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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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235 篇 专利
34 篇 期刊文献
9 篇 学位论文
3 篇 会议
2 篇 报纸

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283 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

31 篇 工学
- 27 篇 电子科学与技术（可...
- 2 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 软件工程
- 1 篇 机械工程
- 1 篇 电气工程
- 1 篇 控制科学与工程
14 篇 教育学
- 14 篇 教育学
5 篇 经济学
- 5 篇 应用经济学
1 篇 法学
- 1 篇 政治学
- 1 篇 马克思主义理论
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

48 篇 模拟集成电路设计
3 篇 运算放大器
3 篇 带隙基准源
3 篇 教学改革
2 篇 电路仿真
2 篇 温度系数
2 篇 电源抑制比
2 篇 模拟电路
2 篇 cmos集成电路
2 篇 设计方法
2 篇 电流反馈运算放大...
2 篇 教学内容
2 篇 微电子
2 篇 案例教学
2 篇 eda
2 篇 课程改革
2 篇 版图设计
2 篇 设计平台
1 篇 能量转化
1 篇 伯克利

机构

65 篇 天津大学
43 篇 清华大学
33 篇 电子科技大学
10 篇 复旦大学
8 篇 中国科学院微电子...
6 篇 无锡中科微电子工...
6 篇 厦门理工学院
4 篇 烽火通信科技股份...
4 篇 西安电子科技大学
4 篇 恪纳腾技术公司
3 篇 重庆中易智芯科技...
3 篇 重庆邮电大学
3 篇 杭州电子科技大学
2 篇 华中科技大学
2 篇 上海赛鹰微电子有...
2 篇 河南科技大学
2 篇 上海南芯半导体科...
2 篇 西安交通大学
2 篇 成都铭科思微电子...
2 篇 中芯国际集成电路...

作者

59 篇 高静
58 篇 徐江涛
43 篇 史再峰
36 篇 聂凯明
22 篇 姚素英
18 篇 王敬
18 篇 方华军
18 篇 赵晓
18 篇 许军
18 篇 梁仁荣
14 篇 高志远
12 篇 李靖
11 篇 于奇
11 篇 宁宁
10 篇 王志华
10 篇 朱昆昆
9 篇 张春
9 篇 李泽宏
8 篇 张波
8 篇 石跃

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283 篇 中文

检索条件"主题词=模拟集成电路设计"

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CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器

CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器

引用

作者：姚素英聂凯明徐江涛高静史再峰王彬徐新楠 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，扩大TDI技术的应用范围，本发明采取的技术方案是，CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器，包括：两个差分采样电容Cs+和Cs-、全差分运放、两条输入... 详细信息

标准号: CN102595060A

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，扩大TDI技术的应用范围，本发明采取的技术方案是，CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器，包括：两个差分采样电容Cs+和Cs-、全差分运放、两条输入总线、两条输出总线、n+1组积分器，CMOS-TDI图像传感器采用过采样率为(n+1)/n的滚筒式曝光，采样电容Cs+和Cs-的左极板分别连接到像素阵列的列总线上和某个参考电压Vref上，采样电容Cs+和Cs-的右极板分别连接到全差分运放的正、负输入端。本发明主要应用于半导体图像传感器的设计制造。

关键词：采样电容总线差分图像传感器极板模拟集成电路设计参考电压设计制造像素阵列采样率滚筒式积分器累加器输入端连接半导体曝光内部

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电荷域、模拟域混合型CMOS‑TDI图像传感器

电荷域、模拟域混合型CMOS‑TDI图像传感器

引用

作者：姚素英于长伟聂凯明徐江涛高静 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为降低电荷域累加方案中对电荷传输效率和满阱容量的要求，也降低模拟域累加方案对速度的要求，同时优于单独使用模拟累加方案。本发明采用的技术方案是，电荷域、模拟域混合型CMOS‑TDI图像传感器，由... 详细信息

标准号: CN107046627A

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为降低电荷域累加方案中对电荷传输效率和满阱容量的要求，也降低模拟域累加方案对速度的要求，同时优于单独使用模拟累加方案。本发明采用的技术方案是，电荷域、模拟域混合型CMOS‑TDI图像传感器，由像素阵列、电荷域累加器、模拟域累加器阵列、ADC阵列、移位寄存器、时序控制模块构成，像素阵列大小为L列N行，电荷域累加器共有M级，模拟域累加器阵列为K级，其中N＝M×K；电荷域累加器是使用CMOS工艺完成CCD功能，即让电荷在相邻势阱中转移，模拟域累加器阵列为电容累加方式；先电荷域累加后将信号送到模拟累加器中进行第二次累加后形成最终输出。本发明主要应用于模拟集成电路设计。

关键词：电荷域累加器累加模拟域模拟集成电路设计像素阵列电荷传输效率时序控制模块累加器阵列移位寄存器单独使用累加方式电荷电容势阱输出应用子像素阵列累加像素读出存储采样电容像素阵列电容累加器捕捉曝光图像传感器参考电压存储电容复位信号两端电压像素信号采样复位运放电荷输出积分电路曝光结果信号使能移动物体闭合电荷域关断使能寄存器阵列电荷信号读出存储读出电路累加结果输出信号像素存储像素组成信号读取信号累加次像素混合域模拟域电路量化送入拍摄

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用于RFID读写器的可变带宽滤波电路

用于RFID读写器的可变带宽滤波电路

引用

作者：王自强高天宝张春王志华 100084 北京市100084-82信箱

本发明公开了属于模拟集成电路设计领域，特别涉及RFID读写器的射频接收机中耦合滤波电路的一种用于RFID读写器的可变带宽滤波电路。在直接变频的下变频混频器和中频放大器之间连接电容C和电阻R组成的高通滤波器；在电阻R两端并联可控的... 详细信息

标准号: CN101145207B

本发明公开了属于模拟集成电路设计领域，特别涉及RFID读写器的射频接收机中耦合滤波电路的一种用于RFID读写器的可变带宽滤波电路。在直接变频的下变频混频器和中频放大器之间连接电容C和电阻R组成的高通滤波器；在电阻R两端并联可控的MOS管开关，构成具有可变带宽的高速滤波电路。应用于RFID读写器集成电路，该高通滤波电路以滤除直接变频引入的直流和低频分量。通过对滤波电路中的电阻两端并联可控开关，使其在特定的输入信号下，高通滤波电路的带宽随信号而改变，从而具有快速的时域响应，提高了读写器的速度。

关键词：滤波电路电阻可变带宽变频并联读写器模拟集成电路设计耦合滤波电路高通滤波器射频接收机中频放大器低频分量输入信号混频器控开关下变频电容时域集成电路带宽连接响应

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基于交叉容错读出的3D堆叠结构图像传感器读出方法

基于交叉容错读出的3D堆叠结构图像传感器读出方法

引用

作者：高静李奕黄蕊贾宬 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及3D堆叠结构图像传感器、模拟集成电路设计，为提出一种基于线性插值算法和交叉容错读出方法的3D堆叠结构图像传感器，消除由于μbump、ADC或TSV失效使整个像素阵列信号无法读出而最终导致图像质量降低的问题。本发明：基于交... 详细信息

标准号: CN105744185A

本发明涉及3D堆叠结构图像传感器、模拟集成电路设计，为提出一种基于线性插值算法和交叉容错读出方法的3D堆叠结构图像传感器，消除由于μbump、ADC或TSV失效使整个像素阵列信号无法读出而最终导致图像质量降低的问题。本发明：基于交叉容错读出的3D堆叠结构图像传感器读出方法，设M表示共享1个因模数转换器ADC的像素数目，N表示共用1个ADC的像素之间的间隔，图像传感器像素采用背照工艺实现，当某一个像素信号读出通路上的微凸块μbump、ADC或硅片通道TSV失效时，则利用其相邻像素信号在图像信号处理器ISP中采用线性插值的方法恢复该失效像素信号。本发明主要应用于图像传感器设计制造场合。

关键词：图像传感器读出堆叠结构像素信号像素模拟集成电路设计图像传感器像素图像信号处理器线性插值算法模数转换器工艺实现相邻像素阵列信号整个像素质量降低微凸块硅片图像共享应用制造恢复

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用于两线串行接口的双向缓冲器电路

用于两线串行接口的双向缓冲器电路

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作者：秦大威王丽芳金锐 430000 湖北省武汉市东湖高新技术开发区高新四路6号

本发明公开了一种用于两线串行接口的双向缓冲器电路，涉及模拟集成电路设计领域，包括：总线主机，其包括主机数据总线SDAM，主机数据总线SDAM通过上拉电阻RM与电源VDM相连，并通过寄生电容CM接地；总线从机，其包括从机数据总线SDAS... 详细信息

标准号: CN108052475B

本发明公开了一种用于两线串行接口的双向缓冲器电路，涉及模拟集成电路设计领域，包括：总线主机，其包括主机数据总线SDAM，主机数据总线SDAM通过上拉电阻RM与电源VDM相连，并通过寄生电容CM接地；总线从机，其包括从机数据总线SDAS，从机数据总线SDAS通过上拉电阻RS与电源VDS相连，并通过寄生电容CS接地；以及双向缓冲器，其包括缓冲器BUF1、缓冲器BUF2和开关信号CNCT，缓冲器BUF2的输出与缓冲器BUF1的输入相连的同时并均与主机数据总线SDAM相连，缓冲器BUF1的输出与缓冲器BUF2的输入相连的同时并均与从机数据总线SDAS相连，开关信号CNCT用于控制缓冲器BUF1和缓冲器BUF2的开启和关闭。本发明当总线布线距离较长或者总线上连接的总线从机过多时也不会影响总线信号质量。

关键词：缓冲器总线主机数据总线机数据寄生电容开关信号上拉电阻接地电源模拟集成电路设计双向缓冲器电路控制缓冲器双向缓冲器布线距离串行接口影响总线总线主机输出

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采用MOS器件实现的低压低功耗带隙基准电压源

采用MOS器件实现的低压低功耗带隙基准电压源

引用

作者：方华军赵晓许军梁仁荣王敬 100084 北京市海淀区北京市100084-82信箱

本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种采用MOS器件实现的低压低功耗带隙基准电压源，采用CMOS工艺实现，包括一个产生与温度成正比例关系电流的电路、一个产生与温度成负比例关系电流的电路、温度二次补偿电路以及启动电路；产... 详细信息

标准号: CN102096436B

本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种采用MOS器件实现的低压低功耗带隙基准电压源，采用CMOS工艺实现，包括一个产生与温度成正比例关系电流的电路、一个产生与温度成负比例关系电流的电路、温度二次补偿电路以及启动电路；产生与温度成正比例关系电流的电路通过一个电阻得到一个与温度成正比例的电压，同时产生与温度成负比例关系电流的电路也通过该电阻得到一个与温度成负比例的电压，两个电压相加得到一个与温度无关的基准电压；另外，温度二次补偿电路用来补偿基准电压源的高阶温度系数，从而得到更低的温漂系数；本发明具有低静态功耗；低温漂系数；同时还可以工作在低电压的环境中等诸多优点，进一步提高该电路的性能。

关键词：电路电流电压基准电压源正比例关系补偿电路电阻二次模拟集成电路设计低压低功耗基准电压静态功耗启动电路温度系数低温漂高阶补偿

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局部产生子数模转换器参考电压的模数转换器

局部产生子数模转换器参考电压的模数转换器

引用

作者：聂凯明潘志红高志远徐江涛高静王耕耘张旭 300072 天津市卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为改变现有技术由电压源直接为ADC结构中的子数模转换器提供参考电压的方式，改为局部产生每列ADC中子数模转换器的参考电压，从而避免读出电路列与列之间的串扰、降低噪声、提高精度。本发明，局部产... 详细信息

标准号: CN113542642B

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为改变现有技术由电压源直接为ADC结构中的子数模转换器提供参考电压的方式，改为局部产生每列ADC中子数模转换器的参考电压，从而避免读出电路列与列之间的串扰、降低噪声、提高精度。本发明，局部产生子数模转换器参考电压的模数转换器，每个子数模转换器的输入连接一个对应的子模数转换器输出的数字码，该数字码决定了子数模转换器输出的理论参考电压大小；采样电容和运放构成乘二放大电路，一组采样电容的一端连接运放输入端、另一端连接实际参考电压，即子数模转换器的输出。本发明主要应用于模拟集成电路设计制造场合。

关键词：子数模转换器参考电压模拟集成电路设计采样电容数字码输出子模数转换器模数转换器数模转换器读出电路放大电路降低噪声输入连接一端连接电压源输入端串扰运放应用制造

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一种低杂散的模拟锁相环线性化电路

一种低杂散的模拟锁相环线性化电路

引用

作者：张雷袁泽心 100084 北京市海淀区清华园1号

本发明涉及一种低杂散的模拟锁相环线性化电路，属于模拟集成电路设计技术领域。本发明由鉴频鉴相器、电荷泵、脉冲电流源、脉冲产生器、压控振荡器、分频器以及误差积累调制器组成。所述脉冲产生器控制脉冲电流源产生一定脉宽的电流，... 详细信息

标准号: CN111884650B

本发明涉及一种低杂散的模拟锁相环线性化电路，属于模拟集成电路设计技术领域。本发明由鉴频鉴相器、电荷泵、脉冲电流源、脉冲产生器、压控振荡器、分频器以及误差积累调制器组成。所述脉冲产生器控制脉冲电流源产生一定脉宽的电流，将稳态下的锁定点移动到电荷泵的线性工作区，从而减小量化噪声折叠效应以及压控振荡器输入电压的瞬间纹波。本发明的低杂散的模拟锁相环线性化电路，达到了既可以使得PLL工作在CP线性区域又不引起显著参考杂散的电路结构的效果。

关键词：杂散脉冲产生器压控振荡器电荷泵环线电路模拟集成电路设计鉴频鉴相器脉冲电流源线性工作区电路结构定点移动控制脉冲量化噪声输入电压误差积累线性区域电流源调制器分频器折叠减小脉宽纹波稳态参考

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应用于低速采样保持电路的低漏电模拟开关

应用于低速采样保持电路的低漏电模拟开关

引用

作者：徐江涛史晓琳聂凯明高静高志远 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为使S/H电路能够更好的实现采样与保持功能，提高其采样精确程度，减少模拟开关电荷泄漏，进而扩大S/H电路的应用范围，提出一种应用于低速采样保持电路中可实现较低电荷泄漏的模拟开关设计。本发明采... 详细信息

标准号: CN106027010A

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为使S/H电路能够更好的实现采样与保持功能，提高其采样精确程度，减少模拟开关电荷泄漏，进而扩大S/H电路的应用范围，提出一种应用于低速采样保持电路中可实现较低电荷泄漏的模拟开关设计。本发明采用的技术方案是，应用于低速采样保持电路的低漏电模拟开关，由传输门TG1、TG2、TG3及运算放大器组成，传输门TG1、TG2串接，传输门TG2输出端连接运算放大器同相输入端，运算放大器输出端经传输门TG3连接传输门TG2输入端，运算放大器反相输入端与输出端相连。本发明主要应用于模拟集成电路设计制造场合。

关键词：运算放大器模拟开关传输门模拟集成电路设计采样保持电路电荷泄漏采样应用运算放大器输出端反相输入端输出端连接输出端相连同相输入端漏电经传输门连接传输输入端串接制造

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一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路

一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路

引用

作者：聂辉鲁文高陈中建赵汗青方然王冠男张雅聪吉利久 100871 北京市海淀区颐和园路5号

本发明提供一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路，属于微电子模拟集成电路设计领域。本发明利用带隙基准核心电路在误差放大器的环路控制内，且误差放大器的电源电压抑制比等于或近似为1，实现带隙基准源宽电源电压范... 详细信息

标准号: CN101916128A

本发明提供一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路，属于微电子模拟集成电路设计领域。本发明利用带隙基准核心电路在误差放大器的环路控制内，且误差放大器的电源电压抑制比等于或近似为1，实现带隙基准源宽电源电压范围、低功耗、自偏置等特性，本发明带隙基准源产生电路通过对其中运算放大器电路的合适设计，在其他性能保证的情况下，显著提高带隙基准源的电源抑制比。电路实现复杂度低，可在相同代价的情况下实现更有竞争力的性能，具有很高的实际应用价值。

关键词：基准源误差放大器电路带隙基准源输出电源模拟集成电路设计电源电压抑制比运算放大器电路电源电压范围电源抑制比电路实现核心电路环路控制性能保证应用价值低功耗复杂度偏置微电子竞争力

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