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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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6 篇 工学
- 5 篇 材料科学与工程（可...
- 5 篇 电气工程
- 1 篇 动力工程及工程热...
2 篇 理学
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主题

6 篇 熔融织构法
2 篇 高温超导体
1 篇 pr掺杂
1 篇 低温比热
1 篇 单畴
1 篇 ybco
1 篇 超导电性
1 篇 ybco薄膜
1 篇 超导体
1 篇 ybco晶体
1 篇 x射线衍射
1 篇 磁悬浮力
1 篇 ca掺杂
1 篇 sm211晶须
1 篇 ybco超导体
1 篇 纳米yw2411
1 篇 ybco块材
1 篇 顶部籽晶
1 篇 缺陷分布
1 篇 磁通钉扎

机构

18 篇 上海交通大学
3 篇 成都力为超导科技...
2 篇 陕西师范大学
1 篇 中科院上海微系统...
1 篇 上海科学技术大学
1 篇 复旦大学
1 篇 中国科学院物理研...
1 篇 南京大学
1 篇 中国科学院上海冶...
1 篇 中国科学院等离子...
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1 篇 上海大学
1 篇 解放军理工大学
1 篇 索尔瓦钡/锶有限公...
1 篇 中国科学院固体物...

作者

17 篇 姚忻
8 篇 钱俊
8 篇 相辉
8 篇 崔祥祥
7 篇 郭林山
6 篇 陈媛媛
6 篇 王伟
6 篇 李昊辰
6 篇 潘彬
4 篇 彭波南
4 篇 庄宇峰
3 篇 张雅琴
3 篇 朱彦涵
3 篇 刘艳
2 篇 樊文硕
2 篇 张乐天
2 篇 尹伊倩
2 篇 雷一明
2 篇 万炎
2 篇 黄思敏

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30 篇 中文

检索条件"主题词=熔融织构法"

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一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法

一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法

引用

作者：姚忻王伟彭波南郭林山陈媛媛雷一明庄宇峰李昊辰 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备Y123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体；其中，前驱体按Y123+（0～15... 详细信息

标准号: CN103603043A

本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备Y123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体；其中，前驱体按Y123+（0～15）wt%CaCO₃+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到钙掺杂YBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于钙掺杂YBCO准单晶体的制备。

关键词：籽晶前驱体嵌入式掺杂单晶体薄膜嵌入压制熔融织构法溶解和扩散前驱高温状态稀土元素有效抑制诱导生长籽晶生长生长炉生长固定内部

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一种倒置生长REBCO块材的方法

一种倒置生长REBCO块材的方法

引用

作者：李昊辰樊文硕王伟郭林山相辉崔祥祥张乐天姚忻 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明提供一种倒置生长REBCO块材的方法，包括：制备RE123相和RE211相的粉末；制备嵌入式籽晶前驱体：将RE123相和RE211相的粉末按RE123 +30mol%RE211+（0.3~1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，再压制形成圆柱形的前驱体，并在压制过程中，... 详细信息

标准号: CN104233469B

本发明提供一种倒置生长REBCO块材的方法，包括：制备RE123相和RE211相的粉末；制备嵌入式籽晶前驱体：将RE123相和RE211相的粉末按RE123 +30mol%RE211+（0.3~1.5）wt%CeO₂的比例混合均匀，再压制形成圆柱形的前驱体，并在压制过程中，将籽晶水平固定地嵌入前驱体上表面中央区域的内部，形成嵌入式籽晶前驱体；将嵌入式籽晶前驱体倒置放于未抛光的MgO基板表面，并置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO块材。本发明有效抑制前驱体的液体流失，减少组分偏离和自发形核的产生，防止污染，减少应力，进而有利于REBCO块材的制备。

关键词：前驱体籽晶嵌入式块材制备倒置压制熔融织构法上表面中央防止污染基板表面水平固定液体流失有效抑制自发形核组分偏离生长炉未抛光生长嵌入

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一种利用组分分层控制法生长REBCO高温超导块材的方法

一种利用组分分层控制法生长REBCO高温超导块材的方法

引用

作者：姚忻黄思敏尹伊倩万炎钱俊朱彦涵 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明公开了一种利用组分分层控制，生长REBCO(RE＝Sm,Nd，La)高温超导块材的方法，包括如下工序：a)制备富钡组分的RE123SS、RE211SS相以及普通组分的RE123、RE211粉末；b)制备分层组分的前驱体；c)将籽晶放置在前驱体的上表面；d)将... 详细信息

标准号: CN110373717A

本发明公开了一种利用组分分层控制，生长REBCO(RE＝Sm,Nd，La)高温超导块材的方法，包括如下工序：a)制备富钡组分的RE123_SS、RE211_SS相以及普通组分的RE123、RE211粉末；b)制备分层组分的前驱体；c)将籽晶放置在前驱体的上表面；d)将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长。本发明采用顶部籽晶熔融织构法，制备高性能REBCO高温超导块材，在块体的上层采用常规组分，下层部分采用富钡组分，顶部籽晶首先快速将上层普通组分ab面长满，然后上层已长满的部分充当一个大籽晶可将下层富钡组分粉体的ab面长满，获得大c畴的LREBCO块材，提高磁悬浮力、冻结磁场等性能。

关键词：前驱体高温超导块材顶部籽晶上层籽晶下层制备熔融织构生长熔融织构法制备高性能磁悬浮力分层控制上表面生长炉大籽分层粉体块材块体磁场冻结生长

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一种生长REBCO高温超导块材的方法

一种生长REBCO高温超导块材的方法

引用

作者：姚忻相辉潘彬崔祥祥钱俊 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明提供一种生长REBCO高温超导块材的方法，包括如下工序：a)按照摩尔比Ba：Cu＝2：3制备Ba2Cu3O5粉末；b)按(0.55～0.8)RE2O3+Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备前驱体；c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长RE... 详细信息

标准号: CN105177712A

本发明提供一种生长REBCO高温超导块材的方法，包括如下工序：a)按照摩尔比Ba：Cu＝2：3制备Ba₂Cu₃O₅粉末；b)按(0.55～0.8)RE₂O₃+Ba₂Cu₃O₅+(0.3～1.5)wt％CeO₂的配比制备前驱体；c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高温超导块材；其中，工序b)中的前驱体为工序a)获得的Ba₂Cu₃O₅粉末按(0.55～0.8)RE₂O₃+Ba₂Cu₃O₅+(0.3～1.5)wt％CeO₂的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明在前驱体中直接使用摩尔比Ba：Cu＝2：3制备的Ba₂Cu₃O₅粉末，而避免制备RE123、RE211粉末，节约了时间和工艺成本，又能够保证在整个生长过程中的各元素配比保持RE123和RE211的摩尔比约等于1：(0.1～0.4)，从而获得REBCO高温超导块材。

关键词：前驱体制备高温超导块材摩尔比熔融织构法工艺成本生长过程压制而成元素配比生长生长炉时间和配比一种籽晶均匀诱导节约保持保证

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一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法

一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法

引用

作者：姚忻相辉潘彬崔祥祥钱俊 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明提供一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a)按照摩尔比Ba：Cu＝2：3制备Ba2Cu3O5粉末；b)按RE2O3+2Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备前驱体；c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高... 详细信息

标准号: CN105133014A

本发明提供一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a)按照摩尔比Ba：Cu＝2：3制备Ba₂Cu₃O₅粉末；b)按RE₂O₃+2Ba₂Cu₃O₅+(0.3～1.5)wt％CeO₂的配比制备前驱体；c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高温超导准单晶体；其中，工序b)中的前驱体为工序a)获得的Ba₂Cu₃O₅粉末按RE₂O₃+2Ba₂Cu₃O₅+(0.3～1.5)wt％CeO₂的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明在前驱体中直接使用摩尔比Ba：Cu＝2：3制备的Ba₂Cu₃O₅粉末，而避免制备RE123粉末，节约了时间和工艺成本，又能够保证在整个生长过程中的各元素配比保持RE:Ba：Cu＝1：2：3的比例，从而获得REBCO高温超导准单晶。

关键词：前驱体制备高温超导单晶体摩尔比熔融织构法工艺成本生长过程压制而成元素配比生长生长炉时间和准单晶配比一种籽晶均匀诱导节约保持保证

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利用片状REBCO单晶生长REBCO准单晶的方法

利用片状REBCO单晶生长REBCO准单晶的方法

引用

作者：姚忻相辉崔祥祥钱俊刘艳潘彬 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明提供了一种利用片状REBCO单晶生长REBCO准单晶的方法，包括如下工序：a)制备RE123相的粉末；b)使用片状REBCO晶体作为籽晶，按RE123+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备嵌入式籽晶的前驱体；c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进... 详细信息

标准号: CN105420811A

本发明提供了一种利用片状REBCO单晶生长REBCO准单晶的方法，包括如下工序：a)制备RE123相的粉末；b)使用片状REBCO晶体作为籽晶，按RE123+(0.3～1.5)wt％CeO₂的配比制备嵌入式籽晶的前驱体；c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长准单晶；其中，所述片状REBCO晶体是通过沿a-b面解离REBCO单晶而获得；所述片状REBCO晶体沿c轴方向的厚度为0.05mm～2mm，沿a-b面的尺寸为2mm×2mm～10mm×10mm。本发明提供一种低成本、制备简单、成品率高的REBCO籽晶材料，基于熔融织构法制备生长REBCO高温超导准单晶，以满足科研和实际工业化生产的需求。

关键词：准单晶籽晶制备前驱体嵌入式一种熔融织构法单晶生长高温超导熔融织构籽晶材料成品率低成本生长炉生长单晶解离配比科研满足进行

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一种利用组分分层控制法生长REBCO高温超导块材的方法

一种利用组分分层控制法生长REBCO高温超导块材的方法

引用

作者：姚忻黄思敏尹伊倩万炎钱俊朱彦涵 200240 上海市闵行区东川路800号

标准号: CN110373717B

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一种回收再利用REBCO块体籽晶用以生长超导块材的方法

一种回收再利用REBCO块体籽晶用以生长超导块材的方法

引用

作者：邓自刚张曦文李婷婷宋云睿唐荣 610031 四川省成都市二环路北一段111号

本发明提供了一种回收再利用REBCO块体籽晶用以生长超导块材的方法，涉及超导材料回收技术领域，包括制备第一前驱胚体和第一缓冲层，基于顶部籽晶熔融织构法处理原始REBCO籽晶和第一前驱胚体，获得原始REBCO高温超导块材。随后，将原... 详细信息

标准号: CN118326491A

本发明提供了一种回收再利用REBCO块体籽晶用以生长超导块材的方法，涉及超导材料回收技术领域，包括制备第一前驱胚体和第一缓冲层，基于顶部籽晶熔融织构法处理原始REBCO籽晶和第一前驱胚体，获得原始REBCO高温超导块材。随后，将原始块材按特定方式进行解理，回收得到REBCO籽晶，并对其进行打磨抛光。通过重复制作，得到第二前驱胚体和第二缓冲层，并将回收籽晶插入第二前驱胚体并组装。最后，再次采用完全相同的顶部籽晶熔融织构法处理组装好的第二前驱胚体，获得利用回收籽晶生长的REBCO高温超导块材，本发明能够实现无损耗的籽晶回收过程，且每次均能生长成功形貌良好和磁力性能一致的块材，可以实现尽可能多次数的籽晶回收次数。

关键词：籽晶前驱回收胚体高温超导块材熔融织构法顶部籽晶缓冲层组装形貌超导材料超导块材打磨抛光籽晶生长磁力无损耗原始块再利用生长解理块材块体制备重复制作成功

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利用片状REBCO单晶生长REBCO块材的方法

利用片状REBCO单晶生长REBCO块材的方法

引用

作者：姚忻相辉崔祥祥钱俊刘艳潘彬 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明提供了一种利用片状REBCO单晶生长REBCO块材的方法，包括如下工序：a)制备RE123相、RE211相的粉末；b)使用片状REBCO晶体作为籽晶，按RE123+(15～30)mol％RE211+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备嵌入式籽晶的前驱体；c)将所述嵌入式... 详细信息

标准号: CN105401217B

本发明提供了一种利用片状REBCO单晶生长REBCO块材的方法，包括如下工序：a)制备RE123相、RE211相的粉末；b)使用片状REBCO晶体作为籽晶，按RE123+(15～30)mol％RE211+(0.3～1.5)wt％CeO₂的配比制备嵌入式籽晶的前驱体；c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长块材；其中，所述片状REBCO晶体是通过沿a‑b面解离REBCO单晶而获得；所述片状REBCO晶体沿c轴方向的厚度为0.05mm～2mm，沿a‑b面的尺寸为2mm×2mm～10mm×10mm。本发明提供一种低成本、制备简单、成品率高的REBCO籽晶材料，基于熔融织构法制备生长REBCO高温超导块材，以满足科研和实际工业化生产的需求。

关键词：籽晶制备前驱体嵌入式块材高温超导块材熔融织构法单晶生长籽晶材料生长成品率低成本生长炉单晶解离配比熔融织构科研

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一种倒置生长REBCO块材的方法

一种倒置生长REBCO块材的方法

引用

作者：李昊辰樊文硕王伟郭林山相辉崔祥祥张乐天姚忻 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明提供一种倒置生长REBCO块材的方法，包括：制备RE123相和RE211相的粉末；制备嵌入式籽晶前驱体：将RE123相和RE211相的粉末按RE123+30mol%RE211+（0.3~1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，再压制形成圆柱形的前驱体，并在压制过程中，... 详细信息

标准号: CN104233469A

本发明提供一种倒置生长REBCO块材的方法，包括：制备RE123相和RE211相的粉末；制备嵌入式籽晶前驱体：将RE123相和RE211相的粉末按RE123+30mol%RE211+（0.3~1.5）wt%CeO₂的比例混合均匀，再压制形成圆柱形的前驱体，并在压制过程中，将籽晶水平固定地嵌入前驱体上表面中央区域的内部，形成嵌入式籽晶前驱体；将嵌入式籽晶前驱体倒置放于未抛光的MgO基板表面，并置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO块材。本发明有效抑制前驱体的液体流失，减少组分偏离和自发形核的产生，防止污染，减少应力，进而有利于REBCO块材的制备。

关键词：前驱体籽晶嵌入式倒置压制熔融织构法基板表面水平固定有效抑制中央区域自发形核上表面生长炉抛光生长嵌入污染内部

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