检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：迈克尔·J·塞登美国亚利桑那州

本实用新型公开了绝对压力传感器和压差传感器装置。绝对压力传感器装置的实施方式可包括耦合在控制器裸芯之上的微机电系统(MEMS)绝对压力传感器。MEMS绝对压力传感器可机械耦合至控制器裸芯，也可配置为与控制器裸芯电耦合。控制器裸... 详细信息

标准号: CN207540710U

本实用新型公开了绝对压力传感器和压差传感器装置。绝对压力传感器装置的实施方式可包括耦合在控制器裸芯之上的微机电系统(MEMS)绝对压力传感器。MEMS绝对压力传感器可机械耦合至控制器裸芯，也可配置为与控制器裸芯电耦合。控制器裸芯的周长与MEMS绝对压力传感器的周长相比可为相同尺寸和更长中的一种情况。控制器裸芯可配制为通过电连接件与模块电耦合。

关键词：绝对压力传感器控制器裸芯电耦合周长本实用新型微机电系统压差传感器电连接件机械耦合耦合可配置配制

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微机电系统绝对压力传感器、传感器单体及电子设备

微机电系统绝对压力传感器、传感器单体及电子设备

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作者：邹泉波冷群文丁凯文赵海伦安琪周汪洋 266101 山东省青岛市崂山区松岭路396号103室

本说明书实施例提供微机电系统绝对压力传感器、传感器单体及电子设备。微机电系统绝对压力传感器包括：衬底；振膜；位于振膜和衬底之间的支撑体；磁阻元件；以及磁场形成元件，用于对磁阻元件施加磁场，其中，所述衬底、振膜和支撑体... 详细信息

标准号: CN111854925B

本说明书实施例提供微机电系统绝对压力传感器、传感器单体及电子设备。微机电系统绝对压力传感器包括：衬底；振膜；位于振膜和衬底之间的支撑体；磁阻元件；以及磁场形成元件，用于对磁阻元件施加磁场，其中，所述衬底、振膜和支撑体形成真空腔，其中，所述磁阻元件和磁场形成元件中的一个元件位于所述振膜上并能够随所述振膜振动，其中，所述磁阻元件和磁场形成元件中的另一个元件位于所述支撑体侧并且相对于所述振膜的振动保持相对静止，以及其中，微机电系统绝对压力传感器的输出是基于所述磁阻元件的变化产生的。

关键词：磁阻元件振膜绝对压力传感器磁场微机电系统支撑体衬底传感器单体电子设备相对静止振膜振动真空腔施加输出

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微机电系统绝对压力传感器、传感器单体及电子设备

微机电系统绝对压力传感器、传感器单体及电子设备

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作者：邹泉波冷群文丁凯文赵海伦安琪周汪洋 266101 山东省青岛市崂山区松岭路396号103室

标准号: CN111854925A

关键词：磁阻元件振膜绝对压力传感器磁场微机电系统支撑体衬底传感器单体电子设备相对静止振膜振动真空腔施加输出

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基于SON构造的电容式绝对压力传感器设计

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传感器与微系统 2019年第6期38卷 66-69页

作者：汪赟郝秀春蒋纬涵李宇翔李伯全江苏大学机械工程学院江苏镇江212013

针对空洞层上硅工艺在制作高质量的单晶硅感压膜和真空密封腔上的优势,提出了将其应用于制作电容式绝对压力传感器。应用板壳理论建立了传感器压力检测的理论膜型,对传感器的感压膜进行理论计算和有限元仿真,并利用电容变化模型分析了... 详细信息

针对空洞层上硅工艺在制作高质量的单晶硅感压膜和真空密封腔上的优势,提出了将其应用于制作电容式绝对压力传感器。应用板壳理论建立了传感器压力检测的理论膜型,对传感器的感压膜进行理论计算和有限元仿真,并利用电容变化模型分析了传感器的灵敏度。给出了基于Pcap01芯片的微电容检测系统的设计,对于半径为100μm,厚度为1. 7μm的圆形感压膜,初始电容值为0. 278 p F,传感器灵敏度为0. 86 f F/k Pa。

关键词：空洞层上硅电容式绝对压力传感器有限元仿真

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微型绝对压力传感器的封装与动态频响

微型绝对压力传感器的封装与动态频响

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中国兵工学会第十四届测试技术年会暨中国高等教育学会第二届仪器科学及测控技术年会

作者：王冰尤彩红李程杨军王文襄昆山双桥传感器研究所昆山江苏 215325 北京长城计量测试技术研究所

本文报道了可用于水中的微型绝压传感器的研发及正弦波动态标定的结果，指出化学沉积聚对二甲苯薄膜是一种实用性较好的封装方法。

关键词： CVD 微型传感器绝对压力传感器聚对二甲苯封装方法化学沉积

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一种绝对压力传感器封装结构

一种绝对压力传感器封装结构

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作者：王辉卢友林薛维佳 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座D栋2502室

本申请公开了一种绝对压力传感器封装结构，属于微电子机械系统领域。该结构包括封装基座、粘结材料、转接件和绝对压力传感器芯片，其中，通过转接件改变以往封装中惯用的封装基座开孔的方式，正面导入环境压力，使得压力传感器封装基... 详细信息

标准号: CN115479719A

本申请公开了一种绝对压力传感器封装结构，属于微电子机械系统领域。该结构包括封装基座、粘结材料、转接件和绝对压力传感器芯片，其中，通过转接件改变以往封装中惯用的封装基座开孔的方式，正面导入环境压力，使得压力传感器封装基座不开孔，可有效实现传感器芯片的应力隔离和电气隔离，从而使压力传感器达到更为优良的输出性能，并使压力传感器产品的稳定性得到更好的提升；此外，选用低应力粘结材料，在实现大压力承载的同时，减少封装材料导致的应力影响，有效降低传感器信号偏移。

关键词：压力传感器封装基座粘结材料转接件开孔绝对压力传感器芯片绝对压力传感器微电子机械系统传感器芯片传感器信号电气隔离封装材料封装结构环境压力输出性能应力隔离应力影响有效实现偏移大压力低应力封装承载申请

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压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法

压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法

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作者：薛维佳王兴阳王辉 215010 江苏省苏州市高新区嘉陵江路198号6号楼1201

本申请公开了一种压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法，属于MEMS传感器领域。该方法中，在硅衬底处形成凹槽结构，凹槽结构在后续硅衬底与顶层硅片键合下形成真空腔体，顶层硅片处形成压阻结构，对压阻结构曝光时，通过微孔阵列定位... 详细信息

标准号: CN116692768A

本申请公开了一种压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法，属于MEMS传感器领域。该方法中，在硅衬底处形成凹槽结构，凹槽结构在后续硅衬底与顶层硅片键合下形成真空腔体，顶层硅片处形成压阻结构，对压阻结构曝光时，通过微孔阵列定位硅衬底上的零层对准标记，这样在不使用双面光刻工艺的情况下，能够通过一次曝光工艺实现顶硅层片的压阻结构与硅衬底的真空腔体的精确对准，避免多次双面光刻工艺后給上下两层图形对准带来偏移误差的问题。