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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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71 篇 专利

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71 篇 电子文献
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日期分布

机构

8 篇 北京时代民芯科技...
8 篇 北京微电子技术研...
5 篇 京东方科技集团股...
4 篇 无锡中星微电子有...
4 篇 杭州广立微电子股...
4 篇 东华大学
3 篇 西安微电子技术研...
3 篇 上海集成电路研发...
3 篇 成都微光集电科技...
3 篇 成都京东方光电科...
3 篇 惠州市忠邦电子有...
3 篇 上海华虹nec电子有...
2 篇 西安紫光国芯半导...
2 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 中国电子科技集团...
2 篇 无锡市中达电机有...
2 篇 上海誉煊电子技术...
2 篇 北京元芯碳基集成...
2 篇 中国科学院上海微...
2 篇 广州新视界光电科...

作者

5 篇 郁新举
5 篇 王钊
4 篇 方益
4 篇 岳素格
4 篇 范苏娜
4 篇 刘玉清
4 篇 张耀鹏
4 篇 李建成
4 篇 李全利
4 篇 赵玉姣
4 篇 张艺
4 篇 王莹雪
4 篇 邵惠丽
3 篇 梁德新
3 篇 祁小敬
3 篇 向启平
3 篇 陈晓宇
3 篇 聂磊森
2 篇 米丹
2 篇 赵宇航

语言

71 篇 中文

检索条件"主题词=漏电通路"

共 71 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种自动修正MOS器件漏电通路的方法

一种自动修正MOS器件漏电通路的方法

引用

作者：王莹雪方益 310012 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座

本发明提供一种自动修正MOS器件漏电通路的方法包括：读入版图文件，利用预设的漏电通路修正模块自动修正；在所述漏电通路修正模块中定义有存在漏电通路的MOS器件的修正方式：在M0切断层添加M0C，添加缺少的V0通孔。有效解决由于产生... 详细信息

标准号: CN113657071B

本发明提供一种自动修正MOS器件漏电通路的方法包括：读入版图文件，利用预设的漏电通路修正模块自动修正；在所述漏电通路修正模块中定义有存在漏电通路的MOS器件的修正方式：在M0切断层添加M0C，添加缺少的V0通孔。有效解决由于产生漏电通路而影响MOS器件电性测试的问题，利于提高器件电学特性测试的真实性；步骤简洁，不依赖于人工操作与经验，节约人力和工时，降低工艺研发成本，解决了手动实现修正费时且失误风险高的问题，自动修正结果的可靠性更好，利于制造水平和产品整体质量的提高。

关键词：漏电通路自动修正修正模块电学特性测试修正版图文件电性测试人工操作有效解决读入通孔研发预设断层真实性节约制造

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筛查存在漏电通路的MOS器件的方法

筛查存在漏电通路的MOS器件的方法

引用

作者：王莹雪方益 310012 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座

本发明提供筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，包括：读入待筛查的版图文件，获取所述版图文件中的MOS器件信息；利用预设的漏电通路筛查模块判断MOS器件是否存在漏电通路；将判断结果为存在漏电通路的MOS器件，作为筛查得到的MOS器件... 详细信息

标准号: CN113725114B

本发明提供筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，包括：读入待筛查的版图文件，获取所述版图文件中的MOS器件信息；利用预设的漏电通路筛查模块判断MOS器件是否存在漏电通路；将判断结果为存在漏电通路的MOS器件，作为筛查得到的MOS器件。步骤简洁，利于提高器件真实电学特性的分析的效率，筛查结果的可靠性高。有利于降低工艺研发成本，解决了人工检查费时和易产生疏漏的问题，当MOS器件数量较多时，利用漏电通路筛查模块进行自动化筛查的优势尤为明显；避免了器件真实电学特性的分析中存在的不利因素。

关键词：筛查漏电通路版图文件电学特性不利因素模块判断判断结果人工检查读入研发预设自动化分析

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一种自动修正MOS器件漏电通路的方法

一种自动修正MOS器件漏电通路的方法

引用

作者：王莹雪方益 310012 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座

标准号: CN113657071A

关键词：漏电通路自动修正修正模块电学特性测试修正版图文件电性测试人工操作有效解决读入通孔研发预设断层真实性节约制造

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筛查存在漏电通路的MOS器件的方法

筛查存在漏电通路的MOS器件的方法

引用

作者：王莹雪方益 310012 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座

标准号: CN113725114A

关键词：筛查漏电通路版图文件电学特性不利因素模块判断判断结果人工检查读入研发预设自动化分析

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一种基于丝素纳米纤维带制备生物忆阻器的方法

一种基于丝素纳米纤维带制备生物忆阻器的方法

引用

作者：范苏娜张艺张耀鹏邵惠丽曹成波 201620 上海市松江区人民北路2999号

本发明涉及一种基于丝素纳米纤维带制备生物忆阻器的方法，利用线棒涂布机将丝素纳米纤维带悬浮液在导电层上涂膜得到丝素蛋白膜后，在丝素蛋白膜上制备电极层制得生物忆阻器，其中，丝素纳米纤维带的厚度小于等于0.4nm，结晶度大于等... 详细信息

标准号: CN110676378B

本发明涉及一种基于丝素纳米纤维带制备生物忆阻器的方法，利用线棒涂布机将丝素纳米纤维带悬浮液在导电层上涂膜得到丝素蛋白膜后，在丝素蛋白膜上制备电极层制得生物忆阻器，其中，丝素纳米纤维带的厚度小于等于0.4nm，结晶度大于等于40％。本发明的一种基于丝素纳米纤维带制备生物忆阻器的方法，简单易操作，可有效制备出灵敏度高、工作电压低、信号传输稳定的生物忆阻器并具有神经突触仿生的特性，能够从减少漏电通路、规避无效缺陷两方面来显著提升器件的性能：启动电压小于1.5V，开关比大于10⁷，数据保持时间大于10⁴s，可擦写次数达1000～10⁵次；该方法适用范围广，适合大规模生产，应用前景较好。

关键词：丝素纳米纤维带忆阻器丝素蛋白膜制备生物制备漏电通路启动电压数据保持提升器件信号传输灵敏度导电层电极层电压低结晶度开关比可擦写神经突涂布机悬浮液涂膜线棒应用

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一种低漏电延迟型上电复位电路

一种低漏电延迟型上电复位电路

引用

作者：游恒尚德龙周玉梅 211135 江苏省南京市江宁区创研路266号麒麟人工智能产业园8栋8层

本发明公开了一种低漏电延迟型上电复位电路，涉及复位电路技术领域，在系统电源电压开始上升时，第一NMOS管和第二NMOS管输出参考电压控制第一PMOS管的栅极，当系统电源电压不足以使第一PMOS管开启时，第一PMOS管关断，不向电容充电。... 详细信息

标准号: CN117728811A

本发明公开了一种低漏电延迟型上电复位电路，涉及复位电路技术领域，在系统电源电压开始上升时，第一NMOS管和第二NMOS管输出参考电压控制第一PMOS管的栅极，当系统电源电压不足以使第一PMOS管开启时，第一PMOS管关断，不向电容充电。下拉补偿电路将电容的电压下拉到低电平。随着系统电源电压的升高，第一PMOS管开启，逐渐将电容充电到高电平，复位信号RSTN也由低电平变为高电平，电路进入稳态模式。进入稳态后，第三PMOS管和第六PMOS管关断，切断上电检测电路和下拉补偿电路的漏电通路，进而大幅度降低漏电。本申请解决了当前上电复位电路静态功耗过高的问题。

关键词：系统电源电压下拉上电复位电路漏电补偿电路电容充电低电平高电平关断上电检测电路输出参考电压复位电路复位信号静态功耗漏电通路稳态模式上升时延迟型电容稳态电路升高申请

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一种具有冷备份功能的低导通电阻高平坦度CMOS开关电路

一种具有冷备份功能的低导通电阻高平坦度CMOS开关电路

引用

作者：贾兰超初飞王瑛彭领孔瀛宁静怡陈俞岐张雪梓曲绍贤 100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号

本发明一种具有冷备份功能的低导通电阻高平坦度CMOS开关电路，该CMOS开关电路包括CMOS开关模块、衬底电位控制模块和开关控制模块，该开关电路通过对各模块的电路设计，具有在电源断开后输出为高阻，不存在输入端口对电源、地或后级电... 详细信息

标准号: CN117081559A

本发明一种具有冷备份功能的低导通电阻高平坦度CMOS开关电路，该CMOS开关电路包括CMOS开关模块、衬底电位控制模块和开关控制模块，该开关电路通过对各模块的电路设计，具有在电源断开后输出为高阻，不存在输入端口对电源、地或后级电路的漏电通路；本发明CMOS开关电路的开关管采用衬底电压跟随输入电压的结构，减小了开关管|VBS|的电压，使开关管阈值电压降低，CMOS开关导通时，通道导通电阻小且导通电阻平坦度高；本发明在CMOS开关的基础上增加断电防护功能，在电源电压断开时，输入电压无到电源、地和输出的通路，不会对系统的其他电路和器件造成损伤，提高了系统的可靠性。

关键词：开关管导通电阻输入电压电源开关控制模块低导通电阻输出衬底电位衬底电压电路设计电源电压电源断开防护功能高平坦度后级电路开关电路控制模块漏电通路输入端口阈值电压冷备份平坦度导通高阻减小断开断电电路损伤

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一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构

一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构

引用

作者：米丹周昕杰周晓彬殷亚楠郭风岐 214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

本发明公开一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构，属于集成电路领域，包括p型半导体衬底、设置在p型半导体衬底上的有源区、设置在有源区上的栅端、设置在中部的n+注入区、设置在外围的p+注入区、设置在有源区和栅端上的接... 详细信息

标准号: CN116153926B

本发明公开一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构，属于集成电路领域，包括p型半导体衬底、设置在p型半导体衬底上的有源区、设置在有源区上的栅端、设置在中部的n⁺注入区、设置在外围的p⁺注入区、设置在有源区和栅端上的接触孔。中部的主体栅与主体有源区交叠形成NMOS管的有效沟道区，上下两侧的隔离栅与主体有源区边缘相切、相交或相间，并横跨隔离有源区。通过隔离栅与隔离有源区相互配合，并设置外围隔离有源区环，可以有效阻断总剂量辐射效应引起的场区氧化层下的漏电通路，降低边缘寄生NMOS管和场区寄生NMOS管的影响，提升NMOS管抗总剂量辐射的能力。

关键词：源区隔离有源区抗总剂量辐射隔离栅注入区衬底寄生栅端外围版图加固结构集成电路领域场区氧化层有效沟道区总剂量辐射漏电通路上下两侧源区边缘接触孔场区沟道交叠相切横跨相交配合

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一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件

一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件

引用

作者：梁德新向啟平 516000 广东省惠州市平南工业区2号厂房

本发明涉及一种集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，将温度保护装置集成到Mosfet半导体器件内部，实现最高灵敏度的感知Mosfet半导体器件的温度变化，温度保护装置与Mosfet两者之间进行有效隔离，不产生漏电通路。

标准号: CN109786367A

关键词：温度保护装置半导体器件漏电通路有效隔离灵敏度感知

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像素电路、其驱动方法及显示装置

像素电路、其驱动方法及显示装置

引用

作者：皇甫鲁江王丽朱健超刘利宾 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

一种像素电路、其驱动方法及显示装置，在保证阈值检获阶段(t2)和数据写入阶段(t3)分离以适用于高帧频应用的基础上，通过变换电路结构，使阈值补偿电路(4)和驱动晶体管(DT)之间，以及复位电路(1)和驱动晶体管(DT)之间通过包含低漏电的... 详细信息

标准号: CN115244609A

一种像素电路、其驱动方法及显示装置，在保证阈值检获阶段(t2)和数据写入阶段(t3)分离以适用于高帧频应用的基础上，通过变换电路结构，使阈值补偿电路(4)和驱动晶体管(DT)之间，以及复位电路(1)和驱动晶体管(DT)之间通过包含低漏电的金属氧化物薄膜晶体管的导通控制电路(5)连接，增加的导通控制电路(5)可以减少存储电容电路(3)向驱动晶体管(DT)的栅极持续提供驱动电压时有影响的漏电节点和相关漏电通路，在像素电路中通过采用少量的低漏电金属氧化物薄膜晶体管作为通路开关器件，抑制漏电流对存储电容电路(3)保持驱动电压信号稳定性的影响，确保驱动信号的电压保持率，从而兼顾低帧频的应用。

关键词：驱动晶体管漏电金属氧化物薄膜晶体管导通控制电路存储电容像素电路电路变换电路结构驱动电压信号数据写入阶段阈值补偿电路电压保持率持续提供复位电路漏电通路驱动电压驱动信号通路开关显示装置高帧频漏电流帧频应用驱动保证

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