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北京师范大学学报（自然科学版） 2001年第6期37卷 761-766页

作者：谢凡杜树成韩德俊北京师范大学低能核物理研究所北京100875

选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,... 详细信息

选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 .

关键词： X射线探测器 PIN管结构暗电流密度 N型保护区离子注入表面漏电单晶硅材料

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一种激光隔离硅太阳能电池表面漏电区的设备

一种激光隔离硅太阳能电池表面漏电区的设备

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作者：宫昌萌倪志春赵建华王艾华 211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区佛城西路123号

本实用新型公开了一种激光隔离硅太阳能电池表面漏电区的设备，包括电池传送带、红外热像仪、激光刻蚀机、存储控制器、稳压电源、压缩气体或液体冷却剂喷头，其特征是：红外热像仪、激光刻蚀机依次设置于电池传送带上方或者下方，存储... 详细信息

标准号: CN201498525U

本实用新型公开了一种激光隔离硅太阳能电池表面漏电区的设备，包括电池传送带、红外热像仪、激光刻蚀机、存储控制器、稳压电源、压缩气体或液体冷却剂喷头，其特征是：红外热像仪、激光刻蚀机依次设置于电池传送带上方或者下方，存储控制器通过数据线连接红外热像仪和激光刻蚀机，稳压电源给电池施加反向电压，压缩气体或液体冷却剂喷头与激光刻蚀机的激光头一体联动。本实用新型结构简单，工作可靠，借助于该设备利用激光刻蚀的方法隔离硅太阳能电池的表面漏电区。可以降低电池生产中的废品率，降低电池生产成本。

关键词：激光刻蚀机红外热像仪硅太阳能电池喷头存储控制器液体冷却剂传送带表面漏电电池生产稳压电源压缩气体电池废品率隔离反向电压激光刻蚀设备利用激光头数据线联动激光连接

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一种减小钝化晶片表面漏电电流的方法及其反应装置

一种减小钝化晶片表面漏电电流的方法及其反应装置

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作者：王津洲章国伟 201203 上海市张江路18号

一种减小由碳或硅的悬空键引起的表面漏电电流的方法及其反应装置。现有的表面漏电清除方法存在处理后的钝化晶片表面粗糙不平、表层去除厚度大及能量消耗大等问题。本发明的减小钝化晶片表面漏电电流的方法，是将钝化晶片置于充有包含... 详细信息

标准号: CN100456436C

一种减小由碳或硅的悬空键引起的表面漏电电流的方法及其反应装置。现有的表面漏电清除方法存在处理后的钝化晶片表面粗糙不平、表层去除厚度大及能量消耗大等问题。本发明的减小钝化晶片表面漏电电流的方法，是将钝化晶片置于充有包含氧气、氮气和氢气的混和气体的反应装置中进行表面漏电清除。于本发明一实施例中，所述的混和气体中氧气的含量占50%-98%，氮气的含量占1%-49%，氢气的含量占0.06%-10%。利用本发明的方法和反应装置，可有效减少钝化晶片表面碳或硅的悬空键，从而减小表面漏电电流，而且该方法和装置还具有反应能量低，晶片表面去除厚度小等优点。

关键词：表面漏电钝化晶片反应装置电流氮气氢气氧气反应能量能量消耗晶片

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一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法

一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法

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作者：陆卫殷豪李天信胡伟达王文娟甄红楼李宁陈平平李志锋陈效双李永富龚海梅 200083 上海市玉田路500号

本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏... 详细信息

标准号: CN101551294B

本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体的表面漏电特性，从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。

关键词：表面漏电光照漏电测量区域测量数据电容微分光探测器光照强度漏电通道器件表面器件性能数值模拟优化器件半导体针对性检测

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一种处理硅太阳能电池表面漏电的方法

一种处理硅太阳能电池表面漏电的方法

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作者：沈少杰 215400 江苏省苏州市太仓市经济开发区半泾河西、苏州路南

本发明公开了一种处理硅太阳能电池表面漏电的方法，其工艺步骤为：检测漏电区的位置，并标记；将腐蚀液涂在漏电区的位置，进行腐蚀去除漏电区；所述的腐蚀液配比组成为：去离子水 80～120份、氟化氢 140～160份、硝酸 90～110份。本... 详细信息

标准号: CN102034903A

本发明公开了一种处理硅太阳能电池表面漏电的方法，其工艺步骤为：检测漏电区的位置，并标记；将腐蚀液涂在漏电区的位置，进行腐蚀去除漏电区；所述的腐蚀液配比组成为：去离子水 80～120份、氟化氢 140～160份、硝酸 90～110份。本发明采用硝酸氢氟酸的混合溶液腐蚀除去表面漏电区，方法简单易行，效果明显，解决了由于漏电严重电池并联电阻太小，无法在光伏组件中使用，电池效率降低的问题。

关键词：漏电表面漏电简单易行硅太阳能电池腐蚀硝酸氢氟酸并联电阻电池效率腐蚀液涂工艺步骤光伏组件混合溶液去离子水氟化氢腐蚀液硝酸配比电池检测

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减少双极器件的管道漏电和表面漏电的方法

减少双极器件的管道漏电和表面漏电的方法

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作者：潘姬赵洪林殷淑华天津市南开区七里台

本发明提供一种简便易行的减少半导体器件的管道漏电流和表面漏电流的方法。本发明所提供的方法利用离子注入吸杂技术，在半导体基区表面附近的局部区域内和发射区表面附近的局部区域内形成远离eb结的吸杂缺陷。采用本发明所提供的方法... 详细信息

标准号: CN86102476A

本发明提供一种简便易行的减少半导体器件的管道漏电流和表面漏电流的方法。本发明所提供的方法利用离子注入吸杂技术，在半导体基区表面附近的局部区域内和发射区表面附近的局部区域内形成远离eb结的吸杂缺陷。采用本发明所提供的方法不仅能有效地减少管道漏电和表面漏电，改善器件的性能，提高成品率。

关键词：表面漏电管道漏电局部区域半导体基区半导体器件发射区表面器件的性能离子注入成品率

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降低薄膜晶体管基板表面漏电流的方法

降低薄膜晶体管基板表面漏电流的方法

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作者：胡晋玮陈坤宏台湾省新竹市

本发明提供一种降低薄膜晶体管基板表面漏电流的方法。首先于一基板表面形成多个薄膜晶体管，接着于该多个薄膜晶体管表面依序形成一绝缘层以及一金属层，该金属层包含有一源极电极以及一漏极电极连接至各个薄膜晶体管，且该源极电极与... 详细信息

标准号: CN1275303C

本发明提供一种降低薄膜晶体管基板表面漏电流的方法。首先于一基板表面形成多个薄膜晶体管，接着于该多个薄膜晶体管表面依序形成一绝缘层以及一金属层，该金属层包含有一源极电极以及一漏极电极连接至各个薄膜晶体管，且该源极电极与该漏极电极之间包含有一沟道区。之后于该金属层以及该绝缘层表面覆盖一有机材料层，并且于该有机材料层表面形成一透明导电层。由于形成该有机材料层的过程中可以同步致密化该绝缘层，因此可以阻断该基板的漏电途径，降低其表面漏电流。

关键词：电极薄膜晶体管金属层绝缘层表面漏电有机材料漏极源极薄膜晶体管基板有机材料层表面绝缘层表面透明导电层基板表面漏电途径沟道区致密化基板阻断连接

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一种降低铝背发射极N型太阳电池背表面漏电的方法

一种降低铝背发射极N型太阳电池背表面漏电的方法

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作者：王单单 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业区袁溪路58号

本发明公开了一种降低铝背发射极N型太阳电池背表面漏电的方法，采用单面湿化学腐蚀设备，对生长钝化膜后的硅片背表面进行化学处理，其步骤为：（1）在5wt%HF溶液中处理25～35s；（2）去离子水冲洗；（3）82～88℃条件下，20wt%NaOH溶... 详细信息

标准号: CN103904159A

本发明公开了一种降低铝背发射极N型太阳电池背表面漏电的方法，采用单面湿化学腐蚀设备，对生长钝化膜后的硅片背表面进行化学处理，其步骤为：（1）在5wt%HF溶液中处理25～35s；（2）去离子水冲洗；（3）82～88℃条件下，20wt%NaOH溶液中处理25～35s；（4）去离子水冲洗。本发明可以有效降低N型电池常出现的背表面边缘漏电情况，提高电池效率。

关键词：去离子水冲洗表面漏电电池效率化学处理化学腐蚀漏电情况太阳电池对生长钝化膜发射极硅片铝背电池

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InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的阳极硫化

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光子学报 2014年第1期43卷 58-61页

作者：郭杰郝瑞亭段剑金许林李银柱中国科学院云南天文台昆明650000 云南师范大学物理与电子信息学院昆明650500

采用分子柬外延技术，在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs（8ML）／GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管．用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝化处理后，二极管漏电流密度降低了三个数量级，零偏阻抗R。达到10^6Q，RoA达到10^3Qcm2... 详细信息

采用分子柬外延技术，在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs（8ML）／GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管．用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝化处理后，二极管漏电流密度降低了三个数量级，零偏阻抗R。达到10^6Q，RoA达到10^3Qcm2．通过测量电流密度与光敏元周长面积比的关系可知表面漏电不是主要漏电成分；电容电压特性曲线表明吸收层i层背景掺杂浓度约4～5×10^14cm．在空气中放置一个月后再次测试，发现响应率和探测率几乎没有变化．与化学硫化和siO2薄膜钝化方法相比，阳极硫化方法是一种更简单和有效的钝化方法．

关键词：红外探测器钝化电流电压特性 InAs GaSb 超晶格表面漏电阳极硫化

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InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的Ⅳ特性研究

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红外与激光工程 2014年第7期43卷 2116-2119页

作者：郭杰张小雷段剑金郝瑞亭许林云南师范大学物理与电子信息学院云南昆明650092 洛阳光电技术发展中心河南洛阳471009

采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管。经过(NH4)2S表面钝化后的Ⅳ特性曲线表明:低的正偏压下,理想因子n在2左右,势垒区的复合电流起主要作用;偏压超过0.14 V时,n在1左右... 详细信息

采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管。经过(NH4)2S表面钝化后的Ⅳ特性曲线表明:低的正偏压下,理想因子n在2左右,势垒区的复合电流起主要作用;偏压超过0.14 V时,n在1左右,少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的Ⅲ族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后,表面漏电大大减小,反偏漏电流密度降低三个数量级,零偏阻抗R0达到106欧姆,R0A达到103量级。

关键词： InAs GaSb超晶格红外二极管表面漏电阳极硫化

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