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绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器
绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器
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作者： 冯宇翔 甘弟 528311 广东省佛山市顺德区北滘镇美的大道6号美的总部大楼B区26-28楼
本实用新型公开一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器，所述绝缘栅双极晶体管包括半导体衬底，有源区、集电极区以及漂移区；有源区设置在所述第一表面处，所述集电极区设置在所述第二表面处；所述漂移区连接所述有源区和集电极区... 详细信息
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绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管
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作者： 王颢 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号
本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管，包括：具有第一半导体类型的半导体衬底；具有第二半导体类型的基区，所述基区位于所述半导体衬底的上方；具有第一半导体类型的阱区，所述阱区位于所述基区内；所述绝缘栅双极晶体管还包括具有第二导... 详细信息
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绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管
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作者： R.巴布尔斯克 F.J.尼德诺斯泰德 F.D.普菲尔施 V.范特里克 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
绝缘栅双极晶体管。根据本发明的一个示例，半导体部件包括半导体本体，其具有顶表面和底表面。第一pn结形成在体区和漂移区之间的过渡处。场截止区被布置在漂移区下面并邻接漂移区。利用与漂移区相同掺杂类型的掺杂剂来掺杂场截止区。... 详细信息
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绝缘栅双极晶体管、IPM模块及空调器
绝缘栅双极晶体管、IPM模块及空调器
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作者： 冯宇翔 甘弟 528311 广东省佛山市顺德区北滘镇林港路
本发明公开一种绝缘栅双极晶体管及、IPM模块以及空调器，该绝缘栅双极晶体管包括：半导体衬底，半导体衬底具有第一表面；形成在半导体衬底第一表面的有源区及漂移区；有源区包括沟槽栅极区；其中，漂移区包括第一漂移区和第二漂移区... 详细信息
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绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管
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作者： 王颢 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号
本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管，包括：具有第一半导体类型的衬底；具有第二半导体类型的基区，所述基区位于所述衬底的上方；具有第一半导体类型的阱区，所述阱区位于所述基区内；所述绝缘栅双极晶体管还包括具有第二导电类型的多个... 详细信息
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绝缘栅双极晶体管的制造方法
绝缘栅双极晶体管的制造方法
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作者： 周贤达 舒小平 徐远梅 528437 广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1606号房
本发明公开一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括下述步骤：1、制作轻掺杂衬底晶片；2、在晶片上形成电介质层；3、在电介质层上淀积未掺杂的多晶硅层；4、对未掺杂的多晶硅层和电介质层进行图案化处理，以形成栅极沟槽；5、淀积硅以... 详细信息
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绝缘栅双极晶体管的源区结构
绝缘栅双极晶体管的源区结构
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作者： 戚丽娜 张景超 刘利峰 赵善麒 王晓宝 213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的源区结构，在绝缘栅双极晶体管正面的源区沿垂直于导电沟道方向的区域包括间隔设置两个以上的源区注入区和相邻两源区注入区之间的源区不注入区，各源区注入区包括接触孔引出区和源区电阻区，电流经源... 详细信息
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绝缘栅双极晶体管、制作方法及沟槽栅结构制作方法
绝缘栅双极晶体管、制作方法及沟槽栅结构制作方法
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作者： 肖胜安 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
本发明公开一种绝缘栅双极晶体管，具有宽的沟槽栅结构，所述沟槽栅由第一导电栅极层和第二导电栅极层形成，第二导电栅极层在沟槽中由介质隔开。本发明还公开了一种宽的沟槽栅结构和具有宽的沟槽栅结构的绝缘栅双极晶体管的制作方法，... 详细信息
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绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法
绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法
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作者： 陈冠宇 陈美玲 中国香港柴湾利众街12号蚬壳工业大厦1楼
一种绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，先在一第一导电型基板的一正面制作正面元件及正面金属层。于第一导电型基板的背面制作多重凹槽结构，于每一凹槽外侧具有一第一导电型杂质植入层图案，于多重凹槽结构底部具有一... 详细信息
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绝缘栅双极晶体管的源区结构
绝缘栅双极晶体管的源区结构
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作者： 戚丽娜 张景超 刘利峰 赵善麒 王晓宝 213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的源区结构，在绝缘栅双极晶体管正面的源区沿垂直于导电沟道方向的区域包括间隔设置两个以上的源区注入区和相邻两源区注入区之间的源区不注入区，各源区注入区包括接触孔引出区和源区电阻区，电流经源... 详细信息
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