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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

35 篇 专利

馆藏范围

35 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

9 篇 复旦大学
9 篇 上海集成电路制造...
7 篇 上海华虹宏力半导...
7 篇 中芯国际集成电路...
5 篇 上海华力微电子有...
3 篇 北京兆易创新科技...
3 篇 兰州大学
3 篇 上海格易电子有限...
1 篇 华虹半导体有限公...
1 篇 上海华力集成电路...

作者

9 篇 张卫
9 篇 孙清清
9 篇 朱宝
9 篇 陈琳
3 篇 王文博
3 篇 康劲
3 篇 闫兆文
3 篇 卜伟海
3 篇 刘钊
3 篇 舒清明
3 篇 杨盼
3 篇 张博
3 篇 许毅胜
3 篇 乔坚栗
3 篇 谌文杰
3 篇 杨建红
3 篇 熊涛
3 篇 王娇
3 篇 肖彤
2 篇 孙艳

语言

35 篇 中文

检索条件"主题词=浮栅表面"

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详细简洁

排序：

半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：程国庆周海洋刘宪周王会一沈权豪 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在衬底表面形成若干初始存储单元结构，初始存储单元结构包括：位于衬底表面的浮栅介质层；位于浮栅介质层表面的初始浮栅；位于初始浮栅表面的掩膜结构；位于初始浮栅表面... 详细信息

标准号: CN117082861A

一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在衬底表面形成若干初始存储单元结构，初始存储单元结构包括：位于衬底表面的浮栅介质层；位于浮栅介质层表面的初始浮栅；位于初始浮栅表面的掩膜结构；位于初始浮栅表面以及掩膜结构侧壁的控制栅介质层；位于掩膜结构两侧的控制栅介质层表面的控制栅；去除掩膜结构，形成初始开口，初始开口暴露出初始浮栅表面；刻蚀初始开口底部的初始浮栅以及浮栅介质层，在相邻控制栅以及控制栅介质层之间形成字线开口，字线开口暴露出衬底表面；在字线开口内形成字线结构，从而拓宽了闪存器件形成的工艺窗口，减少了器件的缺陷，有利于器件的尺寸微缩，且提升了器件的稳定性。

关键词：开口掩膜结构控制栅介质层浮栅介质层衬底表面浮栅表面字线初始存储单元控制栅浮栅半导体结构工艺窗口闪存器件字线结构暴露侧壁衬底刻蚀去除微缩

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一种基于缺陷俘获材料的半浮栅存储器及其制备方法

一种基于缺陷俘获材料的半浮栅存储器及其制备方法

引用

作者：朱宝陈琳孙清清张卫 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于缺陷俘获材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底，为第一掺杂类型；半导体衬底表面的半浮栅阱区，为第二掺杂类型；贯穿半浮栅阱区的U型槽；覆盖U型槽... 详细信息

标准号: CN111477625B

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于缺陷俘获材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底，为第一掺杂类型；半导体衬底表面的半浮栅阱区，为第二掺杂类型；贯穿半浮栅阱区的U型槽；覆盖U型槽表面的第一栅介质层，在半浮栅阱区形成开口；覆盖第一栅介质层的第一金属栅，在开口处与半浮栅阱区接触；覆盖第一金属栅的浮栅；覆盖浮栅表面和部分半浮栅阱区表面的第二栅介质层，覆盖第二栅介质层的第二金属栅；位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的栅极侧墙；位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的源极和漏极；浮栅为缺陷俘获材料。本发明可以有效地增强电荷保持能力，从而增加存储器的刷新时间。

关键词：浮栅栅极叠层栅介质层阱区金属栅覆盖浮栅存储器掺杂类型俘获材料半导体衬底表面半导体存储器电荷保持能力浮栅表面栅极侧墙阱区表面存储器开口处有效地衬底漏极源极制备半导体开口贯穿

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半导体的形成方法

半导体的形成方法

引用

作者：何理巨晓华王奇伟陈昊瑜邵华 201315 上海市浦东新区良腾路6号

本发明提供了一种半导体的形成方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成隧穿氧化层；刻蚀所述隧穿氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；在所述隧穿氧化层和所述浅沟槽隔离结构依次形成多个浮栅，多个所述浮栅之间形成第一U形槽，所... 详细信息

标准号: CN111326519B

本发明提供了一种半导体的形成方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成隧穿氧化层；刻蚀所述隧穿氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；在所述隧穿氧化层和所述浅沟槽隔离结构依次形成多个浮栅，多个所述浮栅之间形成第一U形槽，所述浮栅表面形成有浮栅氧化物层；刻蚀所述浮栅氧化物层露出所述浮栅表面；刻蚀浮栅侧壁使得浮栅的宽度变小；在刻蚀后的所述浮栅上形成ONO层，所述ONO层形成第二U形槽；向第二U形槽内填充多晶硅并覆盖所述ONO层，刻蚀多晶硅形成控制栅。在本发明提供的半导体形成方法中，通过缩小浮栅的宽度，以改变第一U型槽的深度和宽度的比，从而提高多晶硅填充第二U型槽的效果，进一步提高控制栅刻蚀的工艺窗口。

关键词：浮栅刻蚀隧穿氧化层衬底浅沟槽隔离结构浮栅表面氧化物层控制栅半导体形成多晶硅填充刻蚀多晶硅浮栅侧壁工艺窗口多晶硅变小填充半导体覆盖

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半导体的形成方法

半导体的形成方法

引用

作者：何理巨晓华王奇伟陈昊瑜邵华 201315 上海市浦东新区良腾路6号

标准号: CN111326519A

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NOR Flash储存区刻蚀方法及制造方法

NOR Flash储存区刻蚀方法及制造方法

引用

作者：吴晓彤张俊学 201314 上海市浦东新区良腾路6号

本发明提供了一种NOR Flash储存区刻蚀方法及制造方法，属于半导体领域。该NOR Flash储存区刻蚀方法包括提供一NOR Flash储存区，所述NOR Flash储存区至少包括：衬底，位于衬底表面的栅氧，位于栅氧化层表面的浮栅，位于浮栅表面的介质... 详细信息

标准号: CN118215292A

本发明提供了一种NOR Flash储存区刻蚀方法及制造方法，属于半导体领域。该NOR Flash储存区刻蚀方法包括提供一NOR Flash储存区，所述NOR Flash储存区至少包括：衬底，位于衬底表面的栅氧，位于栅氧化层表面的浮栅，位于浮栅表面的介质层，位于介质层表面的控制栅，以及位于控制栅表面的先进图形薄膜；在对所述控制栅、介质层和浮栅进行刻蚀的任一步骤中，沿所述NOR Flash储存区的横向方向对先进图形薄膜进行刻蚀，去除所述控制栅两侧的肩部，以在所述控制栅两侧形成切角。本发明通过在控制栅的两侧肩部形成切角，使得控制栅的两侧肩部没有先进图形薄膜作为阻挡层，为NOR Flash储存区后续填充提高工艺窗口，避免在栅极间形成空洞，从而能够避免导致器件失效，提高了产品的良率。

关键词：控制栅储存区刻蚀图形薄膜肩部介质层浮栅切角栅氧化层表面半导体领域介质层表面衬底表面浮栅表面工艺窗口横向方向器件失效阻挡层衬底良率去除填充栅氧空洞制造

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一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器

一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器

引用

作者：杨建红闫兆文肖彤谌文杰杨盼乔坚栗王娇 730000 甘肃省兰州市天水南路222号

本实用新型公开了一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器，栅电极采用厚度为100～300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底；形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层；嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅，作为电荷存储单元；... 详细信息

标准号: CN204857725U

本实用新型公开了一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器，栅电极采用厚度为100～300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底；形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层；嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅，作为电荷存储单元；形成于浮栅表面的隧穿绝缘介质层；在隧穿绝缘介质层表面上生长有机半导体材料，形成器件的有源层；在有源层表面形成器件的源极、漏极。本实用新型的有益效果是降低基于有机场效应晶体管浮栅存储器的工作电压，实现器件的高密度存储，提高器件保持特性，降低器件制造成本。

关键词：隧穿有机场效应晶体管栅绝缘介质层多晶硅浮栅绝缘介质层形成器件栅电极绝缘介质层表面有机半导体材料电荷存储单元单晶硅衬底浮栅存储器高密度存储硅衬底表面有源层表面存储器浮栅表面工作电压降低器件器件保持实现器件制造成本有源层重掺杂实用低阻漏极嵌于一种源极生长公开

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一种浮栅及其制作方法

一种浮栅及其制作方法

引用

作者：刘钊熊涛许毅胜舒清明 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种浮栅及其制作方法。该制作方法可以包括：提供衬底，并在衬底上依次形成浅沟槽氧化层和浮栅层；对浮栅层进行化学机械研磨处理，以去除浅沟槽氧化层上的浮栅；对剩下的浮栅层进行回刻蚀处理... 详细信息

标准号: CN105789035A

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种浮栅及其制作方法。该制作方法可以包括：提供衬底，并在衬底上依次形成浅沟槽氧化层和浮栅层；对浮栅层进行化学机械研磨处理，以去除浅沟槽氧化层上的浮栅；对剩下的浮栅层进行回刻蚀处理，得到具有稳定表面织构的浮栅层；对浅沟槽氧化层进行刻蚀处理，并在刻蚀处理后的浅沟槽氧化层和具有稳定表面织构的浮栅层上形成绝缘层；在绝缘层上形成控制栅层。该方法通过去除浮栅表面因为化学机械研磨而产生的表面缺陷，提高了浮栅层的表面稳定性，即提高了浮栅上表面层的激活能，使随后形成的绝缘层可以与浮栅层有良好的接触，改善了浮栅器件的电子保持性，提高了浮栅器件的质量。

关键词：浮栅层浅沟槽氧化层绝缘层浮栅化学机械研磨浮栅器件稳定表面衬底刻蚀去除织构半导体制造技术表面稳定性表面缺陷电子保持浮栅表面控制栅层上表面层回刻蚀激活能制作

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基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法

基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法

引用

作者：杨建红闫兆文肖彤谌文杰杨盼乔坚栗王娇 730000 甘肃省兰州市天水南路222号

本发明公开了基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法，栅电极采用厚度为100～300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底；形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层；嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅，作为电荷存储单... 详细信息

标准号: CN105006488A

本发明公开了基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法，栅电极采用厚度为100～300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底；形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层；嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅，作为电荷存储单元；形成于浮栅表面的隧穿绝缘介质层；在隧穿绝缘介质层表面上生长有机半导体材料，形成器件的有源层；在有源层表面，通过金属掩膜真空蒸镀金属，形成器件的源极、漏极。本发明的有益效果是降低基于有机场效应晶体管浮栅存储器的工作电压，实现器件的高密度存储，提高器件保持特性，降低器件制造成本。

关键词：隧穿有机场效应晶体管栅绝缘介质层多晶硅浮栅绝缘介质层形成器件栅电极绝缘介质层表面有机半导体材料电荷存储单元单晶硅衬底浮栅存储器高密度存储硅衬底表面有源层表面存储器浮栅表面工作电压降低器件金属掩膜器件保持实现器件真空蒸镀制备方法制造成本有源层重掺杂低阻漏极嵌于源极金属生长公开

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一种半浮栅存储器及其制备方法

一种半浮栅存储器及其制备方法

引用

作者：朱宝陈琳孙清清张卫 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明公开一种半浮栅存储器及其制备方法。该半浮栅存储器包括：半导体衬底，其具有第一掺杂类型；半浮栅阱区，其具有第二掺杂类型，位于半导体衬底的上层区域；U型槽，贯穿半浮栅阱区，其底部处于半浮栅阱区的下边界；第一栅介质层覆... 详细信息

标准号: CN111477626B

本发明公开一种半浮栅存储器及其制备方法。该半浮栅存储器包括：半导体衬底，其具有第一掺杂类型；半浮栅阱区，其具有第二掺杂类型，位于半导体衬底的上层区域；U型槽，贯穿半浮栅阱区，其底部处于半浮栅阱区的下边界；第一栅介质层覆盖U型槽的表面；浮栅覆盖第一栅介质层，并形成中间高、两边低的凸起形状；隧穿晶体管沟道层覆盖浮栅的中间凸起上表面；第二栅介质层形成在隧穿晶体管沟道层两侧并延伸覆盖浮栅表面，控制栅覆盖第二栅介质层和隧穿晶体管沟道层上表面；栅极侧墙，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；源极和漏极，形成于半浮栅阱区中，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧。

关键词：浮栅栅极叠层栅介质层阱区隧穿晶体管沟道层浮栅存储器掺杂类型覆盖上表面衬底半导体浮栅表面凸起形状延伸覆盖栅极侧墙中间凸起控制栅下边界漏极源极制备两边上层贯穿

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一种半浮栅存储器及其制备方法

一种半浮栅存储器及其制备方法

引用

作者：朱宝陈琳孙清清张卫 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

标准号: CN111477626A

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