙，在硅衬底表面及栅极表面、侧壁上淀积一应力氮化硅层，对整个器件进行退火处理。最后，除去应力氮化硅层，进行后续硅化物形成过程。

关键词：氮化硅薄膜硅衬底表面淀积氮化硅层栅极表面栅极侧墙侧壁定形集成工艺记忆效应退火处理无定形碳栅极结构硅衬底硅化物浅沟槽刻蚀碳层移除粒子掺杂

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改善RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法

改善RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法

引用

作者：黄志刚 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明公开了一种改善RF？LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法，包括：1)在栅极形成之后，在晶圆表面沉积一层氧化膜，然后再涂一层有机抗反射层；2)进行有机抗反射层和氧化膜回刻，并控制有机抗反射层的刻蚀时间，使栅极上的有机抗反... 详细信息

标准号: CN103094088B

本发明公开了一种改善RF？LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法，包括：1)在栅极形成之后，在晶圆表面沉积一层氧化膜，然后再涂一层有机抗反射层；2)进行有机抗反射层和氧化膜回刻，并控制有机抗反射层的刻蚀时间，使栅极上的有机抗反射层和氧化膜刻蚀干净；3)进行栅极回刻，使栅极的高度低于侧墙的高度；4)去除有机抗反射层；5)形成金属硅化物。本发明能在栅极表面形成比较均匀的金属硅化物，因而能改善后续接触孔连接的阻值的稳定性，为提高器件的性能奠定基础。

关键词：有机抗反射层氧化膜金属硅化物回刻一层栅极金属硅化物晶圆表面刻蚀时间栅极表面接触孔侧墙沉积刻蚀去除一种均匀改善干净后续连接低于进行公开控制

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一种悬浮式多爪栅极组合及其装配方法

一种悬浮式多爪栅极组合及其装配方法

引用

作者：苏宇刘希强任旭升张爱民王涛 710065 陕西省西安市雁塔区电子一路92号

本发明属于离子源技术，涉及一种悬浮式多爪栅极的注塞式绝缘紧固结构及装配方法。本发明中栅极表面具有蜂窝排布的小孔，栅极的外围为圆对称的悬浮式多爪结构，三片栅极间依靠这些悬浮爪进行紧固，采用螺杆贯穿式紧固结构固定三片栅极... 详细信息

标准号: CN104715986B

本发明属于离子源技术，涉及一种悬浮式多爪栅极的注塞式绝缘紧固结构及装配方法。本发明中栅极表面具有蜂窝排布的小孔，栅极的外围为圆对称的悬浮式多爪结构，三片栅极间依靠这些悬浮爪进行紧固，采用螺杆贯穿式紧固结构固定三片栅极的每个爪，栅极之间采用凹型绝缘陶瓷和凸型绝缘陶瓷配合支撑，并可以使用金属薄垫片进行三片栅极间的间距调节。本发明通过对悬浮爪的调节，在保证栅极间距一致性的同时，降低了对三片栅极面形一致性的要求，两种类型陶瓷的配合使用提高了栅极间绝缘度，保障高温工作条件下大束压、大束流离子束的稳定引出。

关键词：紧固结构绝缘陶瓷悬浮式悬浮大束流离子束高温工作条件多爪结构间距调节栅极表面薄垫片贯穿式绝缘度离子源圆对称凹型多爪紧固螺杆面形排布凸型小孔注塞绝缘蜂窝装配陶瓷外围金属支撑配合保证

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一种二氧化硅金属阻挡层的淀积方法

一种二氧化硅金属阻挡层的淀积方法

引用

作者：宣国芳罗飞 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

本发明涉及一种二氧化硅金属阻挡层的淀积方法，应用于具有一硅衬底、栅极和栅极侧壁的晶体管器件。包括如下步骤：进行离子注入工艺，在硅衬底内形成有源区；沉积一层致密的第一二氧化硅薄膜；沉积一层普通的第二二氧化硅薄膜；对所述... 详细信息

标准号: CN103177956B

本发明涉及一种二氧化硅金属阻挡层的淀积方法，应用于具有一硅衬底、栅极和栅极侧壁的晶体管器件。包括如下步骤：进行离子注入工艺，在硅衬底内形成有源区；沉积一层致密的第一二氧化硅薄膜；沉积一层普通的第二二氧化硅薄膜；对所述晶体管器件采用高温热退火工艺；制备一层氮化硅膜覆盖于所述第二二氧化硅薄膜的表面；采用光刻工艺对所述氮化硅膜进行选择性的暴露；去除部分所述氮化硅膜；去除部分所述第二二氧化硅薄膜；去除部分所述第一二氧化硅薄膜；制备金属硅化物覆盖暴露的所述硅衬底和暴露的所述栅极表面。本发明在保证了注入离子在退火工艺中不被析出的同时，还避免了硅表面的翘曲和碎片的问题。

关键词：二氧化硅薄膜氮化硅膜去除部分硅衬底一层晶体管器件沉积制备暴露退火致密离子注入工艺高温热退火金属硅化物金属阻挡层析出二氧化硅光刻工艺栅极表面栅极侧壁注入离子硅表面有源区淀积覆盖翘曲一种进行普通应用涉及保证

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