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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

123 篇 专利

馆藏范围

123 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

11 篇 三星电子株式会社
10 篇 中芯国际集成电路...
10 篇 惠康有限公司
8 篇 黄路建载
7 篇 泰拉丁公司
5 篇 未来产业株式会社
4 篇 爱思开海力士有限...
3 篇 海力士半导体有限...
3 篇 台湾积体电路制造...
2 篇 爱德万测试公司
2 篇 英飞凌科技奥地利...
2 篇 杰冯微电子科技有...
2 篇 陕西三海测试技术...
2 篇 株式会社鼎新
2 篇 株式会社it&t
2 篇 扬州虹扬科技发展...
2 篇 长江存储科技有限...
2 篇 细美事有限公司
2 篇 西安电子科技大学
2 篇 北京大学

作者

10 篇 黄东源
10 篇 黄裁白
8 篇 黄路建载
3 篇 兰德尔·b·斯廷森
3 篇 宋镐根
3 篇 咸哲镐
3 篇 具岐峰
3 篇 李二范
3 篇 朴龙根
2 篇 徐载奉
2 篇 柳正虎
2 篇 林祐永
2 篇 朴炯硕
2 篇 林俊
2 篇 朴宰佑
2 篇 董帅帅
2 篇 申东彦
2 篇 c.奥斯特迈尔
2 篇 黎莎
2 篇 张庆勋

语言

123 篇 中文

检索条件"主题词=测试半导体器件"

共 123 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

测试半导体器件的方法和装置

测试半导体器件的方法和装置

引用

作者：文准培金元中韩圭容新加坡

本申请提供一种用于测试半导体器件的方法和装置。所述装置包括：一个或多个接地触头，其被配置用于分别耦接到半导体器件的一个或多个接地端子；以及检测模块，其具有一个或多个输入端，所述一个或多个输入端分别耦接到一个或多个接地... 详细信息

标准号: CN117074890A

本申请提供一种用于测试半导体器件的方法和装置。所述装置包括：一个或多个接地触头，其被配置用于分别耦接到半导体器件的一个或多个接地端子；以及检测模块，其具有一个或多个输入端，所述一个或多个输入端分别耦接到一个或多个接地触头，并且所述检测模块被配置用于检测所述一个或多个接地触头处的电气状况；其中，当所述半导体器件安装于所述测试装置上以进行测试时，若所述一个或多个接地触头全部耦接于所述一个或多个接地端子，则在所述检测模块的输出端产生一个第一信号，若所述一个或多个接地触头中的至少一个未耦接于所述一个或多个接地端子，则在所述检测模块的输出端产生一个不同于所述第一信号的第二信号。

关键词：接地触头检测模块接地端子半导体器件输出端输入端耦接测试半导体器件方法和装置测试装置第二信号电气状况配置测试检测申请

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测试半导体器件内的通孔中的残留物的测试结构

测试半导体器件内的通孔中的残留物的测试结构

引用

作者：陈祯祥吴启熙 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

本发明提出一种测试半导体器件内的通孔中的残留物的测试结构，测试结构是半导体器件内设置的一对指叉式梳形通孔链结构，包括：用焊盘A连接的第一组梳形通孔链结构，和用焊盘B连接的第二组梳形通孔链结构，每组梳形通孔链结构包括多条... 详细信息

标准号: CN100383945C

本发明提出一种测试半导体器件内的通孔中的残留物的测试结构，测试结构是半导体器件内设置的一对指叉式梳形通孔链结构，包括：用焊盘A连接的第一组梳形通孔链结构，和用焊盘B连接的第二组梳形通孔链结构，每组梳形通孔链结构包括多条通孔链，两组梳形通孔链结构相互交叉排列构成一对指叉式梳形通孔链结构，测试结构中的每条梳形通孔链由第一金属层(M1)、有多个通孔的通孔层(Vial)和第二金属层(M2)构成。

关键词：通孔测试结构金属层焊盘测试半导体器件半导体器件相互交叉连接孔链排列

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测试半导体器件的方法和系统

测试半导体器件的方法和系统

引用

作者：具岐峰李二范韩国京畿道

本发明提供一种测试半导体器件的方法，包括以下步骤：依次在多个操作模式下测试半导体器件；以及当所述半导体器件通过了测试时，将半导体器件编程为在所述操作模式中的至少一个操作模式下操作。

标准号: CN107274931B

关键词：操作模式测试半导体器件半导体器件编程测试

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测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法

测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法

引用

作者：金俊培赵容晧韩国京畿道

本发明涉及测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法。该半导体器件测试系统可以包括：主体，提供其中装载测试器件的内部空间；以及盖，联接到主体以覆盖内部空间。盖可以包括第一盖和第二盖，第一盖包括二维布置的第一开... 详细信息

标准号: CN110783215A

本发明涉及测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法。该半导体器件测试系统可以包括：主体，提供其中装载测试器件的内部空间；以及盖，联接到主体以覆盖内部空间。盖可以包括第一盖和第二盖，第一盖包括二维布置的第一开口，第二盖包括二维布置的第二开口。第一开口的布置可以不同于第二开口的布置。

关键词：开口二维布置半导体器件测试测试半导体器件半导体器件测试器件装载覆盖制造

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测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法

测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法

引用

作者：金俊培赵容晧韩国京畿道

标准号: CN110783215B

关键词：开口二维布置半导体器件测试测试半导体器件半导体器件测试器件装载覆盖制造

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测试半导体器件的方法和系统

测试半导体器件的方法和系统

引用

作者：具岐峰李二范韩国京畿道

标准号: CN107274931A

关键词：操作模式测试半导体器件半导体器件编程测试

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测试半导体器件的设备和方法

测试半导体器件的设备和方法

引用

作者：张涛新加坡新加坡市

本发明涉及测试半导体器件的设备和方法。一种测试半导体器件的设备，包括：探针卡板，所述探针卡板包括多个探针，所述多个探针包括第一组探针和第二组探针，其中所述测试半导体器件的设备被配置为：当所述多个探针接触所述半导体器件... 详细信息

标准号: CN112540278A

本发明涉及测试半导体器件的设备和方法。一种测试半导体器件的设备，包括：探针卡板，所述探针卡板包括多个探针，所述多个探针包括第一组探针和第二组探针，其中所述测试半导体器件的设备被配置为：当所述多个探针接触所述半导体器件时：所述第一组探针被提供电压；所述第二组探针被提供电流；通过测量所述第二组探针的电压和测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压，计算良好接触的探针数量。如此，可以得到能够安全测试受测半导体器件的最大电流和/或良好接触的探针的数量。

关键词：探针测试半导体器件半导体器件良好接触探针卡板测量安全测试探针接触最大电流配置

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测试半导体器件的方法、系统以及可读存储介质

测试半导体器件的方法、系统以及可读存储介质

引用

作者：张秦豪马诺·M·马拉赵亦平黄乔逸吴孟修中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号(邮递区号30078)

一种用于测试半导体器件的方法、用于测试半导体器件的系统以及可读存储介质被揭露，所述方法包括：在一组测试中的一者中获得在半导体器件上测量的结果；将所述结果与在先前在所述一组测试中的一者或多者中测量的相应结果中确定的最大... 详细信息

标准号: CN113805027A

一种用于测试半导体器件的方法、用于测试半导体器件的系统以及可读存储介质被揭露，所述方法包括：在一组测试中的一者中获得在半导体器件上测量的结果；将所述结果与在先前在所述一组测试中的一者或多者中测量的相应结果中确定的最大值及在先前在所述一组测试中的一者或多者中测量的相应结果中确定的最小值进行比较；基于第一结果与最大值及最小值之间的比较来判断是否更新最大值及最小值以计算差量值；将差量值与噪声阈值进行比较；基于差量值与噪声阈值之间的比较来判断是否更新定时器的值；确定定时器的值满足定时器阈值；以及确定半导体器件招致噪声。

关键词：噪声定时器测试半导体器件半导体器件测量测试可读存储介质更新定时器更新

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测试半导体器件栅氧化物整体性的带解码器的测试键

测试半导体器件栅氧化物整体性的带解码器的测试键

引用

作者：赵永龚斌曾繁中马瑾怡黄飞 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明公开测试半导体器件中栅氧化物整体性的带解码器的测试键结构，和用本发明的带解码器的测试键结构检测多晶硅线中的故障的方法。带解码器的测试键结构包括：多根多晶硅栅线，解码器，和一个焊接盘；其特征是，多根多晶硅栅线一起... 详细信息

标准号: CN100426482C

本发明公开测试半导体器件中栅氧化物整体性的带解码器的测试键结构，和用本发明的带解码器的测试键结构检测多晶硅线中的故障的方法。带解码器的测试键结构包括：多根多晶硅栅线，解码器，和一个焊接盘；其特征是，多根多晶硅栅线一起连接到解码器，然后，多根多晶硅栅线通过解码器再连接到焊接盘。检测故障的方法是用解码器选择所需要的多晶硅栅线，例如，1、2或n根栅线；然后，当多晶硅边缘测试键结构出现故障时，用解码器逐一测试单根多晶硅栅线结构，确定故障的位置和故障的模式。

关键词：解码器多晶硅栅测试键结构多晶硅焊接测试半导体器件检测连接氧化物单根

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测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记

测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记

引用

作者：龚新军 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

本发明提出一种测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记，它放在晶片上，是好的对比图形，用于图形识别。按本发明的专用新图形识别标记，设置在晶片上，该新图形识别标记的轮廓是，用两个几何形状相同但面积不同的的边形或圆... 详细信息

标准号: CN100394595C

本发明提出一种测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记，它放在晶片上，是好的对比图形，用于图形识别。按本发明的专用新图形识别标记，设置在晶片上，该新图形识别标记的轮廓是，用两个几何形状相同但面积不同的的边形或圆按面心重叠方式重叠，并按对角线或垂直直径划分成多个区域，其中，两个相邻的区域用不同的材料构成并具有不同的颜色，两个相邻区域中的一个区域用金属构成，例如铝、铜、银、或金等，而另一个区域用不同的材料构成，例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等，反之亦然，两个相邻区域的颜色不同，两个相邻区域构成在不同的膜层中，两个相邻区域具有从芯片底层开始计算的不同高度。

关键词：图形识别相邻区域晶片反之亦然对角线测试半导体器件垂直直径氮氧化物介质材料膜层厚度芯片底层重叠方式氮化物氧化物面心膜层重叠金属

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