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文献类型

  • 6 篇 专利

馆藏范围

  • 6 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

  • 2 篇 上海华虹宏力半导...
  • 2 篇 南京大学
  • 2 篇 南京南大光电工程...

作者

  • 4 篇 陈敦军
  • 4 篇 郭慧
  • 2 篇 邵鹏飞
  • 2 篇 蔡莹
  • 2 篇 郑有炓
  • 2 篇 张荣
  • 2 篇 谢自力
  • 2 篇 金锋

语言

  • 6 篇 中文
检索条件"主题词=结型场效应管器件"
6 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
结型场效应管器件及其形成方法
结型场效应管器件及其形成方法
收藏 引用
作者: 蔡莹 金锋 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
一种结型场效应管器件及其形成方法,其中方法包括:在所述衬底内形成深阱区,所述深阱区具有第二导电类,所述第二导电类与所述第一导电类相反,且位于所述第二区内的深阱区包括至少两个第一子阱区,在沿所述第一方向上,各所述... 详细信息
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核壳式构GaN结型场效应管器件及其制备方法
核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法
收藏 引用
作者: 邵鹏飞 郭慧 陈敦军 谢自力 210046 江苏省南京市经济技术开发区恒发路28号04幢
本发明公开了一种核壳式构GaN结型场效应管器件及其制备方法。该方法首先利用MBE/MOCVD技术在蓝宝石衬底生长第二重掺n‑GaN层,作为后续的漏端欧姆接触层,再继续外延核壳式纳米柱状p‑n,内层n‑GaN为沟道层,最后再外延一层重掺的n‑... 详细信息
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结型场效应管器件及其形成方法
结型场效应管器件及其形成方法
收藏 引用
作者: 蔡莹 金锋 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
一种结型场效应管器件及其形成方法,其中方法包括:在所述衬底内形成深阱区,所述深阱区具有第二导电类,所述第二导电类与所述第一导电类相反,且位于所述第二区内的深阱区包括至少两个第一子阱区,在沿所述第一方向上,各所述... 详细信息
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横向GaN基增强结型场效应管器件及其制备方法
横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法
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作者: 郭慧 陈敦军 张荣 郑有炓 210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
本发明公开了一种横向GaN基增强结型场效应管器件及其制备方法。该器件利用刻槽+外延再生长或离子注入在n‑GaN基底上获得多片式垂直条状构p‑GaN,与n‑GaN基底形成多个薄的p‑n横向n沟道,再通过沟道厚度以及p和n掺杂浓度的... 详细信息
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核壳式构GaN结型场效应管器件及其制备方法
核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法
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作者: 邵鹏飞 郭慧 陈敦军 谢自力 210046 江苏省南京市经济技术开发区恒发路28号04幢
本发明公开了一种核壳式构GaN结型场效应管器件及其制备方法。该方法首先利用MBE/MOCVD技术在蓝宝石衬底生长第二重掺n‑GaN层,作为后续的漏端欧姆接触层,再继续外延核壳式纳米柱状p‑n,内层n‑GaN为沟道层,最后再外延一层重掺的n‑... 详细信息
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横向GaN基增强结型场效应管器件及其制备方法
横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法
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作者: 郭慧 陈敦军 张荣 郑有炓 210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
本发明公开了一种横向GaN基增强结型场效应管器件及其制备方法。该器件利用刻槽+外延再生长或离子注入在n‑GaN基底上获得多片式垂直条状构p‑GaN,与n‑GaN基底形成多个薄的p‑n横向n沟道,再通过沟道厚度以及p和n掺杂浓度的... 详细信息
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