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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

53 篇 专利

馆藏范围

53 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

15 篇 长江存储科技有限...
11 篇 三星电子株式会社
6 篇 上海华虹宏力半导...
6 篇 力旺电子股份有限...
4 篇 旺宏电子股份有限...
2 篇 苏州诺存微电子有...
2 篇 硅存储技术公司
2 篇 爱思开海力士有限...
2 篇 桑迪士克科技有限...
1 篇 格芯集成电路科技...
1 篇 长江先进存储产业...

作者

8 篇 贾建权
6 篇 杨光军
5 篇 刘红涛
5 篇 靳磊
4 篇 陈勇叡
4 篇 张安
4 篇 游开开
4 篇 蒋颂敏
3 篇 罗哲
3 篇 张俊锡
3 篇 李姗
3 篇 刘畅
3 篇 田瑶瑶
3 篇 李楷威
3 篇 黄德佳
3 篇 李达
2 篇 樊堃
2 篇 李基远
2 篇 陈宏燕
2 篇 白钟民

语言

53 篇 中文

检索条件"主题词=选定存储单元"

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详细简洁

排序：

阻变存储器件

阻变存储器件

引用

作者：李基远朴镇寿韩国京畿道

阻变存储器件可以包括多个存储单元和控制电路块。存储单元可以连接在全局字线和全局位线之间。控制电路块可以控制存储单元。控制电路块可以包括写入脉冲控制块。写入脉冲控制块可以包括连接在全局字线与选定存储单元之间的高电阻路径... 详细信息

标准号: CN111816238B

阻变存储器件可以包括多个存储单元和控制电路块。存储单元可以连接在全局字线和全局位线之间。控制电路块可以控制存储单元。控制电路块可以包括写入脉冲控制块。写入脉冲控制块可以包括连接在全局字线与选定存储单元之间的高电阻路径电路和旁通电路。写入脉冲控制块可以根据选定存储单元的位置来选择性地将高电阻路径电路和旁通电路中的任意一个使能。

关键词：控制电路块写入脉冲选定存储单元存储单元路径电路旁通电路全局字线高电阻控制存储单元阻变存储器件全局位线使能

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存储装置及操作该存储装置的方法

存储装置及操作该存储装置的方法

引用

作者：金钟律罗太熙金杜应白钟民韩国京畿道

提供了一种存储装置及操作该存储装置的方法。所述存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元均包括开关器件和具有相变材料的存储器件；译码器电路，所述译码器电路包括：将第一偏置电压输入到连接到选定存储单元的选定字线第一偏... 详细信息

标准号: CN112289359B

提供了一种存储装置及操作该存储装置的方法。所述存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元均包括开关器件和具有相变材料的存储器件；译码器电路，所述译码器电路包括：将第一偏置电压输入到连接到选定存储单元的选定字线第一偏置电路，将第二偏置电压输入到选定位线的第二偏置电路，连接在所述第一偏置电路和所述选定字线之间的第一选择开关器件和第一非选择开关器件，以及连接在相邻字线和所述第一偏置电路之间的第二选择开关器件和第二非选择开关器件；控制逻辑，顺序地断开所述第一选择开关器件和所述第二非选择开关器件；以及读出放大器，将所述选定字线的电压与参考电压进行比较，以确定读取操作的数据。

关键词：偏置电路非选择开关存储装置选定字线译码器电路存储单元偏置电压选定存储单元读出放大器参考电压存储器件读取操作开关器件控制逻辑相变材料选定位线字线断开

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存储器件及其控制方法

存储器件及其控制方法

引用

作者：徐丽董祖奇李建平 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室

一种存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括连接于多条字线和多条位线之间的多个存储单元；以及耦接至所述存储单元阵列的充电控制电路。所述多个存储单元包括连接于字线和选定位线之间的选定存储单元以及连接于所述字线和... 详细信息

标准号: CN118057964A

一种存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括连接于多条字线和多条位线之间的多个存储单元；以及耦接至所述存储单元阵列的充电控制电路。所述多个存储单元包括连接于字线和选定位线之间的选定存储单元以及连接于所述字线和未选定位线之间的未选定存储单元。所述充电控制电路被配置为向所述未选定位线提供预充电电压，所述预充电电压介于‑3伏和‑5伏之间。

关键词：存储单元阵列选定位线字线充电控制电路选定存储单元预充电电压存储单元存储器件位线耦接配置

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存储器装置及其操作方法、存储器系统

存储器装置及其操作方法、存储器系统

引用

作者：魏德波张黄鹏刘梦陈翔 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本公开实施例提供了一种存储器装置包括：存储器阵列以及与存储器阵列耦接的外围电路；所述外围电路包括与同一位线耦接的至少两个感测电路，所述至少两个感测电路的跳变阈值均不同，所述外围电路被配置为：提供第一编程电压到与所述存... 详细信息

标准号: CN118298883A

本公开实施例提供了一种存储器装置包括：存储器阵列以及与存储器阵列耦接的外围电路；所述外围电路包括与同一位线耦接的至少两个感测电路，所述至少两个感测电路的跳变阈值均不同，所述外围电路被配置为：提供第一编程电压到与所述存储器阵列中多个选定存储单元耦接的选定字线，以对所述多个选定存储单元进行第一编程操作；提供验证电压到所述选定字线，得到所述至少两个感测电路的感测信息；根据所述至少两个感测电路的感测信息共同确定所述多个选定存储单元中每个选定存储单元的阈值电压所属的分组；所述分组的组数为M，所述M为大于二的正整数。

关键词：选定存储单元感测电路存储器阵列外围电路耦接感测信息选定字线存储器装置分组编程操作编程电压验证电压阈值电压正整数跳变位线组数配置

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对单元串执行预充电的非易失性存储器件及其编程方法

对单元串执行预充电的非易失性存储器件及其编程方法

引用

作者：金炳秀金炯坤朴径秀白世振尹相范韩国京畿道

一种非易失性存储器件包括存储单元阵列以及控制电路，所述存储单元阵列包括多个单元串，其中，所述多个单元串中的每个单元串包括串联连接在位线与公共源极线之间的串选择晶体管、多个存储单元以及接地选择晶体管；所述控制电路被配置... 详细信息

标准号: CN114446359A

一种非易失性存储器件包括存储单元阵列以及控制电路，所述存储单元阵列包括多个单元串，其中，所述多个单元串中的每个单元串包括串联连接在位线与公共源极线之间的串选择晶体管、多个存储单元以及接地选择晶体管；所述控制电路被配置为：对所述多个存储单元当中的选定存储单元执行编程操作，并且在验证阶段中包括的预充电阶段中对包括所述选定存储单元的选定单元串进行预充电，其中，当向连接到所述选定存储单元的选定位线施加第一预充电电压时，所述选定单元串被预充电。

关键词：选定存储单元存储单元阵列存储单元控制电路预充电非易失性存储器件接地选择晶体管串选择晶体管公共源极线预充电电压预充电阶段编程操作选定位线在位线验证施加配置

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闪存的参考阵列电压控制电路

闪存的参考阵列电压控制电路

引用

作者：杨光军 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号

本发明公开了一种闪存的参考阵列电压控制电路，存储单元和参考单元的结构相同且都采用分离栅浮栅器件。读取时，电荷泵提供控制栅线读取电压到选定存储单元的非选定存储位对应的控制栅所连接的控制栅线上。参考阵列电压控制电路包括电... 详细信息

标准号: CN117373520A

本发明公开了一种闪存的参考阵列电压控制电路，存储单元和参考单元的结构相同且都采用分离栅浮栅器件。读取时，电荷泵提供控制栅线读取电压到选定存储单元的非选定存储位对应的控制栅所连接的控制栅线上。参考阵列电压控制电路包括电压转换电路，电压转换电路包括第一二极管和第一电流源。第一二极管的阳极连接控制栅线读取电压，第一二极管的阴极连接第一电流源的第一端并输出第二控制栅线读取电压，第一电流源的第二端接地。第二控制栅线读取电压连接到参考单元的编程位对应的控制栅所连接的参考控制栅线上。本发明能使第二控制栅线读取电压和控制栅线读取电压的波动相同，同时减少参考电流的温度系数和减少串扰，还能增加读写窗口。

关键词：控制栅线读取电压二极管电流源电压控制电路电压转换电路参考单元参考阵列控制栅选定存储单元读取阴极参考电流存储单元浮栅器件温度系数阳极连接编程位存储位第一端电荷泵端接地非选定分离栅串扰读写闪存参考输出

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减少闪存读串扰的偏置电路和方法

减少闪存读串扰的偏置电路和方法

引用

作者：杨光军 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号

本发明公开了一种减少闪存读串扰的偏置电路，闪存的阵列结构由多个存储单元排列形成，各存储单元都采用分离栅浮栅器件。偏置电路提供第一电压。在对闪存的选定存储单元进行读取时，采用如下电压设置：选定存储单元的选定存储位所对应... 详细信息

标准号: CN117316247A

本发明公开了一种减少闪存读串扰的偏置电路，闪存的阵列结构由多个存储单元排列形成，各存储单元都采用分离栅浮栅器件。偏置电路提供第一电压。在对闪存的选定存储单元进行读取时，采用如下电压设置：选定存储单元的选定存储位所对应的控制栅线接地以及非选定存储位所对应的控制栅线接控制栅读取电压，字线接字线读取电压。第一电压连接非选定存储单元所连接的各位线上，利用第一电压和控制栅读取电压的差值减少控制栅读取电压对和选定存储单元位于同一行的各非选定存储单元的读串扰。本发明还公开了一种减少闪存读串扰的偏置方法。本发明能减少读操作时的较高的控制栅读取电压对和选定存储单元同一行的各非选定存储单元的串扰。

关键词：存储单元读取电压选定存储单元非选定控制栅串扰闪存控制栅线偏置电路存储位字线读取电压连接电压设置浮栅器件阵列结构接地读操作分离栅偏置

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非易失性存储装置及其编程方法

非易失性存储装置及其编程方法

引用

作者：沈相元韩国京畿道

提供了一种用于减少热载流子注入(HCI)的非易失性存储装置以及所述非易失性存储装置的编程方法。根据一个方面，所述非易失性存储装置的编程方法包括：在从多个存储单元中的与串选择晶体管相邻的上部存储单元到与地选择晶体管相邻的下... 详细信息

标准号: CN109493905B

提供了一种用于减少热载流子注入(HCI)的非易失性存储装置以及所述非易失性存储装置的编程方法。根据一个方面，所述非易失性存储装置的编程方法包括：在从多个存储单元中的与串选择晶体管相邻的上部存储单元到与地选择晶体管相邻的下部存储单元的方向上对包括在单元串中的存储单元进行编程；当对选定存储单元进行编程时，将第一禁止电压施加到第一未选定字线，所述第一未选定字线连接到位于所述选定存储单元之上的第一未选定存储单元；以及当在施加第一禁止电压之后经过了预定时间段时，将第二禁止电压施加到第二未选定字线，所述第二未选定字线连接到位于所述选定存储单元之下的第二未选定存储单元。

关键词：选定存储单元存储单元选定字线非易失性存储装置编程电压施加串选择晶体管地选择晶体管预定时间段热载流子施加

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存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法

存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法

引用

作者：李耀翰南尚完朴相元赵志虎朴恩香韩国京畿道

本公开提供了一种存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法。公开了一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的操作方法。所述方法包括：基于第一编程参数来对来自所述多个存储单元当中的连接到选定字线的... 详细信息

标准号: CN116137176A

本公开提供了一种存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法。公开了一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的操作方法。所述方法包括：基于第一编程参数来对来自所述多个存储单元当中的连接到选定字线的选定存储单元执行第一编程循环至第(n‑1)编程循环；以及在所述第(n‑1)编程循环被执行之后，基于与所述第一编程参数不同的第二编程参数来对所述选定存储单元执行第n编程循环至第k编程循环。在此，n是大于1的整数并且k是大于或等于n的整数。所述第一编程参数和所述第二编程参数中的每一者包括在所述第一编程循环至所述第k编程循环中使用的编程电压增量、2级验证范围和位线强制电压中的至少两者。

关键词：编程循环编程参数选定存储单元存储单元存储器件存储器系统编程电压选定字线垂直的衬底堆叠位线编程验证

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闪存的接地端读取的电路结构

闪存的接地端读取的电路结构

引用

作者：杨光军 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号

本发明公开了一种闪存的接地端读取的电路结构，包括：互为镜像的第一电流路径和第二电流路径。选定存储单元位于第一电流路径上。选定存储单元的漏极连接第一电压，第一电压为固定电压。选定存储单元的源极通过电流镜的输入侧电路接地... 详细信息

标准号: CN117292729A

本发明公开了一种闪存的接地端读取的电路结构，包括：互为镜像的第一电流路径和第二电流路径。选定存储单元位于第一电流路径上。选定存储单元的漏极连接第一电压，第一电压为固定电压。选定存储单元的源极通过电流镜的输入侧电路接地并在第一电流路径形成单元电流。第二电流路径包括电流镜的镜像侧电路，电流镜的镜像侧电路形成单元镜像电流并在第二电流路径的输出端输出；单元镜像电流和单元电流成比例。单元镜像电流和灵敏放大器连接。本发明能对闪存的存储单元进行接地端读取，防止从闪存的存储单元的漏极端读取时漏极电压的变化对读取电流的影响，从而能消除闪存的存储单元的源漏电压对读取速度和0/1窗口的限制，能增加读取速度和0/1窗口。

关键词：电流路径读取闪存选定存储单元存储单元镜像电流电流镜接地端灵敏放大器单元电流电路接地电路结构电路形成读取电流固定电压漏极电压形成单元源漏电压漏极端输出端输入侧漏极源极电路输出

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