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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

6 篇 专利

馆藏范围

6 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

2 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 南京大学
2 篇 南京南大光电工程...

作者

4 篇 陈敦军
4 篇 郭慧
2 篇 邵鹏飞
2 篇 蔡莹
2 篇 郑有炓
2 篇 张荣
2 篇 谢自力
2 篇 金锋

语言

6 篇 中文

检索条件"主题词=结型场效应管器件"

共 6 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

结型场效应管器件及其形成方法

结型场效应管器件及其形成方法

引用

作者：蔡莹金锋 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

一种结型场效应管器件及其形成方法，其中方法包括：在所述衬底内形成深阱区，所述深阱区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，且位于所述第二区内的深阱区包括至少两个第一子阱区，在沿所述第一方向上，各所述... 详细信息

标准号: CN113921592B

一种结型场效应管器件及其形成方法，其中方法包括：在所述衬底内形成深阱区，所述深阱区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，且位于所述第二区内的深阱区包括至少两个第一子阱区，在沿所述第一方向上，各所述第一子阱区的掺杂离子具有自第一离子浓度值向第二离子浓度值的梯度分布，或具有自第二离子浓度值向第一离子浓度值的梯度分布，所述第二离子浓度低值于所述第一离子浓度值；在所述第一区的深阱区表面形成场氧层；在所述第二区的深阱区内形成第一阱区，所述第一阱区具有第一导电类型，各所述第一子阱区可以使器件的场氧层附近的电场降低，进而提高器件的击穿电压稳定性，提高器件的可靠性能。

关键词：离子深阱区子阱第一导电类型导电类型梯度分布场氧层阱区结型场效应管器件击穿电压稳定性表面形成掺杂离子电场降低可靠性能第一区衬底深阱

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核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法

核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法

引用

作者：邵鹏飞郭慧陈敦军谢自力 210046 江苏省南京市经济技术开发区恒发路28号04幢

本发明公开了一种核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法。该方法首先利用MBE/MOCVD技术在蓝宝石衬底生长第二重掺n‑GaN层，作为后续的漏端欧姆接触层，再继续外延核壳式纳米柱状p‑n结，内层n‑GaN为沟道层，最后再外延一层重掺的n‑... 详细信息

标准号: CN111415996B

本发明公开了一种核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法。该方法首先利用MBE/MOCVD技术在蓝宝石衬底生长第二重掺n‑GaN层，作为后续的漏端欧姆接触层，再继续外延核壳式纳米柱状p‑n结，内层n‑GaN为沟道层，最后再外延一层重掺的n‑GaN作为源端欧姆接触层。器件结构生长完后再利用刻蚀和电极蒸发工艺形成源漏极和栅极，得到GaN‑JFET器件；核壳式p‑n结结构因沟道被环形包夹，其内部电场分布更均匀，栅对沟道具有更强的控制能力。

关键词：欧姆接触层核壳式沟道结型场效应管器件核壳式结构控制能力纳米柱状内部电场器件结构蒸发工艺蓝宝石生长沟道层环形包源漏极再利用电极衬底刻蚀漏端内层源端制备

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结型场效应管器件及其形成方法

结型场效应管器件及其形成方法

引用

作者：蔡莹金锋 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

标准号: CN113921592A

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横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法

横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法

引用

作者：郭慧陈敦军张荣郑有炓 210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

本发明公开了一种横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法。该器件利用刻槽+外延再生长或离子注入在n‑GaN基底上获得多片式垂直条状结构p‑GaN，与n‑GaN基底形成多个薄的p‑n结横向n型沟道，再通过沟道厚度以及p型和n型掺杂浓度的... 详细信息

标准号: CN110690273B

本发明公开了一种横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法。该器件利用刻槽+外延再生长或离子注入在n‑GaN基底上获得多片式垂直条状结构p‑GaN，与n‑GaN基底形成多个薄的p‑n结横向n型沟道，再通过沟道厚度以及p型和n型掺杂浓度的控制，使n型沟道在零偏下处于p‑n结内建电场的完全耗尽状态，即器件处于关断状态，需要施加正向偏压才能使沟道处于导通状态，即器件具有正的阈值电压。同时，多沟道保证了器件的大电流输出。