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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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235 篇 专利
34 篇 期刊文献
9 篇 学位论文
3 篇 会议
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283 篇 电子文献
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学科分类号

31 篇 工学
- 27 篇 电子科学与技术（可...
- 2 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 软件工程
- 1 篇 机械工程
- 1 篇 电气工程
- 1 篇 控制科学与工程
14 篇 教育学
- 14 篇 教育学
5 篇 经济学
- 5 篇 应用经济学
1 篇 法学
- 1 篇 政治学
- 1 篇 马克思主义理论
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

48 篇 模拟集成电路设计
3 篇 运算放大器
3 篇 带隙基准源
3 篇 教学改革
2 篇 电路仿真
2 篇 温度系数
2 篇 电源抑制比
2 篇 模拟电路
2 篇 cmos集成电路
2 篇 设计方法
2 篇 电流反馈运算放大...
2 篇 教学内容
2 篇 微电子
2 篇 案例教学
2 篇 eda
2 篇 课程改革
2 篇 版图设计
2 篇 设计平台
1 篇 能量转化
1 篇 伯克利

机构

65 篇 天津大学
43 篇 清华大学
33 篇 电子科技大学
10 篇 复旦大学
8 篇 中国科学院微电子...
6 篇 无锡中科微电子工...
6 篇 厦门理工学院
4 篇 烽火通信科技股份...
4 篇 西安电子科技大学
4 篇 恪纳腾技术公司
3 篇 重庆中易智芯科技...
3 篇 重庆邮电大学
3 篇 杭州电子科技大学
2 篇 华中科技大学
2 篇 上海赛鹰微电子有...
2 篇 河南科技大学
2 篇 上海南芯半导体科...
2 篇 西安交通大学
2 篇 成都铭科思微电子...
2 篇 中芯国际集成电路...

作者

59 篇 高静
58 篇 徐江涛
43 篇 史再峰
36 篇 聂凯明
22 篇 姚素英
18 篇 王敬
18 篇 方华军
18 篇 赵晓
18 篇 许军
18 篇 梁仁荣
14 篇 高志远
12 篇 李靖
11 篇 于奇
11 篇 宁宁
10 篇 王志华
10 篇 朱昆昆
9 篇 张春
9 篇 李泽宏
8 篇 张波
8 篇 石跃

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283 篇 中文

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大摆幅输入的线性稳压电源电路

大摆幅输入的线性稳压电源电路

引用

作者：高静王君史再峰徐江涛姚素英 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明设计模拟集成电路设计领域，为大摆幅输入电压(几十伏特摆动)系统提供稳压电压源的线性电压源电路，为此，本发明采用的技术方案是，大摆幅输入的线性稳压电源电路，由两个低压差线性稳压源、开关、容值较小的电容、判断模块以及... 详细信息

标准号: CN103345288B

本发明设计模拟集成电路设计领域，为大摆幅输入电压(几十伏特摆动)系统提供稳压电压源的线性电压源电路，为此，本发明采用的技术方案是，大摆幅输入的线性稳压电源电路，由两个低压差线性稳压源、开关、容值较小的电容、判断模块以及延迟模块组成，判断模块输出使能信号控制第一个低压差线性稳压源的开启或者关闭，并在第一个低压差线性稳压源关闭时控制开关闭合，使输入信号直接通过第二个低压差线性稳压源输出；或者，在第一个低压差线性稳压源开启时控制开关打开，使输入信号依次通过第一个低压差线性稳压源、第二个低压差线性稳压源输出。本发明主要应用于模拟集成电路设计。

关键词：线性稳压模拟集成电路设计输入信号摆幅电路线性稳压电源线性电压信号控制延迟模块电压源电容稳压电压

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应用于低速采样保持电路的低漏电模拟开关

应用于低速采样保持电路的低漏电模拟开关

引用

作者：徐江涛史晓琳聂凯明高静高志远 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为使S/H电路能够更好的实现采样与保持功能，提高其采样精确程度，减少模拟开关电荷泄漏，进而扩大S/H电路的应用范围，提出一种应用于低速采样保持电路中可实现较低电荷泄漏的模拟开关设计。本发明采... 详细信息

标准号: CN106027010A

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为使S/H电路能够更好的实现采样与保持功能，提高其采样精确程度，减少模拟开关电荷泄漏，进而扩大S/H电路的应用范围，提出一种应用于低速采样保持电路中可实现较低电荷泄漏的模拟开关设计。本发明采用的技术方案是，应用于低速采样保持电路的低漏电模拟开关，由传输门TG1、TG2、TG3及运算放大器组成，传输门TG1、TG2串接，传输门TG2输出端连接运算放大器同相输入端，运算放大器输出端经传输门TG3连接传输门TG2输入端，运算放大器反相输入端与输出端相连。本发明主要应用于模拟集成电路设计制造场合。

关键词：运算放大器模拟开关传输门模拟集成电路设计采样保持电路电荷泄漏采样应用运算放大器输出端反相输入端输出端连接输出端相连同相输入端漏电经传输门连接传输输入端串接制造

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一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路

一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路

引用

作者：聂辉鲁文高陈中建赵汗青方然王冠男张雅聪吉利久 100871 北京市海淀区颐和园路5号

本发明提供一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路，属于微电子模拟集成电路设计领域。本发明利用带隙基准核心电路在误差放大器的环路控制内，且误差放大器的电源电压抑制比等于或近似为1，实现带隙基准源宽电源电压范... 详细信息

标准号: CN101916128A

本发明提供一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路，属于微电子模拟集成电路设计领域。本发明利用带隙基准核心电路在误差放大器的环路控制内，且误差放大器的电源电压抑制比等于或近似为1，实现带隙基准源宽电源电压范围、低功耗、自偏置等特性，本发明带隙基准源产生电路通过对其中运算放大器电路的合适设计，在其他性能保证的情况下，显著提高带隙基准源的电源抑制比。电路实现复杂度低，可在相同代价的情况下实现更有竞争力的性能，具有很高的实际应用价值。

关键词：基准源误差放大器电路带隙基准源输出电源模拟集成电路设计电源电压抑制比运算放大器电路电源电压范围电源抑制比电路实现核心电路环路控制性能保证应用价值低功耗复杂度偏置微电子竞争力

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提高图像传感器模拟域累加器累加效果的装置和方法

提高图像传感器模拟域累加器累加效果的装置和方法

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作者：姚素英夏雨徐江涛聂凯明史再峰 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为大幅度增加高级数模拟域CMOS-TDI图像传感器的等效累加级数及信噪比提升幅度。为此，本发明采用的技术方案是，提高图像传感器模拟域累加器累加效果的方法，利用n行×m列的像素阵列、两步式模拟... 详细信息

标准号: CN104219469A

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为大幅度增加高级数模拟域CMOS-TDI图像传感器的等效累加级数及信噪比提升幅度。为此，本发明采用的技术方案是，提高图像传感器模拟域累加器累加效果的方法，利用n行×m列的像素阵列、两步式模拟域累加器、列并行ADC、水平移位寄存器实现，采用欠采样率为(n-1)/n的逆序滚筒式曝光，具体实现为在一个渡越时间内从第n行像素到第2行像素逐次开始曝光，在下一个渡越时间开始时，第1行像素接着曝光，然后，再从第n行像素开始曝光，这样在一个渡越时间内n行像素会输出(n-1)个数据。本发明主要应用于模拟集成电路设计、图像传感器设计。

关键词：像素图像传感器模拟集成电路设计曝光累加累加器水平移位寄存器具体实现像素阵列并行ADC 采样率滚筒式信噪比

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采用MOS器件实现的低功耗带宽倍增运算放大器

采用MOS器件实现的低功耗带宽倍增运算放大器

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作者：方华军赵晓梁仁荣王敬许军 100084 北京市海淀区北京市100084-82信箱

本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种采用MOS器件实现的低功耗带宽倍增运算放大器，包括由两个NMOS管和两个PMOS管组成的分流输入级，其将输入电压信号转换成电流信号，并形成正反双向小信号电流；由四个低压电流镜组成的放大... 详细信息

标准号: CN102158188A

本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种采用MOS器件实现的低功耗带宽倍增运算放大器，包括由两个NMOS管和两个PMOS管组成的分流输入级，其将输入电压信号转换成电流信号，并形成正反双向小信号电流；由四个低压电流镜组成的放大回收电流的中间级，实现放大回收电流的作用；由四个PMOS管和四个NMOS管组成的轨到轨输出级，实现信号的轨到轨输出；本发明具有在不明显增加功耗的情况下提高三倍以上带宽的能力；增加低频增益和大信号摆率；同时还可以工作在低电压的环境中增加输入/输出信号幅度等诸多优点。其中的各个MOS器件可采用常规MOS晶体管，也可以采用高迁移率的应变硅MOS器件，以进一步提高该电路的性能。

关键词：电流带宽放大模拟集成电路设计转换成电流信号运算放大器输入/输出低压电流电压信号信号幅度回收低功耗迁移率输入级小信号应变硅增益功耗电压电路分流

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一种电荷泵电路

一种电荷泵电路

引用

作者：伍冬潘立阳段志刚朱钧 100084 北京市100084-82信箱

一种电荷泵电路属于模拟集成电路设计技术领域，尤其涉及非易失性存储器中高压电荷泵电路系统的设计。其特征是，它在时钟产生模块和耦合电容之间连接一个耦合电容控制器，其控制信号来自比较器输出端；它含有两个传输门，比较器输出端... 详细信息

标准号: CN1233086C

一种电荷泵电路属于模拟集成电路设计技术领域，尤其涉及非易失性存储器中高压电荷泵电路系统的设计。其特征是，它在时钟产生模块和耦合电容之间连接一个耦合电容控制器，其控制信号来自比较器输出端；它含有两个传输门，比较器输出端分别通过两个倒相器连接两个传输门PMOS管栅极，比较器输出端直接连接两个传输门NMOS管栅极；两个传输门输入端分别连接两相时钟信号，两个输出端分别交替连接电荷泵的耦合电容。还采用了耦合电容分离法，使电荷泵不会处于停止状态，在输出高压超过预值后仍具有一定驱动能力，使高压输出端电压值下降不会太快，以保持输出端电压稳定。本发明能够大大降低电荷泵的功耗，并能得到高精度的输出高压。

关键词：传输门输出端耦合电容比较器电荷泵连接电荷泵电路端电压模拟集成电路设计非易失性存储器耦合电容控制器时钟产生模块高压输出控制信号驱动能力时钟信号分离法高精度输入端功耗两相停止

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一种低共模电压变化的逐次逼近模数转换器电容开关方法

一种低共模电压变化的逐次逼近模数转换器电容开关方法

引用

作者：王巍刘博文赵汝法樊琦 408099 重庆市涪陵区鹤滨路24号附8号1-2

本发明请求保护一种低共模电压变化的逐次逼近模数转换器中的电容开关方法，属于模拟集成电路设计领域，用于差分电容阵列的开关逻辑的设计。本发明所设计的低共模电压变化的逐次逼近模数转换器，通过特殊的开关顺序设计，不增加额外的... 详细信息

标准号: CN113691260A

本发明请求保护一种低共模电压变化的逐次逼近模数转换器中的电容开关方法，属于模拟集成电路设计领域，用于差分电容阵列的开关逻辑的设计。本发明所设计的低共模电压变化的逐次逼近模数转换器，通过特殊的开关顺序设计，不增加额外的电路与功耗。在获得优异的工作性能的同时，使得整个工作中比较器输入端共模电压变化幅度较传统及众多改进型电容开关有大幅下降。比较器输入端较低的共模电压变化，非常有利于高精度的逐次逼近模数转换器中带有前置放大器的比较器的正常工作，从而提高转换器的整体性能。本发明所设计的电容开关适用性强，可适用于大多数差分电容阵列结构的逐次逼近模数转换电路，并且同时适用电容上极板采样和下极板采样模式。

关键词：逐次逼近模数转换器电容开关比较器输入端低共模电压差分电容共模电压电路模拟集成电路设计逐次逼近模数转换转换器前置放大器变化幅度采样模式工作性能开关逻辑顺序设计阵列结构比较器改进型上极板下极板电容采样功耗

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一种具有高增益特性的推挽放大器

一种具有高增益特性的推挽放大器

引用

作者：周泽坤张家豪曹建文汪尧石跃王卓张波 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

本发明属于模拟集成电路设计领域，具体的说是涉及一种具有高增益特性的推挽放大器。本发明的电路将第一级出来的信号拆分开来，下拉电流由共源级NMOS管替代PMOS follower，上拉电流由共源级NMOS输出接NPN管的follower提供，形成输出级... 详细信息

标准号: CN107196612B

本发明属于模拟集成电路设计领域，具体的说是涉及一种具有高增益特性的推挽放大器。本发明的电路将第一级出来的信号拆分开来，下拉电流由共源级NMOS管替代PMOS follower，上拉电流由共源级NMOS输出接NPN管的follower提供，形成输出级。同时，加入RZ和CC分离主极点和输出极点，通过将输出极点推向高频来实现高带宽。第一级通过折叠式Cascode提供高输出阻抗以形成主极点。本发明的有益效果是：本发明的放大器实现了高增益，高带宽，高SR，解决了传统功率放大电路无法兼顾电流增益和电压增益的问题。

关键词：输出极点第一级高带宽高增益共源级主极点模拟集成电路设计放大器实现高输出阻抗推挽放大器传统功率电流增益电压增益放大电路下拉电流输出级折叠式上拉电路输出替代

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使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统

使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统

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作者：保罗·弗兰克·马雷拉沙伦·麦考利埃利斯·张威廉·沃尔克詹姆斯·威利斯特林·沃森萨加尔·A·克卡尔卡尔·赫斯美国加利福尼亚州

提供了一种使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统。一种计算机实现的方法包括基于检查掩模版所产生的检查数据，标识晶片上的干扰缺陷，在检查所述晶片之前，使用所述掩模版在所述晶片上形成图形。另一种计算机实现的方法包... 详细信息

标准号: CN104698741A

提供了一种使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统。一种计算机实现的方法包括基于检查掩模版所产生的检查数据，标识晶片上的干扰缺陷，在检查所述晶片之前，使用所述掩模版在所述晶片上形成图形。另一种计算机实现的方法包括通过结合代表掩模版的数据分析检查晶片所产生的数据来检测晶片上的缺陷，代表掩模版的数据包括标识所述掩模版不同类型部分的标记物。再一种计算机实现的方法包括基于更改了晶片上形成的器件的特性的缺陷，确定用来处理晶片的制造工艺的性能。又一种计算机实现的方法包括基于检查晶片所产生的数据，更改或者模拟集成电路设计的一个或更多个特性。

关键词：晶片模版计算机实现检查模拟集成电路设计检查数据结合代表数据分析意图数据标记物设计者干扰检测

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高行频CMOS‑TDI图像传感器

高行频CMOS‑TDI图像传感器

引用

作者：聂凯明姚素英徐江涛高志远史再峰高静 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为提供一种为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，提高CMOS‑TDI图像传感器的行频，扩大TDI技术的应用范围，为此，本发明采用的技术方案是，高行频CMOS‑TDI图像传感器，像素由光电二极管、运算放... 详细信息

标准号: CN104219468B

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为提供一种为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，提高CMOS‑TDI图像传感器的行频，扩大TDI技术的应用范围，为此，本发明采用的技术方案是，高行频CMOS‑TDI图像传感器，像素由光电二极管、运算放大器、容值相同积分电容C1和C2、失调电压消除电容C3、开关S1～S10组成；光电二极管的阳极连接到0伏特地线上，光电二极管的阴极连接到开关S9的一端，开关S9的另一端连接到参考电压Vref上；前述像素级联，最后像素N的输出端通过Read读出开关连接到列并行ADC上。本发明主要应用于模拟集成电路设计。

关键词：光电二极管模拟集成电路设计像素行频阴极运算放大器参考电压积分电容开关连接失调电压阳极连接一端连接并行ADC 电容输出端像素级地线读出应用

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