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Au/Cd复合电极沉积方法对其与(111)面CdZnTe衬底接触性能的影响

红外与毫米波学报 2020年第5期39卷 595-600页

作者：师好智张继军王淑蕾王振辉穆成阳薛名言曹萌黄健王林军夏义本上海大学材料科学与工程学院上海200444

CdZnTe晶片是HgCdTe外延薄膜的理想衬底。为了优化CdZnTe衬底的电学接触性能,作者基于真空蒸发法和磁控溅射法分别在p型导电性CdZnTe晶片(111)B(富碲面)制备Au/Cd复合电极。通过接触粘附试验,研究了复合电极的制备方法对电极与衬底之间... 详细信息

CdZnTe晶片是HgCdTe外延薄膜的理想衬底。为了优化CdZnTe衬底的电学接触性能,作者基于真空蒸发法和磁控溅射法分别在p型导电性CdZnTe晶片(111)B(富碲面)制备Au/Cd复合电极。通过接触粘附试验,研究了复合电极的制备方法对电极与衬底之间的粘附性;利用卢瑟福背散射光谱法(RBS)比较了不同沉积方法下样品的元素深度分布;采用电流-电压(I-V)测试比较了两种制备工艺对Au/Cd复合电极与CdZnTe衬底欧姆接触特性的影响,从而确定了最佳复合电极的制备工艺。

关键词： CdZnTe Au/Cd复合电极沉积方法势垒高度

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金属流固耦合沉积方法综述

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中国铸造装备与技术 2017年第1期52卷 6-8页

作者：李素丽王明哲李周平陕西国防工业职业技术学院陕西西安710300

金属熔体喷射断裂成小液滴后,通过与运动平台装置的协同运动,可在基板上准确沉积,以达到制件成形要求。然而受到不同因素干扰的毛细金属熔体容易出现偏斜、中断,甚至无法断续等问题,难以控制熔融金属沉积过程。因此需要对金属熔体喷射... 详细信息

金属熔体喷射断裂成小液滴后,通过与运动平台装置的协同运动,可在基板上准确沉积,以达到制件成形要求。然而受到不同因素干扰的毛细金属熔体容易出现偏斜、中断,甚至无法断续等问题,难以控制熔融金属沉积过程。因此需要对金属熔体喷射流固耦合特性进行系统的研究。

关键词：金属熔体喷射沉积方法偏斜影响因素

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沉积方法、层间介质层及半导体器件

沉积方法、层间介质层及半导体器件

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作者：林东张玉宁振佳单伟中曹涯路 201203 上海市浦东新区张江路18号

本申请公开了一种沉积方法、层间介质层及半导体器件。其中，该沉积方法包括将半导体基体置于沉积室中的静电卡盘上；打开射频源以对沉积室进行加热升温；将静电卡盘接地，以使半导体基体形成放电回路；向沉积室中通入待反应气体，以在... 详细信息

标准号: CN105575777A

本申请公开了一种沉积方法、层间介质层及半导体器件。其中，该沉积方法包括将半导体基体置于沉积室中的静电卡盘上；打开射频源以对沉积室进行加热升温；将静电卡盘接地，以使半导体基体形成放电回路；向沉积室中通入待反应气体，以在半导体基体沉积形成薄膜。该沉积方法通过打开射频源以对沉积室进行加热升温，然后将静电卡盘接地以使半导体基体形成放电回路，使得加热升温过程中累积在半导体基体上的电荷得以导出，从而减少了薄膜沉积过程中累积在半导体基体上的电荷，并减少了薄膜沉积过程中产生的等离子损伤，进而提高了半导体器件的耐击穿性能，并提高了器件的可靠性。

关键词：半导体基体沉积室沉积方法加热升温静电卡盘半导体器件薄膜沉积放电回路电荷接地射频源累积层间介质层等离子损伤待反应耐击穿打开导出一种中通薄膜沉积减少申请进行公开产生

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玻璃浆料沉积方法和系统

玻璃浆料沉积方法和系统

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作者：葛军锋张建华付奎 200444 上海市宝山区上大路99号

本发明提供了一种玻璃浆料沉积方法和系统。所述方法包括：采集玻璃基板的三维参数；根据所述采集的三维参数建立玻璃基板模型得到所述玻璃基板中玻璃浆料的模型数据；根据所述玻璃浆料的模型数据控制3D打印机喷嘴将玻璃浆料喷涂于加热... 详细信息

标准号: CN103496855B

本发明提供了一种玻璃浆料沉积方法和系统。所述方法包括：采集玻璃基板的三维参数；根据所述采集的三维参数建立玻璃基板模型得到所述玻璃基板中玻璃浆料的模型数据；根据所述玻璃浆料的模型数据控制3D打印机喷嘴将玻璃浆料喷涂于加热的玻璃基板上，使所述玻璃浆料反复沉积于玻璃基板。所述系统包括：采集装置，用于采集玻璃基板的三维参数；模型处理装置，用于根据所述采集的三维参数建立玻璃基板模型得到玻璃基板中玻璃浆料的模型数据；3D打印装置，用于根据所述玻璃浆料的模型数据将玻璃浆料喷涂于加热的玻璃基板上，使玻璃浆料反复沉积于所述玻璃基板。采用本发明能提高玻璃基板上玻璃浆料均匀性。

关键词：玻璃基板玻璃浆料模型数据三维参数采集玻璃沉积于中玻璃基板浆料喷涂加热浆料均匀性采集采集装置沉积方法打印装置模型处理喷嘴上玻璃一种建立控制

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氧化硅薄膜的沉积方法及低温多晶硅TFT基板的制备方法

氧化硅薄膜的沉积方法及低温多晶硅TFT基板的制备方法

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作者：马伟欣 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

本发明提供一种氧化硅薄膜的沉积方法与低温多晶硅TFT基板的制备方法。该氧化硅薄膜的沉积方法通过引入紫外光作为沉积氧化硅反应的辅助能量，利用紫外光将氧气分解为游离氧，与有机硅烷气体反应生成氧化硅，从而在无等离子体环境中沉... 详细信息

标准号: CN105513960A

本发明提供一种氧化硅薄膜的沉积方法与低温多晶硅TFT基板的制备方法。该氧化硅薄膜的沉积方法通过引入紫外光作为沉积氧化硅反应的辅助能量，利用紫外光将氧气分解为游离氧，与有机硅烷气体反应生成氧化硅，从而在无等离子体环境中沉积形成氧化硅薄膜，避免了氧化硅薄膜表面被高能量的等离子体撞击所形成的界面缺陷和表面损伤，提高氧化硅薄膜的成膜质量。该低温多晶硅TFT基板的制备方法通过采用在紫外光照射环境中有机硅烷气体与氧气反应生成氧化硅的方法来制作栅极绝缘层中的氧化硅薄膜，避免了现有等离子体增强化学气相沉积方法中等离子体对氧化硅薄膜表面造成的表面缺陷和界面损伤，从而提高氧化硅薄膜的成膜质量，提升TFT电性。

关键词：氧化硅薄膜低温多晶硅TFT 有机硅烷气体紫外光沉积方法制备方法氧化硅成膜基板等离子体增强化学气相沉积等离子体环境的等离子体栅极绝缘层中等离子体紫外光照射表面缺陷表面损伤沉积氧化辅助能量界面缺陷界面损伤氧气反应氧气分解高能量游离氧沉积电性一种生成撞击引入反应提升制作

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一种二氧化锡薄膜电阻的沉积方法

一种二氧化锡薄膜电阻的沉积方法

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作者：张建荣方曙光刘瑜 315300 浙江省宁波市慈溪市坎墩工业园区大盛路1号

本发明提供了一种二氧化锡薄膜电阻的沉积方法，属于电子陶瓷领域，将锡化合物及其他掺杂体化合物溶解于低沸点溶剂中形成均匀稳定的溶液，将该溶液置于带有加热装置的容器中，该容器上部开有三个口子，其中一个用于氧气的输入，一个用... 详细信息

标准号: CN102969104B

本发明提供了一种二氧化锡薄膜电阻的沉积方法，属于电子陶瓷领域，将锡化合物及其他掺杂体化合物溶解于低沸点溶剂中形成均匀稳定的溶液，将该溶液置于带有加热装置的容器中，该容器上部开有三个口子，其中一个用于氧气的输入，一个用于水蒸气的输入，一个用于整个体系气态混合物的输出；将上述气态混合物以管道输送到一置于加热盘上的喷嘴上，置于加热盘上的玻璃、陶瓷等基体表面受到上述气态混合物的作用，形成二氧化锡薄膜，该薄膜的电阻值可实现按指定要求调整。

关键词：气态混合物加热盘二氧化锡薄膜水蒸气低沸点溶剂薄膜电阻沉积方法电子陶瓷二氧化锡管道输送基体表面加热装置容器上部锡化合物喷嘴掺杂体电阻值化合物一种薄膜氧气口子均匀溶解陶瓷玻璃输出指定调整稳定

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晶体硅电池背面电极的沉积方法、及得到的晶体硅电池

晶体硅电池背面电极的沉积方法、及得到的晶体硅电池

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作者：张高洁吴坚王栩生邢国强 215011 江苏省苏州市高新区鹿山路199号

本发明涉及一种晶体硅电池背面电极的沉积方法，其特征在于，所述方法包括：对完成钝化膜局部开口工艺的晶体硅，至少在其局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；或者，对完成钝化膜生成工艺的晶... 详细信息

标准号: CN105576051A

本发明涉及一种晶体硅电池背面电极的沉积方法，其特征在于，所述方法包括：对完成钝化膜局部开口工艺的晶体硅，至少在其局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；或者，对完成钝化膜生成工艺的晶体硅，至少在其预定进行局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；所述设定温度≤950℃。本发明可以消除目前常见的铝硅烧结过程中局部接触处的凹陷以及空洞，同时降低烧结铝层对长波长光子的吸收；进一步地通过设置电极a用于形成局部背场、局部电学接触及机械拉力，能够进一步改善PERC电池的背反射，提高电流。

关键词：局部开口电极溶解扩散外周环绕烧结钝化膜硅元素晶体硅铝元素沉积长波长光子晶体硅电池背面电极沉积方法电学接触机械拉力局部接触生成工艺阻止背反射凹陷背场铝层铝硅一种电流空洞电池完成预定设置吸收消除涉及改善进行

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环状薄膜的沉积方法

环状薄膜的沉积方法

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作者：金海元禹相浩韩国京畿道龙仁市

本发明提供一种可以具有优异的膜性能和阶梯覆盖的环状薄膜的沉积方法。本发明一个实施例的环状薄膜的沉积方法包括：绝缘膜沉积步骤，其重复进行：通过将硅前体注入至装载了基底的腔室内部而将硅沉积在基底上的步骤；从腔室内部移除未... 详细信息

标准号: CN103026471B

本发明提供一种可以具有优异的膜性能和阶梯覆盖的环状薄膜的沉积方法。本发明一个实施例的环状薄膜的沉积方法包括：绝缘膜沉积步骤，其重复进行：通过将硅前体注入至装载了基底的腔室内部而将硅沉积在基底上的步骤；从腔室内部移除未反应的硅前体和反应副产物的第一清洗步骤；通过向腔室内部提供第一反应气体而将沉积的硅形成为含硅绝缘膜的反应步骤；和从腔室内部移除未反应的反应气体和反应副产物的第二清洗步骤；以及致密化步骤，其对通过向腔室内部提供等离子气氛来形成的含硅绝缘膜进行致密化。

关键词：腔室内部反应副产物含硅绝缘膜沉积方法环状薄膜清洗步骤硅前体未反应致密化基底移除等离子气氛沉积步骤第一反应反应气体阶梯覆盖重复进行硅沉积绝缘膜膜性能一种沉积装载优异注入进行

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用于涡轮构件的选择性局部涂层沉积方法和系统

用于涡轮构件的选择性局部涂层沉积方法和系统

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作者： J.D.小沃德 C.U.哈德维克 J.M.罗马斯 C.M.埃米诺格卢 T.R.里德美国纽约州

本发明涉及一种用于涡轮构件的选择性局部涂层沉积方法和系统。具体而言，用于涡轮构件的选择性局部涂层沉积的方法包括：提供涡轮构件，该涡轮构件包括具有一个或更多个表面特征的外表面；和使用局部涂层沉积设备基于一个或更多个表面... 详细信息

标准号: CN105369181A

本发明涉及一种用于涡轮构件的选择性局部涂层沉积方法和系统。具体而言，用于涡轮构件的选择性局部涂层沉积的方法包括：提供涡轮构件，该涡轮构件包括具有一个或更多个表面特征的外表面；和使用局部涂层沉积设备基于一个或更多个表面特征中的至少一个的位置来选择性地涂布外表面的至少一部分。

关键词：涡轮构件局部涂层表面特征沉积方法沉积设备选择性地一种沉积涉及

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一种银铜纳米合金电催化剂及其激光气相沉积方法

一种银铜纳米合金电催化剂及其激光气相沉积方法

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作者：陈福义陈凯博 710072 陕西省西安市友谊西路127号

一种银铜纳米合金电催化剂及其激光气相沉积方法。所述的银铜纳米合金电催化剂是以钛片为衬底，以银铜合金为靶材，通过激光气相沉积的方法沉积在钛片上得到的。银铜纳米合金电催化剂中的银和铜的摩尔比为4：1。所述银铜纳米合金电催化... 详细信息

标准号: CN104084216B

一种银铜纳米合金电催化剂及其激光气相沉积方法。所述的银铜纳米合金电催化剂是以钛片为衬底，以银铜合金为靶材，通过激光气相沉积的方法沉积在钛片上得到的。银铜纳米合金电催化剂中的银和铜的摩尔比为4：1。所述银铜纳米合金电催化剂的组织形貌为纳米晶和非晶，并且该纳米晶嵌在非晶之中；或者所述的银铜纳米合金电催化剂的组织形貌由纳米晶和多晶组成。所述纳米晶为银铜面心立方结构固溶体，非晶为金属铜，多晶为多晶铜。本发明具有更优的氧还原反应催化效果，并且制备成本低。

关键词：银铜电催化剂纳米合金纳米晶多晶非晶组织形貌激光气钛片沉积面心立方结构氧还原反应沉积方法催化效果银铜合金成本低固溶体金属铜摩尔比靶材衬底嵌在一种制备组成

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