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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

116 篇 专利

馆藏范围

116 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

10 篇 上海华虹宏力半导...
6 篇 东京毅力科创株式...
6 篇 华天科技电子有限...
6 篇 杭州电子科技大学
4 篇 埃耶士株式会社
3 篇 上海宏力半导体制...
3 篇 中芯国际集成电路...
3 篇 信越半导体株式会...
3 篇 华南理工大学
3 篇 珠海纳思达电子科...
3 篇 欧姆龙株式会社
2 篇 巴黎综合理工学院
2 篇 旺宏电子股份有限...
2 篇 三菱电机株式会社
2 篇 武汉理工大学
2 篇 华邦电子股份有限...
2 篇 武汉电信器件有限...
2 篇 精工爱普生株式会...
2 篇 清华大学
2 篇 大连海事大学

作者

6 篇 吴立群
6 篇 王洪成
6 篇 周毅
6 篇 于大全
6 篇 张俐楠
4 篇 川端克彦
4 篇 李越
4 篇 刘善善
4 篇 郑伟
4 篇 程从秀
3 篇 加藤史仁
3 篇 项敏
3 篇 犬贺正幸
3 篇 高桥敏幸
3 篇 周波
3 篇 李耀超
3 篇 笠井隆
3 篇 闫志国
3 篇 温万昱
3 篇 朱黎敏

语言

116 篇 中文

检索条件"主题词=硅基板表面"

共 116 条记录，以下是41-50 订阅

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详细简洁

排序：

用于减缓电磁干扰的芯片封装结构及封装方法

用于减缓电磁干扰的芯片封装结构及封装方法

引用

作者：于大全项敏 215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号

本发明公开一种用于减缓电磁干扰的芯片封装结构及其封装方法，通过在硅基板上制作下沉凹槽，并将芯片正面焊垫朝上埋入下沉凹槽，节省了封装空间，通过在芯片正面及硅基板第一表面上形成水平排布或垂直排布的电感布线，且在第一绝缘层... 详细信息

标准号: CN106169428B

本发明公开一种用于减缓电磁干扰的芯片封装结构及其封装方法，通过在硅基板上制作下沉凹槽，并将芯片正面焊垫朝上埋入下沉凹槽，节省了封装空间，通过在芯片正面及硅基板第一表面上形成水平排布或垂直排布的电感布线，且在第一绝缘层上形成水平排布或垂直排布的电容布线，第一金属重布线或第二金属重布线及焊球延伸至硅基板表面上，实现了将芯片焊垫电性扇出至硅基板表面，提高了封装可靠性，工艺简单，成本低；水平排布或垂直排布的电感布线构成电感，且水平排布或垂直排布的电容布线及其间的电介质层构成电容，带有滤波特性的电感和电容能够减缓芯片内部线路之间信号的串扰，滤除不需要的电信号，增强封装产品的可靠性和性能，同时降低成本。

关键词：电感垂直排布水平排布硅基板表面电容布线下沉凹槽芯片正面硅基板重布线电容布线绝缘层芯片封装结构封装可靠性金属第一表面电磁干扰电介质层封装产品封装空间滤波特性内部线路芯片焊垫朝上串扰电性焊垫焊球滤除埋入扇出封装芯片延伸制作

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硅基板的表面剥离方法

硅基板的表面剥离方法

引用

作者：柳奉宁梁畅烈刘圣国韩国京畿道

本发明提供一种通过连续的湿法沉积工序和低温工序能够均匀地剥离硅基板的表面的硅基板的表面剥离方法。本发明的硅基板的表面剥离方法包括：在硅基板表面形成纳米孔的步骤；通过无电解沉积方式，在形成有纳米孔的硅基板表面形成金属种... 详细信息

标准号: CN106463376A

本发明提供一种通过连续的湿法沉积工序和低温工序能够均匀地剥离硅基板的表面的硅基板的表面剥离方法。本发明的硅基板的表面剥离方法包括：在硅基板表面形成纳米孔的步骤；通过无电解沉积方式，在形成有纳米孔的硅基板表面形成金属种子层的步骤；通过电解沉积方式，在上述种子层上形成金属应力层的步骤；以及通过残留在上述应力层的电解沉积应力，剥离上述硅基板的表面的步骤。另外，本发明的特征在于包括：通过电解沉积工序，在晶体硅基板的表面形成残留有电解沉积应力的磁性材质的应力层的步骤；以及通过残留在上述应力层的电解沉积应力来剥离上述晶体硅基板的表面的步骤，在剥离上述晶体硅基板的表面的步骤中，使用磁铁来对上述应力层施加力。

关键词：电解沉积应力层剥离硅基板晶体硅基板硅基板表面残留纳米孔金属种子层无电解沉积表面形成磁性材质低温工序湿法沉积施加力种子层磁铁金属

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基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法

基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法

引用

作者：张俐楠程从秀郑伟吴立群王洪成 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街1号

本发明公开了一种基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其按如下步骤：步骤一：硅基板的第一端固定；步骤二：激光照射硅基板的第二端，硅基板第二端形成凸起形貌；步骤三：测量硅基板凸起形貌的最大高度H以及最大直径D... 详细信息

标准号: CN106583918A

本发明公开了一种基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其按如下步骤：步骤一：硅基板的第一端固定；步骤二：激光照射硅基板的第二端，硅基板第二端形成凸起形貌；步骤三：测量硅基板凸起形貌的最大高度H以及最大直径D，通过以下公式计算硅基板表面凸起形貌的长径比：最大高度H/最大直径D；步骤四：改变步骤二的激光功率，重复步骤二至步骤三，统计不同激光功率下最大凸起形貌的长径比，以得出激光功率与最大凸起形貌的长径比规律。本发明以通过改变激光的功率来控制硅基板上凸起形貌的大小。本发明不需要对硅基板整体进行高温处理，避免了产生高温晶格缺陷和杂质缺陷。

关键词：形貌硅基板凸起激光功率长径比激光硅基板表面成型技术高温处理公式计算硅基表面激光照射晶格缺陷杂质缺陷第一端上凸起测量重复统计研究

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基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法

基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法

引用

作者：张俐楠程从秀郑伟吴立群王洪成 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街1号

本发明公开了一种基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法：一、分别用不同导热率的材料接触纳米结构的硅基板；二、激光照射纳米结构的硅基板表面；三、观察硅基表面形态，并测量硅基表面凸起的长径比。四、总结硅基表面形态的变... 详细信息

标准号: CN106744659A

本发明公开了一种基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法：一、分别用不同导热率的材料接触纳米结构的硅基板；二、激光照射纳米结构的硅基板表面；三、观察硅基表面形态，并测量硅基表面凸起的长径比。四、总结硅基表面形态的变化规律。本发明具有如下特点：其一，通过接触材料的导热率来改变纳米结构硅基表面形态。其二，用激光对纳米结构硅基板进行照射，清洁、环保、不产生任何污染。其三，改变纳米结构硅基表面形态所需的时间短，效率高。

关键词：纳米结构硅硅基表面基表面纳米结构导热率硅基板表面变化规律材料接触激光控制激光照射接触材料长径比硅基板基板凸起照射激光测量清洁观察污染环保研究

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石墨烯带太赫兹传感器

石墨烯带太赫兹传感器

引用

作者：黄晓敏 528000 广东省佛山市三水区乐平镇时代广场情人街区6座8号

本申请提供了一种石墨烯带太赫兹传感器，包括源漏极之间连接的石墨烯带，通过在硅基板上形成凹槽和凹槽上的金属层，将石墨烯层通过金属辅助氧化方法去除与金属层接触的部分，形成石墨烯带，利用石墨烯带特有的电学性能对太赫兹进行探... 详细信息

标准号: CN106960892A

本申请提供了一种石墨烯带太赫兹传感器，包括源漏极之间连接的石墨烯带，通过在硅基板上形成凹槽和凹槽上的金属层，将石墨烯层通过金属辅助氧化方法去除与金属层接触的部分，形成石墨烯带，利用石墨烯带特有的电学性能对太赫兹进行探测，实现高效率的石墨烯带太赫兹传感器。

关键词：石墨烯传感器金属层接触电学性能金属辅助石墨烯层高效率硅基板金属层源漏极去除探测申请石墨烯横向平行金属层硅基板表面凹槽两端石墨烯层氧化物层硅基板上表面去除表面氧化金属辅助纵横比传感器紧挨漏极银层源极背面

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用于减缓电磁干扰的芯片封装结构

用于减缓电磁干扰的芯片封装结构

引用

作者：于大全项敏 215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号

本实用新型公开一种用于减缓电磁干扰的芯片封装结构，通过在硅基板上制作下沉凹槽，并将芯片正面焊垫朝上埋入下沉凹槽，节省了封装空间，通过在芯片正面及硅基板第一表面上形成水平排布或垂直排布的电感布线，且在第一绝缘层上形成水... 详细信息

标准号: CN206076221U

本实用新型公开一种用于减缓电磁干扰的芯片封装结构，通过在硅基板上制作下沉凹槽，并将芯片正面焊垫朝上埋入下沉凹槽，节省了封装空间，通过在芯片正面及硅基板第一表面上形成水平排布或垂直排布的电感布线，且在第一绝缘层上形成水平排布或垂直排布的电容布线，第一金属重布线或第二金属重布线及焊球延伸至硅基板表面上，实现了将芯片焊垫电性扇出至硅基板表面，提高了封装可靠性，工艺简单，成本低；水平排布或垂直排布的电感布线构成电感，且水平排布或垂直排布的电容布线及其间的电介质层构成电容，带有滤波特性的电感和电容能够减缓芯片内部线路之间信号的串扰，滤除不需要的电信号，增强封装产品的可靠性和性能，同时降低成本。

关键词：电感垂直排布水平排布硅基板表面电容布线下沉凹槽芯片正面硅基板重布线电容布线绝缘层芯片封装结构本实用新型封装可靠性金属第一表面电磁干扰电介质层封装产品封装空间滤波特性内部线路芯片焊垫朝上串扰电性焊垫焊球滤除埋入扇出芯片延伸制作

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一种基于石墨烯边缘嵌入式纳米薄膜光电传感器的脉搏仪

一种基于石墨烯边缘嵌入式纳米薄膜光电传感器的脉搏仪

引用

作者：刁东风张希陈文聪林泽洲 518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号

本发明公开了一种基于石墨烯边缘嵌入式纳米薄膜光电传感器的脉搏仪，包括：红外光源单元，用于固定待检测的用户手指、并发射指定波长的红外光以透射用户手指；光电传感单元，用于采集红外光信号，并根据红外光信号产生光电信号；光电... 详细信息

标准号: CN107334464A

本发明公开了一种基于石墨烯边缘嵌入式纳米薄膜光电传感器的脉搏仪，包括：红外光源单元，用于固定待检测的用户手指、并发射指定波长的红外光以透射用户手指；光电传感单元，用于采集红外光信号，并根据红外光信号产生光电信号；光电传感单元的硅基板表面通过ECR等离子照射生长有石墨烯边缘嵌入式纳米薄膜；整流放大单元，用于将光电信号进行整流放大，得到整流放大信号；信号采集单元，用于采集整流放大信号进行采集并保存。本发明利用边界量子势阱对光生电子的俘获，可以大大地减少了光生电子‑空穴对的复合，提高光响应率，对人体指尖脉搏信号的测量更精确稳定。

关键词：整流放大光电传感单元红外光信号光电信号光生电子纳米薄膜用户手指嵌入式石墨烯采集红外光空穴红外光源单元信号采集单元整流放大单元等离子照射光电传感器硅基板表面量子势阱脉搏信号人体指尖光响应脉搏仪波长俘获透射测量复合发射保存生长检测

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一种气密性并行传输光器件

一种气密性并行传输光器件

引用

作者：曹芳付永安 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

本发明提供一种气密性并行传输光器件，其包括硅基板、IC芯片、VCSEL芯片、PD芯片及透镜盖板，硅基板具有二氧化硅层并打上细通孔，在细通孔中填充导体物质，导体物质连通硅基板表面层至底面层，导体物质凸出硅基板底面，在硅基板上还... 详细信息

标准号: CN105403963B

本发明提供一种气密性并行传输光器件，其包括硅基板、IC芯片、VCSEL芯片、PD芯片及透镜盖板，硅基板具有二氧化硅层并打上细通孔，在细通孔中填充导体物质，导体物质连通硅基板表面层至底面层，导体物质凸出硅基板底面，在硅基板上还镀有焊料层，IC芯片倒装在硅基板上，VCSEL芯片及PD芯片均采用倒装方式贴装在IC芯片上，透镜盖板具有阵列透镜，通过高精度图像对准系统扣合在硅基板上经焊料层共晶熔融结合一体，此时透镜阵列与VCSEL芯片及PD芯片对准而实现光路耦合，藉此前述构造解决了气密性封装的技术问题，达成了省材、省能耗、利于制成及提升产品品质的良好效果。

关键词：硅基板导体物质透镜盖板焊料层细通孔倒装二氧化硅层高精度图像硅基板表面气密性封装并行传输产品品质对准系统光路耦合熔融结合透镜阵列阵列透镜凸出底面层光器件底面共晶密性上经省材贴装填充连通能耗对准

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防止光刻胶剥落的方法

防止光刻胶剥落的方法

引用

作者：刘善善吴兵曹俊 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明公开了一种防止光刻胶剥落的方法，用于离子注入工艺之后，刻蚀工艺之前，具体包括以下步骤：1)对硅基板表面进行处理，将没有覆盖光刻胶的硅基板表面变成亲水性；2)用水处理硅基板表面，使没有覆盖光刻胶的硅基板吸水膨胀；3)对... 详细信息

标准号: CN106610569A

本发明公开了一种防止光刻胶剥落的方法，用于离子注入工艺之后，刻蚀工艺之前，具体包括以下步骤：1)对硅基板表面进行处理，将没有覆盖光刻胶的硅基板表面变成亲水性；2)用水处理硅基板表面，使没有覆盖光刻胶的硅基板吸水膨胀；3)对光刻胶进行固化处理。本发明通过在离子注入后，先用ASH plasma处理硅基板表面，将裸露的硅基板表面变成亲水性，再用水处理硅基板表面，使裸露的硅基板吸水膨胀，如此抵消了UVC固化时，胶体收缩产生的应力，从而避免了光刻胶在刻蚀的时候与硅基板发生剥离，保证了刻蚀能够获得良好的图形。

关键词：硅基板表面光刻胶硅基板吸水膨胀用水处理亲水性刻蚀裸露离子注入工艺固化处理刻蚀工艺覆盖剥落固化抵消离子收缩剥离保证

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沟槽型双层栅MOS多晶硅间高密度等离子体氧化膜的制造方法

沟槽型双层栅MOS多晶硅间高密度等离子体氧化膜的制造方法

引用

作者：陈晨陈正嵘陈菊英 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明公开了一种槽型双层栅MOS多晶硅间高密度等离子体氧化膜的制造方法，包括：硅基板生长第一氮化膜；进行沟槽刻蚀；生长介质层；生长第一层多晶硅；对第一层多晶硅进行反刻蚀；去除第一层多晶硅上方沟槽侧壁的介质层；淀积第二氮... 详细信息

标准号: CN104362088B

本发明公开了一种槽型双层栅MOS多晶硅间高密度等离子体氧化膜的制造方法，包括：硅基板生长第一氮化膜；进行沟槽刻蚀；生长介质层；生长第一层多晶硅；对第一层多晶硅进行反刻蚀；去除第一层多晶硅上方沟槽侧壁的介质层；淀积第二氮化膜，刻蚀去除沟槽底部的第二氮化膜，露出第一层多晶硅；在第一层多晶硅上，生长热氧介质层；去除沟槽侧壁的第二氮化膜和硅基板表面的第一、二氮化膜；垫积高密度等离子体氧化膜，垫积厚度为4300埃至5000埃；湿法刻蚀高密度等离子体氧化膜；栅极氧化层生长；第二层多晶硅淀积与反刻蚀；形成基极和源极；形成接触孔、金属和钝化层。本发明与现有技术相比能提供更高的多晶硅间高密度等离子体氧化膜厚度稳定性。

关键词：多晶硅氮化膜第一层高密度等离子体氧化膜去除生长沟槽侧壁介质层反刻多晶硅淀积硅基板表面厚度稳定性栅极氧化层沟槽刻蚀生长介质湿法刻蚀钝化层硅基板接触孔双层栅淀积刻蚀热氧源极种槽金属制造

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