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作者：李俊俏朱超群陈宇 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

本实用新型提出了一种碳化硅功率半导体器件，通过在碳化硅外延层之上硅接触层以及在硅接触层之上形成二氧化硅栅氧层，使得硅接触层的硅与二氧化硅栅氧层的二氧化硅的晶格相匹配，能够大大减小二氧化硅栅氧层与硅接触层的界面陷阱电荷... 详细信息

标准号: CN205564760U

本实用新型提出了一种碳化硅功率半导体器件，通过在碳化硅外延层之上硅接触层以及在硅接触层之上形成二氧化硅栅氧层，使得硅接触层的硅与二氧化硅栅氧层的二氧化硅的晶格相匹配，能够大大减小二氧化硅栅氧层与硅接触层的界面陷阱电荷的数量，提高沟道载流子的迁移率，同时又具备碳化硅功率半导体器件耐高压、高温的特性。

关键词：二氧化硅接触层栅氧层碳化硅功率半导体器件界面陷阱电荷碳化硅外延层本实用新型沟道载流子耐高压迁移率减小晶格匹配

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集成高速反向续流二极管的双极型碳化硅半导体功率器件

集成高速反向续流二极管的双极型碳化硅半导体功率器件

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作者：孔谋夫 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及碳化硅功率半导体器件，具体为集成高速反向续流二极管的双极型碳化硅半导体功率器件，用以实现碳化硅功率器件与反向续流二极管的集成，集成的肖特基势垒FWD可以实现较低的二极管导通压降和减... 详细信息

标准号: CN109860171B

本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及碳化硅功率半导体器件，具体为集成高速反向续流二极管的双极型碳化硅半导体功率器件，用以实现碳化硅功率器件与反向续流二极管的集成，集成的肖特基势垒FWD可以实现较低的二极管导通压降和减少反向恢复时间和损耗。本发明可以较好地降低碳化硅功率半导体器件的应用成本和减少器件应用时的外围器件数，具有较大的应用价值。

关键词：碳化硅功率半导体器件续流二极管半导体功率器件碳化硅功率器件碳化硅半导体二极管导通肖特基势垒反向恢复功率器件器件应用外围器件应用成本双极型压降应用

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高压碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法

高压碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法

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作者：王妍茹马志勇 102206 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号

本发明提供了一种涉及高压碳化硅功率半导体器件技术领域的高压碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法，包括由下至上依次层叠设置的阴极欧姆接触电极、N+型SiC衬底、N型SiC缓冲层、P+型SiC缓冲层以及P‑型SiC长基区，P‑型SiC长基区的上表... 详细信息

标准号: CN117558752A

本发明提供了一种涉及高压碳化硅功率半导体器件技术领域的高压碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法，包括由下至上依次层叠设置的阴极欧姆接触电极、N+型SiC衬底、N型SiC缓冲层、P+型SiC缓冲层以及P‑型SiC长基区，P‑型SiC长基区的上表面依次层叠N‑型SiC短基区、N型SiC短基区、P+型SiC发射区以及阳极欧姆接触电极，N型SiC短基区的平台两侧分别依次覆盖N+门极欧姆接触区和门极欧姆接触电极，阳极欧姆接触电极和门极欧姆接触电极之间沉积钝化层形成门‑阳极隔离区。本发明采用外延工艺，减少晶体损伤，省去了离子注入和高温退火等步骤；增大P‑长基区与N型短基区的接触面积，增强了电导调制效应，减小晶闸管开通延迟时间，提高晶闸管的开通速度和灵敏度。

关键词：短基区电极长基区门极欧姆接触电极阳极欧姆接触依次层叠缓冲层碳化硅功率半导体器件门极可关断晶闸管电导调制效应阴极欧姆接触沉积钝化层晶闸管开通欧姆接触区阳极高温退火晶体损伤外延工艺发射区隔离区晶闸管灵敏度上表面碳化硅衬底减小离子延迟覆盖开通制作

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一种筛选具有潜在缺陷的芯片的方法和装置

一种筛选具有潜在缺陷的芯片的方法和装置

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作者：张文杰李乐乐宋瓘王亚飞李诚瞻 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

本发明涉及半导体制造领域，公开了一种筛选具有潜在缺陷的芯片的方法和装置，所述方法将待测试的芯片基于预设的漏电流条件进行击穿电压V(BR)DSS测试；再分别基于额定电压和120％*额定电压进行两次漏电流测试；最后基于两次漏电流测试... 详细信息

标准号: CN116148633A

本发明涉及半导体制造领域，公开了一种筛选具有潜在缺陷的芯片的方法和装置，所述方法将待测试的芯片基于预设的漏电流条件进行击穿电压V_(BR)DSS测试；再分别基于额定电压和120％*额定电压进行两次漏电流测试；最后基于两次漏电流测试结果对芯片进行合格判定，即判定芯片是否具有潜在缺陷。本发明通过设置V_(BR)DSS、漏电流静态测试，监控芯片在承受较大电应力后漏电流变化情况，可筛选出后续耐压失效概率高及风险大的碳化硅功率半导体器件，以及普通静态测试无法筛选具有潜在缺陷和漏电曲线较软的SiC功率半导体器件，降低SiC功率半导体器件在应用端和封装端的早期失效率，提高SiC功率半导体器件在耐压上的良率和寿命。

关键词：功率半导体器件潜在缺陷芯片漏电流测试漏电静态测试漏电流筛选耐压判定碳化硅功率半导体器件半导体制造领域方法和装置测试击穿电压监控芯片失效概率电应力流变化失效率应用端良率预设封装

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高压碳化硅门极可关断晶闸管

高压碳化硅门极可关断晶闸管

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作者：王妍茹马志勇 102206 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号

本实用新型提供了一种涉及高压碳化硅功率半导体器件技术领域的高压碳化硅门极可关断晶闸管，包括由下至上依次层叠设置的阴极欧姆接触电极、N+型SiC衬底、N型SiC缓冲层、P+型SiC缓冲层以及P‑型SiC长基区，P‑型SiC长基区的上表面依次层... 详细信息

标准号: CN221226229U

本实用新型提供了一种涉及高压碳化硅功率半导体器件技术领域的高压碳化硅门极可关断晶闸管，包括由下至上依次层叠设置的阴极欧姆接触电极、N+型SiC衬底、N型SiC缓冲层、P+型SiC缓冲层以及P‑型SiC长基区，P‑型SiC长基区的上表面依次层叠N‑型SiC短基区、N型SiC短基区、P+型SiC发射区以及阳极欧姆接触电极，N型SiC短基区的平台两侧分别依次覆盖N+门极欧姆接触区和门极欧姆接触电极，阳极欧姆接触电极和门极欧姆接触电极之间沉积钝化层形成门‑阳极隔离区。本实用新型采用外延工艺，减少晶体损伤，省去了离子注入和高温退火等步骤；增大P‑长基区与N型短基区的接触面积，增强了电导调制效应，减小晶闸管开通延迟时间，提高晶闸管的开通速度和灵敏度。

关键词：短基区电极长基区门极欧姆接触电极阳极欧姆接触本实用新型依次层叠缓冲层碳化硅功率半导体器件门极可关断晶闸管电导调制效应阴极欧姆接触沉积钝化层晶闸管开通欧姆接触区阳极高温退火晶体损伤外延工艺发射区隔离区晶闸管灵敏度上表面碳化硅衬底减小离子延迟覆盖开通

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全碳化硅大功率直流电源关键技术研究

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电源学报 2021年第1期19卷 215-222页

作者：李志君黄波黄小羽郑琼林李虹邵天骢北京交通大学电气工程学院北京100044 泰科天润半导体科技(北京)有限公司北京100192 国网北京市电力公司电缆分公司北京100020

碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件的耐压、频率和损耗等特性均优于硅(Si)器件,然而SiC器件抗冲击能力差、电磁干扰大,且SiC器件对整个功率变换系统的贡献尚缺乏分析验证,因此,采用全SiC器件研制高性能的大功率直流电源具有一定挑战... 详细信息

碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件的耐压、频率和损耗等特性均优于硅(Si)器件,然而SiC器件抗冲击能力差、电磁干扰大,且SiC器件对整个功率变换系统的贡献尚缺乏分析验证,因此,采用全SiC器件研制高性能的大功率直流电源具有一定挑战。首先针对SiC器件抗冲击能力差的问题,引入嵌入式保护策略,应对直流电源外部冲击扰动和短路故障。其次,针对电磁干扰大的问题,设计了电磁干扰滤波器抑制传导干扰。最后,比较全Si C电源和传统全Si电源,以实验研究的方式验证功率器件使用SiC器件的技术优势。对全SiC大功率直流电源的关键技术进行全面研究和实验验证,为SiC半导体器件在大功率电能变换中的应用提供了有益参考,并为其优异性能提供坚实依据。

关键词：碳化硅功率半导体器件电力电子变换装置嵌入式保护电磁兼容功率密度效率

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集成高速反向续流二极管的双极型碳化硅半导体功率器件

集成高速反向续流二极管的双极型碳化硅半导体功率器件

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作者：孔谋夫 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

标准号: CN109860171A

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一种集成高速反向续流二极管的碳化硅MOSFET器件

一种集成高速反向续流二极管的碳化硅MOSFET器件

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作者：孔谋夫 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及碳化硅功率半导体器件，具体为一种集成高速反向续流二极管的碳化硅MOSFET器件，用以实现碳化硅功率器件与反向续流二极管的集成，与碳化硅MOSFET原有的体区二极管相比，集成的肖特基势垒FWD可... 详细信息

标准号: CN109904155B

本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及碳化硅功率半导体器件，具体为一种集成高速反向续流二极管的碳化硅MOSFET器件，用以实现碳化硅功率器件与反向续流二极管的集成，与碳化硅MOSFET原有的体区二极管相比，集成的肖特基势垒FWD可以实现较低的二极管导通压降和减少反向恢复时间和损耗。本发明可以较好地降低碳化硅功率半导体器件的应用成本和减少器件应用时的外围器件数，具有较大的应用价值。

关键词：碳化硅功率半导体器件碳化硅MOSFET 续流二极管半导体功率器件碳化硅功率器件二极管导通肖特基势垒二极管反向恢复器件应用外围器件应用成本原有的体区压降应用

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一种集成高速反向续流二极管的碳化硅MOSFET器件

一种集成高速反向续流二极管的碳化硅MOSFET器件

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作者：孔谋夫 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

标准号: CN109904155A

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一种积累型碳化硅功率MOSFET器件

一种积累型碳化硅功率MOSFET器件

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作者：孔谋夫马洪飞 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及碳化硅功率半导体器件，具体为一种积累型碳化硅功率MOSFET器件，具有正向阻断能力，使用积累型电子沟道以及电荷补偿等技术，可以提高沟道载流子(电子)迁移率，降低器件的沟道电阻及漂移区... 详细信息

标准号: CN110164975A

本发明涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及碳化硅功率半导体器件，具体为一种积累型碳化硅功率MOSFET器件，具有正向阻断能力，使用积累型电子沟道以及电荷补偿等技术，可以提高沟道载流子(电子)迁移率，降低器件的沟道电阻及漂移区电阻，即可以降低器件的特征电阻，优化器件耐压与比导通电阻间的折衷关系。与传统反型层沟道的器件比较，本发明器件具有更低的导通电阻和导通压降，因此具有广阔的应用前景。

关键词：降低器件积累型碳化硅功率半导体器件半导体功率器件比导通电阻沟道载流子碳化硅功率导通电阻导通压降电荷补偿电子沟道发明器件沟道电阻特征电阻优化器件折衷关系反型层漂移区迁移率电阻沟道耐压正向应用

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