检索结果-内蒙古大学图书馆

计算机应用 2021年第S01期41卷 255-258页

作者：郑安义曾祥进武汉工程大学计算机科学与工程学院武汉430205

为解决芯片工业生产过程的瑕疵检测问题,提出了一种快速准确的瑕疵检测方法。针对图像采集过程中光照不均匀问题,给出了一种基于均值切块的快速光照补偿方法;另外,为了进行气泡瑕疵的特征提取,给出了一种简单的线性图像融合方法;最后,... 详细信息

为解决芯片工业生产过程的瑕疵检测问题,提出了一种快速准确的瑕疵检测方法。针对图像采集过程中光照不均匀问题,给出了一种基于均值切块的快速光照补偿方法;另外,为了进行气泡瑕疵的特征提取,给出了一种简单的线性图像融合方法;最后,利用最大熵分割方法分割融合图像,并对瑕疵点进行分割和标记。实验结果表明,在小幅度改变原图像的基础上,所提方法检测速度快,准确率较高,能够满足工业生产需求。

关键词：芯片表面气泡瑕疵光照补偿特征提取线性融合最大熵分割

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微尺度MEMS上层芯片表面应变测量的方法研究

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机械设计与制造 2021年第2期 196-198,203页

作者：罗钧文戴强陈翔西南科技大学制造过程测试技术省部共建教育部重点实验室四川绵阳621010

随着微纳加工技术的发展,微机电系统器件的运用领域愈加广泛,其中微机械结构的变形失效机理研究显得尤为重要。针对MEMS上层硅芯片在微尺度情况下的表面应变测量,提出了一种结合光学显微视觉、硅芯片表面特征图案的光刻工艺技术和数字... 详细信息

随着微纳加工技术的发展,微机电系统器件的运用领域愈加广泛,其中微机械结构的变形失效机理研究显得尤为重要。针对MEMS上层硅芯片在微尺度情况下的表面应变测量,提出了一种结合光学显微视觉、硅芯片表面特征图案的光刻工艺技术和数字图像处理技术的方法。经由该方法提取出表面图案的边缘特征,进而获得硅芯片表面的微小应变情况。通过测量硅芯片的热膨胀系数,测量值与理论值的平均相对误差值在10%以内。表明该方法可成功应用于MEMS上层硅芯片表面应变的测量。

关键词：芯片表面应变测量微尺度显微视觉光刻

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基于金刚石氮-空位色心的芯片表面微波场表征技术研究

基于金刚石氮-空位色心的芯片表面微波场表征技术研究

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作者：王丁中北大学

学位级别：硕士

近年来,微波芯片在无线通信、集成电路和互联网等领域的广泛应用得益于其高集成度、高性能和低功耗等特性。芯片表面微波场检测在其运行过程中扮演着重要角色,通过准确表征其表面辐射的微波场,提供了辐射、温度及频率响应等参数,对于确... 详细信息

近年来,微波芯片在无线通信、集成电路和互联网等领域的广泛应用得益于其高集成度、高性能和低功耗等特性。芯片表面微波场检测在其运行过程中扮演着重要角色,通过准确表征其表面辐射的微波场,提供了辐射、温度及频率响应等参数,对于确保电磁兼容性等关键问题至关重要。金刚石氮空位（NV）色心是一种独特的发光点缺陷,具备在室温下光学易读取、微波可操控自旋态、高分辨率的特点,同时具有对样品进行实时无损检测的能力,使得它成为了集成电路系统中芯片表面微波信号表征的理想选择。本文主要研究基于金刚石NV色心的片上微波场表征理论、方法及技术,设计和搭建基于金刚石NV色心的表征系统,利用NV色心高度灵敏的微波可操控性,实现天线表面辐射的微波频率及功率表征,主要研究内容如下: 理论上,系统地研究了基于金刚石NV色心的芯片表面微波场表征机理。通过分析微波场与NV色心自旋态之间的相干相互作用,建立了清晰的理论框架,解释了芯片表面辐射的微波场如何被NV色心捕获和读取,进而产生可观测的现象,为后续的实验设计和优化提供了重要指导; 利用双微波场在NV色心光探测磁共振（ODMR）光谱区的烧孔效应,实现了对2.2GHz～4.5 GHz高动态范围下微波频率的精确检测,频率分辨率为100 Hz。此外,通过系统性地分析异常峰的半峰全宽以及ODMR的非谐振荧光强度,对微波信号功率进行了定性表征,其最小检测功率优于1μW; 开展了双正方形微带天线的微波宽场成像以及哑铃型微带天线传输过程中电流集中效应的表征,通过将仿真与实验相比较验证了该系统成像的可行性。通过计算确定了系统的空间分辨率为1.63μm,NV探测灵敏度达到0.8n T/Hz1/2;针对成像过程中微波贴片天线反射532 nm激光产生的伪影及杂散光,提出了一种基于多项式回归模型的场像分离方法。该技术在有效地抑制了光学实验中伪影和杂散光噪声的同时,还能精确获得天线辐射的微波场强度分布。通过将场像分离方法与层析扫描方法结合,实现了双正方形微波天线辐射微波场的三维成像,纵向分辨率达到了30μm。通过对上述微波信号表征技术的研究,大大提高了量子工程技术在芯片表面检测微波场的实用性,并为基于量子探测技术的射频器件表面微波场表征提供了参考。

关键词：金刚石氮空位色心芯片表面微波表征近场成像量子精密测量

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芯片表面形态确定方法、装置、计算机设备和存储介质

芯片表面形态确定方法、装置、计算机设备和存储介质

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作者：穆礼德 310013 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座

本申请涉及一种芯片表面形态确定方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：获取对目标芯片进行化学机械抛光仿真后得到的目标芯片的表面形态的仿真数据；基于第一数据和第二数据之间的映射关系，对仿真数据进行预测以得到修正后的... 详细信息

标准号: CN117634101B

本申请涉及一种芯片表面形态确定方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：获取对目标芯片进行化学机械抛光仿真后得到的目标芯片的表面形态的仿真数据；基于第一数据和第二数据之间的映射关系，对仿真数据进行预测以得到修正后的仿真数据，基于修正后的仿真数据确定目标芯片的表面形态；其中，第一数据包括对测试芯片进行化学机械抛光处理后得到的测试芯片的表面形态的真实数据，第二数据包括对测试芯片进行化学机械抛光仿真后得到的测试芯片的表面形态的仿真数据。采用本方法能够解决芯片表面形态仿真结果不准确的问题。

关键词：仿真数据表面形态测试芯片目标芯片化学机械抛光第一数据芯片表面化学机械抛光处理修正计算机设备存储介质数据包括形态仿真形态确定映射关系真实数据预测申请

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芯片表面反应系统及合成方法

芯片表面反应系统及合成方法

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作者：刘力维赵智沈荣华詹果徐君 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

芯片表面反应系统及合成方法。芯片表面反应系统包括：流体上盖，位移装置和喷墨模块；由于流体上盖的敞口端的朝向与喷墨装置的朝向相同，因此，无需对芯片的翻转，仅需移动便可以实现芯片与喷墨装置的相对，以及芯片与流体上盖的敞口... 详细信息

标准号: CN117181144A

芯片表面反应系统及合成方法。芯片表面反应系统包括：流体上盖，位移装置和喷墨模块；由于流体上盖的敞口端的朝向与喷墨装置的朝向相同，因此，无需对芯片的翻转，仅需移动便可以实现芯片与喷墨装置的相对，以及芯片与流体上盖的敞口端扣合得到反应腔体。上述过程操作简单，芯片表面反应系统具有较高的可操作性。

关键词：反应系统芯片表面流体上盖喷墨装置芯片反应腔体过程操作喷墨模块位移装置敞口端翻转敞口合成移动

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芯片表面划痕缺陷的检测方法、装置和计算机设备

芯片表面划痕缺陷的检测方法、装置和计算机设备

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作者：赵玥罗军王小强罗道军唐锐 511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

本申请涉及一种芯片表面划痕缺陷的检测方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：获取待检测芯片的原始图像，对原始图像进行预处理，得到预处理图像；根据预处理图像中各像素之间的相似性，对各像素进行聚类，得到多个超像素；根... 详细信息

标准号: CN113781402B

本申请涉及一种芯片表面划痕缺陷的检测方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：获取待检测芯片的原始图像，对原始图像进行预处理，得到预处理图像；根据预处理图像中各像素之间的相似性，对各像素进行聚类，得到多个超像素；根据多个超像素，对预处理图像进行显著性分析，得到显著图像；对显著图像进行阈值分割，以将包含芯片表面划痕的目标前景图像与目标背景图像分离；其中，目标前景图像为检测得到的芯片表面划痕图像。采用本方法对芯片表面划痕的检测准确度高，鲁棒性强。

关键词：芯片表面像素预处理图像前景图像原始图像划痕检测预处理图像计算机设备显著性分析准确度存储介质划痕缺陷划痕图像检测芯片目标背景图像分离阈值分割鲁棒性聚类申请

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芯片表面形态确定方法、装置、计算机设备和存储介质

芯片表面形态确定方法、装置、计算机设备和存储介质

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作者：穆礼德 310013 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座

标准号: CN117634101A

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芯片表面划痕缺陷的检测方法、装置和计算机设备

芯片表面划痕缺陷的检测方法、装置和计算机设备

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作者：赵玥罗军王小强罗道军唐锐 511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

标准号: CN113781402A

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芯片表面高度测量方法、装置、设备及存储介质

芯片表面高度测量方法、装置、设备及存储介质

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作者：武高阳徐庆章 214000 江苏省无锡市锡山区通云南路77号云林科技园1号楼

本申请涉及一种芯片表面高度测量方法、装置、设备及存储介质，应用在半导体技术领域，包括控制所述激光发射单元在预设的角度下发射激光线到芯片所在位置；控制所述图像获取单元采集芯片图像信息，所述芯片图像信息包括激光线图像；选... 详细信息

标准号: CN117747463A

本申请涉及一种芯片表面高度测量方法、装置、设备及存储介质，应用在半导体技术领域，包括控制所述激光发射单元在预设的角度下发射激光线到芯片所在位置；控制所述图像获取单元采集芯片图像信息，所述芯片图像信息包括激光线图像；选取所述激光线图像中的激光线计算区域，并计算所述激光线计算区域的质心位置；根据所述激光线与所述高度标定单元的对应关系建立芯片高度测量方程；将所述质心位置代入所述芯片高度测量方程得到芯片表面高度。本申请具有的技术效果是：实现芯片表面高度的非接触式测量，提高芯片表面高度测量的准确度。

关键词：激光线高度测量芯片表面计算区域质心位置芯片半导体技术领域非接触式测量激光发射单元图像获取单元图像标定单元采集芯片存储介质关系建立技术效果图像信息芯片图像准确度预设申请发射应用

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芯片表面密集金线检测方法

芯片表面密集金线检测方法

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作者：周倩婷王峥 226400 江苏省南通市如东县掘港街道金山路1号(半导体产业园6号楼3-4楼)

本发明涉及芯片检测及图像处理技术领域，公开了一种芯片表面密集金线检测方法，包括如下步骤：1、读入芯片表面密集金线的采集图像、检测区域和金线数量；2、将所述检测区域内的金线分成若干段，将每段金线拟合成直线段；3、在每条直... 详细信息

标准号: CN115482224A

本发明涉及芯片检测及图像处理技术领域，公开了一种芯片表面密集金线检测方法，包括如下步骤：1、读入芯片表面密集金线的采集图像、检测区域和金线数量；2、将所述检测区域内的金线分成若干段，将每段金线拟合成直线段；3、在每条直线段区域等间隔选取径向若干截面，利用高斯曲线拟合得到每个截面的中心点位置；4、如果截面的中心点数量与金线数量相等，则将截面的中心点分配至对应直线段的点序列中，如果不相等，则将中心点作为备用点；5、将同一条直线段上所有点序列进行直线拟合；6、在检测区域的其他分段区域重复第3步至第5步；7、将拟合后的所有直线段连接成完整金线。本发明检测性能优越、鲁棒性强、兼容性好。

关键词：金线直线段检测区域中心点芯片表面拟合图像处理技术同一条直线中心点位置采集图像分段区域高斯曲线数量相等芯片检测直线拟合不相等等间隔点序列兼容性鲁棒性检测读入备用合成分配重复

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