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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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295 篇 专利
1 篇 学位论文

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296 篇 电子文献
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1 篇 工学
- 1 篇 计算机科学与技术...

主题

1 篇 acl
1 篇 聚合
1 篇 802.1br
1 篇 纵向堆叠

机构

7 篇 新华三技术有限公...
6 篇 中兴通讯股份有限...
6 篇 中芯国际集成电路...
6 篇 电子科技大学
4 篇 厦门达兴昌包装材...
4 篇 中山大学
3 篇 杭州华三通信技术...
3 篇 中材科技风电叶片...
3 篇 中国地质大学
3 篇 光华临港工程应用...
2 篇 大金工业株式会社
2 篇 江苏联合过滤技术...
2 篇 山东彩客新材料有...
2 篇 深圳新声半导体有...
2 篇 中国科学院大学
2 篇 gx技术加拿大有限...
2 篇 劳德技术有限公司
2 篇 西安紫光国芯半导...
2 篇 江苏博轩物流科技...
2 篇 华进半导体封装先...

作者

6 篇 徐丰和
6 篇 牛耀都
6 篇 宋健强
6 篇 段卫东
6 篇 廖永波
6 篇 李平
6 篇 袁丕根
6 篇 万旭
5 篇 曹淑玲
4 篇 王镖
4 篇 陈军
4 篇 周宏宇
4 篇 王凯
4 篇 李树春
4 篇 柯君雄
4 篇 徐杨兵
4 篇 金吉松
4 篇 吕娜
3 篇 郑炎
3 篇 唐辉明

语言

296 篇 中文

检索条件"主题词=纵向堆叠"

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详细简洁

排序：

纵向堆叠芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法

纵向堆叠芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法

引用

作者：请求不公布姓名 231283 安徽省合肥市高新区习友路3333号中国(合肥)国际智能语音产业园研发中心楼611-194室

本发明涉及纵向堆叠芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法，其中本发明的计算装置包括在集成电路装置中，该集成电路装置包括通用互联接口和其他处理装置。计算装置与其他处理装置进行交互，共同完成用户指定的计算操作。集成电路装置... 详细信息

标准号: CN115966535A

本发明涉及纵向堆叠芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法，其中本发明的计算装置包括在集成电路装置中，该集成电路装置包括通用互联接口和其他处理装置。计算装置与其他处理装置进行交互，共同完成用户指定的计算操作。集成电路装置还可以包括存储装置，存储装置分别与计算装置和其他处理装置连接，用于计算装置和其他处理装置的数据存储。

关键词：集成电路装置处理装置计算装置存储装置计算操作数据存储通用互联用户指定纵向堆叠板卡制程芯片

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一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构

一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构

引用

作者：廖永波万旭李平牛耀都徐丰和宋健强袁丕根 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路领域。本发明提供一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构，在纵向上分别设置有源极区域一、半导体沟道区一、漏极区... 详细信息

标准号: CN116632007A

一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路领域。本发明提供一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构，在纵向上分别设置有源极区域一、半导体沟道区一、漏极区域一、二氧化硅隔离区域、漏极区域二、半导体沟道区二和源极区域二，同时实现了NMOS和PMOS，且特殊的工艺使得PMOS的面积是NMOS的三倍。NMOS和PMOS均采用沟道区重掺杂和轻掺杂漏区的方式来抑制DIBL效应。器件周围通过刻槽的方式环绕着栅极区域，栅极与半导体区之间设置有栅介质层，两个器件的栅极以及源漏电极均可以单独的引出。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构，用以提高数字电路基本的集成度。

关键词：垂直沟道场效应晶体管集成电路结构纵向堆叠异质结半导体沟道区漏极区域源极区域关键技术问题集成电路领域微电子技术轻掺杂漏区半导体区二氧化硅隔离区域数字电路源漏电极栅极区域栅介质层集成度沟道区重掺杂刻槽环绕

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一种纵向堆叠的传输门集成电路结构

一种纵向堆叠的传输门集成电路结构

引用

作者：李平宋健强廖永波徐丰和万旭袁丕根牛耀都 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

该发明公开了一种纵向堆叠的传输门集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统IC中MOSFET不同的器件物理原理，该发明提出一种纵向堆叠的传输门集成电路结构。该结构可以提高IC的集成度、显著缩短沟道长度、提高器件... 详细信息

标准号: CN116741779A

该发明公开了一种纵向堆叠的传输门集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统IC中MOSFET不同的器件物理原理，该发明提出一种纵向堆叠的传输门集成电路结构。该结构可以提高IC的集成度、显著缩短沟道长度、提高器件沟道宽长比调整的灵活性，节约芯片面积。

关键词：集成电路结构纵向堆叠传输门微电子技术器件沟道器件物理集成度宽长比沟道集成电路芯片节约

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一种纵向堆叠的拼接式围板箱

一种纵向堆叠的拼接式围板箱

引用

作者：邹折勤吴双喜刘念 214000 江苏省无锡市宜兴市芳桥街道工业集中区

本实用新型涉及围板箱领域，公开了一种纵向堆叠的拼接式围板箱，包括底座，所述底座的顶部均固定连接有第一支柱，所述底座的顶部设置有外板，所述外板的内侧固定连接有塑胶板，所述塑胶板的内侧固定连接有内板，所述底座的顶部均固定... 详细信息

标准号: CN221139071U

本实用新型涉及围板箱领域，公开了一种纵向堆叠的拼接式围板箱，包括底座，所述底座的顶部均固定连接有第一支柱，所述底座的顶部设置有外板，所述外板的内侧固定连接有塑胶板，所述塑胶板的内侧固定连接有内板，所述底座的顶部均固定连接有第二支柱，四侧所述外板的顶部设置有顶盖，所述塑胶板的左右两侧设置有拼接组件，所述拼接组件包括凸形块，所述凸形块的左侧分别固定连接在四侧塑胶板的右侧，所述凸形块的内部均开设有第一卡槽。本实用新型中，底座上有两根形状不一的支柱，分别为第一支柱和第二支柱，这两根支柱是用来拼接围板，围板由三个部分组成，分别是外板、塑胶板、内板，是为了提高围板的韧性和抗压力。

关键词：塑胶板底座外板凸形块围板本实用新型顶部设置拼接组件板箱内板纵向堆叠左右两侧顶盖抗压力拼接式卡槽拼接

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一种纵向堆叠的垂直沟道SRAM集成电路结构

一种纵向堆叠的垂直沟道SRAM集成电路结构

引用

作者：廖永波徐丰和李平宋健强万旭袁丕根牛耀都 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

本发明公开了一种纵向堆叠的垂直沟道SRAM集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。本发明中的纵向堆叠结构将NMOS与PMOS在垂直方向上堆叠，在器件之间有SiO2隔离，将四个纵向堆叠结构通过层层互联构成了一种高集成度6管SRAM... 详细信息

标准号: CN116634761A

本发明公开了一种纵向堆叠的垂直沟道SRAM集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。本发明中的纵向堆叠结构将NMOS与PMOS在垂直方向上堆叠，在器件之间有SiO2隔离，将四个纵向堆叠结构通过层层互联构成了一种高集成度6管SRAM基本单元。该堆叠结构同时采用了栅极对准的方式，栅极区域仅包裹沟道区或沟道区及与其相邻的轻掺杂漂移区。通过将SRAM基本单元在纵向进行堆叠，能够显著提高SRAM集成度，节约芯片面积。

关键词：纵向堆叠结构基本单元沟道区堆叠轻掺杂漂移区微电子技术垂直沟道堆叠结构高集成度栅极区域纵向堆叠集成度集成电路对准芯片隔离互联节约

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一种纵向堆叠的栅极自对准反相器集成电路结构

一种纵向堆叠的栅极自对准反相器集成电路结构

引用

作者：廖永波徐丰和李平万旭牛耀都袁丕根宋健强 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

本发明公开了一种纵向堆叠的栅极自对准反相器集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统集成电路堆叠技术的不同，本发明提出一种具有高集成度的垂直围栅器件的堆叠结构，该堆叠结构将反相器的NMOS与PMOS在纵向进行... 详细信息

标准号: CN116632006A

本发明公开了一种纵向堆叠的栅极自对准反相器集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统集成电路堆叠技术的不同，本发明提出一种具有高集成度的垂直围栅器件的堆叠结构，该堆叠结构将反相器的NMOS与PMOS在纵向进行堆叠，NMOS和PMOS的漏极连接在一起，极大的提高了IC集成度，节约芯片面积。此外，该结构采用了栅极对准的方式，该结构栅极区域仅包裹沟道区或沟道区及与其相邻的轻掺杂漂移区，能够极大减小了栅极与重掺杂源漏区域间的寄生电容，使器件频率特性提高。

关键词：堆叠结构沟道区反相器集成电路传统集成电路轻掺杂漂移区微电子技术重掺杂源漏堆叠技术高集成度寄生电容结构栅极器件频率围栅器件纵向堆叠集成度反相器自对准堆叠减小漏极集成电路对准垂直芯片节约

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一种纵向堆叠的反相器集成电路结构

一种纵向堆叠的反相器集成电路结构

引用

作者：李平万旭廖永波宋健强牛耀都袁丕根徐丰和 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

一种纵向堆叠的反相器集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路领域。本发明提供一种纵向堆叠的反相器集成电路结构，在纵向上依次分别设置有源极区域一、半导体沟道区一、漏极区域一、漏极区域二、半导体沟道区二和源极区域二，同时实... 详细信息

标准号: CN116666386A

一种纵向堆叠的反相器集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路领域。本发明提供一种纵向堆叠的反相器集成电路结构，在纵向上依次分别设置有源极区域一、半导体沟道区一、漏极区域一、漏极区域二、半导体沟道区二和源极区域二，同时实现了NMOS和PMOS，NMOS和PMOS均采用沟道区重掺杂和轻掺杂漏区的方式来抑制DIBL效应。器件周围通过刻槽的方式环绕着栅极区域，栅极与半导体区之间设置有栅介质层，NMOS与PMOS共用同一个栅极。NMOS与PMOS的源极和漏极通过引线孔引出。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种纵向堆叠的反相器集成电路结构，其中器件的共栅极连接作为反相器的输入，PMOS的漏极与NMOS的漏极连接作为反相器输出，PMOS源极接高电位，NMOS源极接地。该结构采用纵向堆叠的方式，提高了使用反向器结构的集成电路的集成度。

关键词：纵向堆叠反相器集成电路漏极半导体沟道区漏极区域源极区域反相器源极电位关键技术问题集成电路领域微电子技术反向器结构轻掺杂漏区半导体区源极接地栅极区域栅介质层集成度共栅极沟道区引线孔重掺杂接高刻槽集成电路环绕输出

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一种纵向堆叠的栅极自对准HVTFET集成电路结构

一种纵向堆叠的栅极自对准HVTFET集成电路结构

引用

作者：廖永波徐丰和李平牛耀都宋健强袁丕根万旭 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

本发明公开了一种纵向堆叠的栅极自对准HVTFET集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。本发明一种纵向堆叠的栅极自对准HVTFET集成电路结构，该堆叠结构将NMOS与PMOS在垂直方向上堆叠，在器件之间有SiO2隔离，使得堆叠的器件... 详细信息

标准号: CN116705796A

本发明公开了一种纵向堆叠的栅极自对准HVTFET集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。本发明一种纵向堆叠的栅极自对准HVTFET集成电路结构，该堆叠结构将NMOS与PMOS在垂直方向上堆叠，在器件之间有SiO2隔离，使得堆叠的器件可以单独使用。该结构能够提高IC集成度，节约芯片面积。此外，该堆叠结构同时采用了栅极对准的方式，本发明结构的栅极区域仅包裹沟道区或沟道区及与其相邻的轻掺杂漂移区，能够极大减小了栅极与重掺杂源漏区域间的寄生电容，使器件频率特性提高。

关键词：集成电路结构堆叠结构纵向堆叠沟道区自对准堆叠轻掺杂漂移区微电子技术重掺杂源漏单独使用寄生电容器件频率栅极区域集成度减小集成电路对准芯片隔离节约

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一种纵向堆叠的拼接式围板箱

一种纵向堆叠的拼接式围板箱

引用

作者：李志强 213000 江苏省常州市武进区横山桥镇新安村

本实用新型公开了一种纵向堆叠的拼接式围板箱，属于围板箱领域。其中，一种纵向堆叠的拼接式围板箱，包括底座、堆叠折叠侧壁、顶盖、堆叠插件、折叠插件。本实用新型利用堆叠插件和折叠插件形成的刚性边框连接两个堆叠折叠侧壁，用堆... 详细信息

标准号: CN215707882U

本实用新型公开了一种纵向堆叠的拼接式围板箱，属于围板箱领域。其中，一种纵向堆叠的拼接式围板箱，包括底座、堆叠折叠侧壁、顶盖、堆叠插件、折叠插件。本实用新型利用堆叠插件和折叠插件形成的刚性边框连接两个堆叠折叠侧壁，用堆叠插件和折叠插件的夹槽来纵向承载较薄的堆叠折叠侧壁，使塑料侧壁以小尺寸拼接成理想尺寸，避免了因侧壁尺寸过大导致的强度不够，从而拓宽了塑料围板箱的承载范围；另外，堆叠插件对侧壁的折叠端具有承担冲击的作用，增强了折叠结构的强度，提高了围板箱的稳定性。

关键词：堆叠板箱插件折叠侧壁折叠插件本实用新型纵向堆叠拼接式侧壁承载刚性边框塑料侧壁折叠结构顶盖折叠端夹槽底座拼接塑料

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一种纵向堆叠发现方法和装置

一种纵向堆叠发现方法和装置

引用

作者：吕娜杨国芳曹淑玲 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园中兴通讯大厦A3-01、A3-02

本发明实施例提供一种纵向堆叠发现方法和装置，端口扩展设备通过获取本端口扩展设备的唯一标识信息，并将唯一标识信息封装到链路层发现协议报文中；将链路层发现协议报文定时循环发送给控制网桥，使得控制网桥根据该唯一标识信息监控... 详细信息

标准号: CN107566143B

本发明实施例提供一种纵向堆叠发现方法和装置，端口扩展设备通过获取本端口扩展设备的唯一标识信息，并将唯一标识信息封装到链路层发现协议报文中；将链路层发现协议报文定时循环发送给控制网桥，使得控制网桥根据该唯一标识信息监控该端口扩展设备的在线状态，相比于现有技术中端口扩展设备将其MAC地址发送给控制网桥，控制网桥通过端口扩展设备的MAC地址是否发生变化判断PE的在线状态的方式，使得系统对端口扩展设备的管理更加合理，提高了系统的稳定性。

关键词：端口扩展设备控制网桥唯一标识信息链路层发现协议在线状态方法和装置变化判断定时循环扩展设备纵向堆叠中端口报文封装发送监控发现管理

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