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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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74 篇 专利

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74 篇 电子文献
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6 篇 上海华力微电子有...
4 篇 山东力诺太阳能电...
4 篇 广东工业大学
4 篇 江苏耀鸿电子有限...
3 篇 爱柯迪股份有限公...
3 篇 中芯国际集成电路...
2 篇 佛山新材料研究院
2 篇 中国科学院电工研...
2 篇 武汉理工大学
2 篇 安徽省立医院
2 篇 国际商业机器公司
2 篇 安集微电子有限公...
2 篇 上海华虹nec电子有...
2 篇 青岛瓷兴新材料有...
2 篇 天津国瑞蓝天科技...
2 篇 朗姆研究公司
2 篇 无锡天杨电子有限...
2 篇 东北大学
1 篇 无锡厚发自动化设...
1 篇 镇江环太硅科技有...

作者

4 篇 马继磊
4 篇 崔巍
4 篇 李飞
4 篇 徐振华
4 篇 张春艳
4 篇 任现坤
4 篇 陈应峰
4 篇 张旭升
4 篇 姜言森
4 篇 贾河顺
3 篇 朱恩光
3 篇 李建军
3 篇 范鹏
3 篇 李敏
2 篇 王斌
2 篇 史经深
2 篇 乔星明
2 篇 丹尼斯·m·豪斯曼
2 篇 王小龙
2 篇 蔡鹏涵

语言

74 篇 中文

检索条件"主题词=氮化硅表面"

共 74 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

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一种氮化硅表面金属化方法

一种氮化硅表面金属化方法

引用

作者：惠宇武英斌姜伟伟孙文萍郭佳星刘旭东那兆霖王兴安 116622 辽宁省大连市经济技术开发区学府大街10号

本发明属于金属化技术领域，公开了一种氮化硅表面金属化方法，在氮化硅陶瓷表面覆盖一层金属箔片，然后激光扫描刻蚀，氮化硅陶瓷点火器表面完全金属化，形成氮化硅‑金属复合材料。本发明的技术方案实现了氮化硅陶瓷表面的改性，可在... 详细信息

标准号: CN114230374A

本发明属于金属化技术领域，公开了一种氮化硅表面金属化方法，在氮化硅陶瓷表面覆盖一层金属箔片，然后激光扫描刻蚀，氮化硅陶瓷点火器表面完全金属化，形成氮化硅‑金属复合材料。本发明的技术方案实现了氮化硅陶瓷表面的改性，可在氮化硅陶瓷的表面获得一层均匀、致密且与陶瓷基体之间连接良好的活性金属导电层，缓和了陶瓷基体与金属涂层之间的应力，显著提高了钎焊过程中钎料在陶瓷表面的铺展性和润湿性。

关键词：氮化硅陶瓷陶瓷基体金属化致密金属复合材料氮化硅表面点火器表面金属化技术表面覆盖活性金属激光扫描金属箔片金属涂层钎焊过程陶瓷表面氮化硅导电层铺展性润湿性改性刻蚀钎料缓和

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一种氮化硅材料的表面改性方法和生物陶瓷材料

一种氮化硅材料的表面改性方法和生物陶瓷材料

引用

作者：袁莉娟左飞罗锐鑫何福坡林华泰 510060 广东省广州市越秀区东风东路729号大院

本发明涉及氮化硅陶瓷技术领域，尤其涉及一种氮化硅材料的表面改性方法和生物陶瓷材料。本发明公开了一种氮化硅材料的表面改性方法，包括以下步骤：将氮化硅陶瓷置于碱性溶液中反应。本发明通过使用碱性溶剂对氮化硅陶瓷的表面进行腐... 详细信息

标准号: CN111320493B

本发明涉及氮化硅陶瓷技术领域，尤其涉及一种氮化硅材料的表面改性方法和生物陶瓷材料。本发明公开了一种氮化硅材料的表面改性方法，包括以下步骤：将氮化硅陶瓷置于碱性溶液中反应。本发明通过使用碱性溶剂对氮化硅陶瓷的表面进行腐蚀，除去氮化硅表面的氧化层和晶界，使其表面具有微纳结构，且未破坏氮化硅的稳定性。该表面改性方法提高了氮化硅陶瓷材料表面的生物活性，从而无需使用涂层对其表面进行处理。该氮化硅材料可以作为生物材料，用于细胞的培养，可以优化和改善细胞的黏附、增殖和分化的能力。

关键词：氮化硅材料氮化硅陶瓷表面改性氮化硅陶瓷材料生物陶瓷材料氮化硅表面细胞碱性溶剂碱性溶液生物材料生物活性微纳结构氮化硅氧化层晶界黏附增殖分化腐蚀优化

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一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法

一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法

引用

作者：王斌贺贤汉欧阳鹏孙泉马敬伟戴洪兴 224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号

本发明涉及半导体技术领域。一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超... 详细信息

标准号: CN110993485B

本发明涉及半导体技术领域。一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗；步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。通过以上钝化工序，可有效去除产品表面亲水性键合结构(Si‑OH)，从而降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值，提高产品绝缘可靠性。

关键词：氮化硅陶瓷覆铜基板表面钝化钝化半导体技术领域漂移氮化硅表面绝缘可靠性浓度氢氟酸产品表面超声浸泡环境变化键合结构浸泡清洗去离子水热风烘干图形蚀刻漏电流亲水性异丙醇去除浸泡清洗

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一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法

一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法

引用

作者：李涛周春兰王文静 100190 北京市海淀区中关村北二条6号

一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法。该方法采用质量浓度0.5％～3％的氢氟酸溶液处理氮化硅表面，持续时间5～120秒，以减小薄膜与溶液的接触角，进而增加薄膜表面的亲水性。

标准号: CN102208491B

关键词：氮化硅表面氢氟酸溶液薄膜表面质量浓度亲水性薄膜接触

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一种半导体结构的制备方法及半导体器件的制造方法

一种半导体结构的制备方法及半导体器件的制造方法

引用

作者：张磊郭扬明周微邓会会 311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号(滨富合作区)

本申请提供了一种半导体结构的制备方法及半导体器件的制造方法，上述半导体结构为用于刻蚀的硬掩膜层，该硬掩膜层为PE CVD方式形成的氮化硅材料层，其表面存在大量空位缺陷，在紫外光下通氧气吹扫赢掩膜层表面，O2在185nm紫外光下分解... 详细信息

标准号: CN118098934A

本申请提供了一种半导体结构的制备方法及半导体器件的制造方法，上述半导体结构为用于刻蚀的硬掩膜层，该硬掩膜层为PE CVD方式形成的氮化硅材料层，其表面存在大量空位缺陷，在紫外光下通氧气吹扫赢掩膜层表面，O₂在185nm紫外光下分解成O₃，O₃又在254nm紫外光下分解成O₂和活性氧原子O，该活性氧原子会填充氮化硅表面的空位，形成SI‑O‑N，实现氮化硅表面的钝化，由此使得整个硬掩膜层具有稳定的物理特性，具有稳定的反射率和折射率，从而有利于光刻胶在曝光显影过程中的CD稳定。使硬掩膜层的尺寸不会随着时间变化发生大幅偏移，保证后续形成的多晶硅栅极的尺寸稳定性，有利于获得电学性能稳定的器件。

关键词：硬掩膜层紫外光半导体结构氮化硅表面活性氧原子分解半导体器件氮化硅材料多晶硅栅极电学性能空位缺陷曝光显影物理特性空位偏移反射率光刻胶掩膜层折射率吹扫钝化刻蚀填充制备氧气申请制造保证

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一种化学机械抛光液

一种化学机械抛光液

引用

作者：郁夏盈王晨何华锋李星史经深 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路889号1幢E座第1至第2层以及第3层的部分区域

本发明提供一种化学机械抛光液，包括：研磨颗粒、催化剂、稳定剂、交联大分子表面缺陷抑制剂、氧化剂、水和pH调节剂。本申请的化学机械抛光液实现了同时抛光钨、氧化硅和氮化硅，保证高的钨的抛光速度的同时兼具中等的氧化硅速度和低... 详细信息

标准号: CN113004800B

本发明提供一种化学机械抛光液，包括：研磨颗粒、催化剂、稳定剂、交联大分子表面缺陷抑制剂、氧化剂、水和pH调节剂。本申请的化学机械抛光液实现了同时抛光钨、氧化硅和氮化硅，保证高的钨的抛光速度的同时兼具中等的氧化硅速度和低的氮化硅速度，大大降低了抛光后氮化硅表面的表面缺陷，实现快速平坦化。

关键词：化学机械抛光液抛光氮化硅氧化硅氧化剂氮化硅表面表面缺陷分子表面缺陷抑制研磨颗粒抛光钨平坦化稳定剂催化剂申请保证

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在氮化硅上的光致抗蚀剂图案化

在氮化硅上的光致抗蚀剂图案化

引用

作者： I.塞沙德里 E.A.德席尔瓦刘其俊池澄郭婧 L.梅里汤普森美国纽约阿芒克

本发明的实施方案提供了用于捕获胺的体系和方法。这又减轻了光致抗蚀剂中的不期望的浮渣和底脚效应。聚合物刷接枝到氮化硅表面上。所述聚合物刷的官能团和分子量分别提供质子和施加空间位阻以捕获从氮化硅表面扩散的胺。

标准号: CN111133380B

关键词：氮化硅表面聚合物刷捕获光致抗蚀剂空间位阻质子底脚浮渣接枝施加扩散期望

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浆料用玻璃粉及制备方法、导电浆料及制备方法、电池

浆料用玻璃粉及制备方法、导电浆料及制备方法、电池

引用

作者：王圣琪程意曹媛高佩雯敖毅伟刘海东冈本珍范 213125 江苏省常州市新北区新竹二路88号

本发明公开了一种TOPCon太阳能电池正面导电浆料用玻璃粉及制备方法、导电浆料及制备方法、电池，其中的玻璃粉包括主玻璃料A和副玻璃料B，所述主玻璃料A按照重量计包括以下成分：30‑80wt％B2O3，10‑50wt％SiO2，10‑50wt％SeO2，0‑20wt... 详细信息

标准号: CN117466536A

本发明公开了一种TOPCon太阳能电池正面导电浆料用玻璃粉及制备方法、导电浆料及制备方法、电池，其中的玻璃粉包括主玻璃料A和副玻璃料B，所述主玻璃料A按照重量计包括以下成分：30‑80wt％B₂O₃，10‑50wt％SiO₂，10‑50wt％SeO₂，0‑20wt％氧化物添加剂，所述氧化物添加剂包括PbO、Bi₂O₃、Li₂O、Na₂O、WO₃、ZnO、Al₂O₃、MgO、CaO、BaO中的任意一种或几种组合；所述副玻璃料B为Pb‑Si‑Zn‑B玻璃；所述主玻璃料A和副玻璃料B的重量比为4：1‑1：4。本发明提供的玻璃粉采用高硼硅玻璃为玻璃，该玻璃体系腐蚀性较弱，不易于氮化硅表面反应，可以控制腐蚀深度，减少复合，从而提升开路电压，从而能够解决目前TOPCon电池P型发射极使用导电银铝浆料带来的开路电压下降的问题。

关键词：玻璃粉玻璃料主玻璃氧化物添加剂开路电压制备电池氮化硅表面高硼硅玻璃玻璃太阳能电池玻璃体系导电浆料导电浆导电银铝浆料重量比重量计腐蚀复合

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一种覆铜板用高韧酚醛树脂胶液的制备方法

一种覆铜板用高韧酚醛树脂胶液的制备方法

引用

作者：朱利明陈应峰谢谏诤王小龙 224200 江苏省盐城市东台经济开发区经八路8号

本发明涉及高分子材料技术领域，具体为一种覆铜板用高韧酚醛树脂的制备方法。具体提出如下方案：步骤一：通过紫外激光辐照引发二巯基聚乙二醇与丙烯酸羟乙酯、马来酰亚胺发生点击反应，制备柔性化合物；再通过羟基醚化反应，将其接枝... 详细信息

标准号: CN117004172B

本发明涉及高分子材料技术领域，具体为一种覆铜板用高韧酚醛树脂的制备方法。具体提出如下方案：步骤一：通过紫外激光辐照引发二巯基聚乙二醇与丙烯酸羟乙酯、马来酰亚胺发生点击反应，制备柔性化合物；再通过羟基醚化反应，将其接枝到线性酚醛树脂上，得到改性线性酚醛树脂；步骤二：通过紫外激光辐照引发聚合，在氮化硅表面接枝包裹聚丙烯酰胺层，丁苯橡胶上接枝聚丙烯酰胺，分别得到改性氮化硅和改性丁苯橡胶；步骤三：将萜烯酚醛树脂25～35份、双酚A型环氧树脂25～30份、改性线性酚醛树脂5～10份、改性氮化硅10～25份、改性丁苯橡胶10～20份、丁酮50～80份、固化剂5～10份、固化促进剂0.05～0.2份混合，得到覆铜板用高韧酚醛树脂。

关键词：改性线性酚醛树脂改性丁苯橡胶紫外激光辐照酚醛树脂氮化硅覆铜板接枝制备双酚A型环氧树脂高分子材料技术丙烯酸羟乙酯萜烯酚醛树脂氮化硅表面固化促进剂接枝聚丙烯聚丙烯酰胺马来酰亚胺柔性化合物点击反应丁苯橡胶聚乙二醇引发聚合羟基醚化二巯基固化剂丁酮酰胺

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一种基于氮化镓材料的二次外延生长方法

一种基于氮化镓材料的二次外延生长方法

引用

作者：徐良刘建哲李昌勋占俊杰夏建白 321000 浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号3#厂房

本发明涉及一种基于氮化镓材料的二次外延生长方法，包括在衬底材料上依次生成缓冲层、第一外延层和氮化硅保护层；将二次外延区域的保护层或保护层及第一外延层刻蚀去除，使该区域的第一外延层或缓冲层显露，得到第一器件；将第一器件... 详细信息

标准号: CN116403903A

本发明涉及一种基于氮化镓材料的二次外延生长方法，包括在衬底材料上依次生成缓冲层、第一外延层和氮化硅保护层；将二次外延区域的保护层或保护层及第一外延层刻蚀去除，使该区域的第一外延层或缓冲层显露，得到第一器件；将第一器件置于液氮中低温处理后恢复至室温；在第一器件表面生成第二外延层；将二次外延区域外的第二外延层及保护层刻蚀去除，得到第二器件；在第二外延层上生成栅电极。本发明采用液氮取代高温退火，不仅可固化外延结构，提高二次外延的结构质量，还避免高温破坏结构，并可通过保护层精准识别湮灭区；另外，可减少氮化硅表面生成的二次外延材料，且令其表面的二次外延材料易去除，提高产品形成效率，保证二次外延结构质量。

关键词：外延层保护层去除外延材料外延结构外延区域缓冲层刻蚀液氮氮化硅保护层氮化硅表面氮化镓材料产品形成衬底材料高温破坏高温退火器件表面外延生长可固化栅电极中低温显露恢复保证

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