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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

47 篇 专利

馆藏范围

47 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

8 篇 美光科技公司
7 篇 台湾积体电路制造...
5 篇 福建省晋华集成电...
3 篇 世界先进积体电路...
3 篇 格罗方德半导体公...
3 篇 物联记忆体科技股...
3 篇 亿而得微电子股份...
2 篇 华亚科技股份有限...
1 篇 夏泰鑫半导体有限...
1 篇 联合微电子中心有...
1 篇 华邦电子股份有限...
1 篇 国际商业机器公司
1 篇 南亚科技股份有限...
1 篇 合肥智聚集成电路...
1 篇 凌巨科技股份有限...
1 篇 新唐科技股份有限...
1 篇 聚力成半导体有限...
1 篇 鸿海精密工业股份...
1 篇 台积电有限公司
1 篇 上海华力集成电路...

作者

10 篇 吴铁将
3 篇 冯立伟
3 篇 范德慈
3 篇 张钦福
3 篇 黄文谦
3 篇 黄义欣
3 篇 童宇诚
2 篇 谢瑞龙
2 篇 史巴蒂普·穆卡法利...
2 篇 永井享浩
2 篇 戴家豪
2 篇 郑育明
2 篇 李宜玟
2 篇 王文杰
2 篇 廖志成
2 篇 谢泓达
2 篇 黄鼎盛
2 篇 李仁豪
2 篇 郑宗文
2 篇 范雅婷

语言

47 篇 中文

检索条件"主题词=闸极结构"

共 47 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

闸极结构的制造方法

闸极结构的制造方法

引用

作者：郑凯仁杨建国孙磊李全波黄君邱岩栈 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明提供一种闸极结构的制造方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出NMOS和PMOS的有源区，有源区上形成有目标高度的栅极结构，栅极结构由叠层以及位于叠层侧壁上的侧墙组成，叠层由自下而上依次堆叠的栅氧化层、伪栅多晶硅层、硬... 详细信息

标准号: CN116598260A

本发明提供一种闸极结构的制造方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出NMOS和PMOS的有源区，有源区上形成有目标高度的栅极结构，栅极结构由叠层以及位于叠层侧壁上的侧墙组成，叠层由自下而上依次堆叠的栅氧化层、伪栅多晶硅层、硬掩膜层组成；在衬底上形成覆盖栅极结构的第一刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成填充栅极结构之间间隙的第一层间介质层，之后研磨第一层间介质层至第一刻蚀停止层的上方；回刻蚀第一层间介质层至所需厚度，之后利用离子注入在第一层间介质层上形成第二刻蚀停止层；形成填充栅极结构之间剩余间隙的第二层间介质层，之后研磨第二层间介质层至第一刻蚀停止层的上方。本发明减少了闸极深宽比，提高了工艺窗口。

关键词：刻蚀停止层栅极结构第一层介质层衬底叠层层间介质层研磨源区填充多晶硅层工艺窗口剩余间隙硬掩膜层闸极结构栅氧化层回刻蚀深宽比侧壁侧墙堆叠伪栅闸极离子覆盖制造

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一种闸极结构及其制备方法

一种闸极结构及其制备方法

引用

作者：魏久雲陈蒋军张路滋曾成 401332 重庆市沙坪坝区沙坪坝西园一路28号附2号

本发明提供一种闸极结构及其制备方法，该闸极结构的制备方法包括以下步骤：提供一包括衬底、栅极沟槽、界面层、层间介质层及介电层的半导体结构；依次形成位于栅极沟槽内壁及介电层上表面的底部阻挡层及覆盖底部阻挡层显露表面的功函... 详细信息

标准号: CN116013965A

本发明提供一种闸极结构及其制备方法，该闸极结构的制备方法包括以下步骤：提供一包括衬底、栅极沟槽、界面层、层间介质层及介电层的半导体结构；依次形成位于栅极沟槽内壁及介电层上表面的底部阻挡层及覆盖底部阻挡层显露表面的功函数调整层；形成覆盖功函数调整层显露表面且包括层叠的第一阻挡层及第二阻挡层的顶部阻挡层，且形成第一阻挡层后，向工艺腔中通入含氧气体以形成第二阻挡层；形成覆盖顶部阻挡层显露表面的粘附层；形成填充栅极沟槽的栅极金属层。本发明通过于第一阻挡层之后，向形成第一阻挡层的工艺腔中通入含氧气体以形成第二阻挡层，提升了顶部阻挡层阻挡栅极金属层扩散的能力，提升了器件的良率，且方法简单，成本低。

关键词：阻挡层栅极沟槽底部阻挡层功函数调整栅极金属层含氧气体闸极结构显露工艺腔介电层制备覆盖半导体结构层间介质层界面层上表面粘附层衬底良率内壁填充阻挡扩散

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一种具有SBD二极管的闸极结构的GaN HEMT器件及其制作方法

一种具有SBD二极管的闸极结构的GaN HEMT器件及其制作方法

引用

作者：吴龙江 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905

本发明公开了一种具有SBD二极管的闸极结构的GaN HEMT器件及其制作方法，其中，GaN HEMT器件自下而上包括：衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层和绝缘层；绝缘层和AlGaN势垒层之间被刻蚀有一凹槽，凹槽由内向外依次沉积有闸极欧姆金属和SBD... 详细信息

标准号: CN117133803A

本发明公开了一种具有SBD二极管的闸极结构的GaN HEMT器件及其制作方法，其中，GaN HEMT器件自下而上包括：衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层和绝缘层；绝缘层和AlGaN势垒层之间被刻蚀有一凹槽，凹槽由内向外依次沉积有闸极欧姆金属和SBD金属；凹槽底部的闸极欧姆金属被刻蚀有一缺口，SBD金属通过缺口与AlGaN势垒层接触。本发明通过利用与GaN HEMT gate recess工艺兼容条件下，增加了一张SBD的光罩，让GaN HEMT闸极串连一颗SBD diode，从而达到在只有增加一张低分辨率的光罩的条件下降低了GaN HEMT器件的闸极漏电问题。

关键词：闸极绝缘层欧姆金属光罩刻蚀金属低分辨率工艺兼容漏电问题由内向外闸极结构二极管串连沉积衬底制作

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具有设置在沟渠中的闸极结构的集成芯片及其形成方法

具有设置在沟渠中的闸极结构的集成芯片及其形成方法

引用

作者：黄咏胜刘铭棋中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

一种集成芯片，其包括衬底，衬底具有用以定一沟渠的第一对相对侧壁。沟渠延伸到衬底的前侧表面。第一源极/漏极区沿着衬底的前侧表面设置。第二源极/漏极区沿着衬底的前侧表面设置。闸极结构设置在沟渠内，且闸极结构在侧向上排列在第... 详细信息

标准号: CN115497951A

一种集成芯片，其包括衬底，衬底具有用以定一沟渠的第一对相对侧壁。沟渠延伸到衬底的前侧表面。第一源极/漏极区沿着衬底的前侧表面设置。第二源极/漏极区沿着衬底的前侧表面设置。闸极结构设置在沟渠内，且闸极结构在侧向上排列在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间。闸极结构沿着前述第一对相对侧壁延伸到衬底的上表面。闸极结构的底面被设置的比第一源极/漏极区的底面低。

关键词：源极/漏极区衬底闸极结构前侧表面沟渠相对侧壁底面集成芯片上表面延伸

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形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置

形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置

引用

作者：谢瑞龙崔起植 S·C·范 S·普诺施英属开曼群岛大开曼岛

本揭露是包括形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置。在一些具体实施例中，该间隔物的该内表面具有阶梯剖面结构或锥形剖面结构。在一范例中，揭露一装置，其中，用于PMOS装置的该P型功函数金属仅设在由该间隔物的未修整... 详细信息

标准号: CN104347426B

本揭露是包括形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置。在一些具体实施例中，该间隔物的该内表面具有阶梯剖面结构或锥形剖面结构。在一范例中，揭露一装置，其中，用于PMOS装置的该P型功函数金属仅设在由该间隔物的未修整内表面所定义的侧向空间内，同时用于NMOS装置的功函数调整金属是侧向地设在由该侧壁间隔物的已修整内表面和未修整内表面两者所定义的侧向空间之间。

关键词：内表面修整侧向空间间隔物金属侧壁间隔物功函数调整阶梯剖面闸极结构锥形剖面侧向地晶体管替换

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半导体装置及其制造方法

半导体装置及其制造方法

引用

作者：赛沙瓦尔·伊玛目廖志成李家豪中国台湾新竹县

本发明公开了半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一磊晶层；至少一闸极沟槽，包括一下闸极沟槽和一上闸极沟槽，下闸极沟槽的宽度小于上闸极沟槽的宽度；至少一沟槽闸极结构，设置在至少一闸极沟槽中，至少一沟槽闸极结构包括... 详细信息

标准号: CN117995843A

本发明公开了半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一磊晶层；至少一闸极沟槽，包括一下闸极沟槽和一上闸极沟槽，下闸极沟槽的宽度小于上闸极沟槽的宽度；至少一沟槽闸极结构，设置在至少一闸极沟槽中，至少一沟槽闸极结构包括：一底闸极结构，设置在下闸极沟槽的下部，底闸极结构包括一第一闸极电极和一第一闸极介电层；一中闸极结构，设置在下闸极沟槽的上部，中闸极结构包括一第二闸极电极和一第二闸极介电层，第二闸极介电层的厚度小于第一闸极介电层的厚度；及设置在上闸极沟槽的顶闸极结构，顶闸极结构包括一第三闸极电极和一第三闸极介电层，第三闸极介电层的厚度小于第二闸极介电层的厚度；第一、第二和第三闸极电极彼此分离。

关键词：闸极结构闸极闸极介电层闸极电极半导体装置彼此分离磊晶层制造

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集成电路内存装置

集成电路内存装置

引用

作者：高韵峯姜慧如中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

本实用新型提供一种包括第一和第二电荷捕获装置以及控制电路的集成电路。第一电荷捕获装置包括布置在第一闸极结构和第一通道区之间的衬底之上的第一电荷捕获结构。第二电荷捕获装置与第一电荷捕获装置串联耦合，并且包括布置在第二闸... 详细信息

标准号: CN222896543U

本实用新型提供一种包括第一和第二电荷捕获装置以及控制电路的集成电路。第一电荷捕获装置包括布置在第一闸极结构和第一通道区之间的衬底之上的第一电荷捕获结构。第二电荷捕获装置与第一电荷捕获装置串联耦合，并且包括布置在第二闸极结构和第二通道区之间的衬底之上的第二电荷捕获结构。控制电路耦合到第一和第二闸极结构，并且被配置为将隐式(IMPLY)操作的第一输入储存为第一电荷捕获装置的储存值，将IMPLY操作的第二输入储存为第二电荷捕获装置的储存值，以及根据第一电荷捕获装置的储存值更新第二电荷捕获装置的储存值以执行IMPLY操作。

关键词：集成电路内存装置电荷捕获布置闸极结构通道区衬底电荷捕获结构串联耦合捕获装置控制电路配置储存 IMPLY 输入执行电子设备易失性非易失性断电保留数据丢失努力内存计算标准逻辑函数合并数据执行初步数据处理

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半导体装置及其制造方法

半导体装置及其制造方法

引用

作者：吴铁将美国爱达荷州

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括基材、第一主动区、第二主动区以及闸极结构。第一主动区和第二主动区设于基材中。闸极结构包括底部、和第一主动区连接的第一侧壁，以及和第二主动区连接的第二侧壁。第一... 详细信息

标准号: CN111341729B

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括基材、第一主动区、第二主动区以及闸极结构。第一主动区和第二主动区设于基材中。闸极结构包括底部、和第一主动区连接的第一侧壁，以及和第二主动区连接的第二侧壁。第一侧壁和底部具有第一交点，从第一交点往基材延伸出第一水平线，而第一侧壁和第一水平线具有第一夹角。第二侧壁和底部具有第二交点，从第二交点往基材延伸出第二水平线，而第二侧壁和第二水平线具有第二夹角。第一夹角与第二夹角不同。根据本发明，即便缩减半导体装置的尺寸，但两相邻闸极堆叠的底部之间的距离可保持固定，因此半导体装置中可以不产生字元线(WL)间干扰，进而增进较小尺寸的半导体装置的效能。

关键词：主动区半导体装置基材第二侧壁第一侧壁闸极结构字元线延伸堆叠闸极制造

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半导体器件及其形成方法

半导体器件及其形成方法

引用

作者：张钦福冯立伟童宇诚 362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

本发明公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括衬底、多个闸极结构、多个隔离鳍片以及至少一位线。栅极结构设置在衬底上，每个栅极结构彼此平行并且沿着第一方向延伸；隔离鳍片设置在衬底上，每个隔离鳍片彼此平行并且分别... 详细信息

标准号: CN113241346B

本发明公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括衬底、多个闸极结构、多个隔离鳍片以及至少一位线。栅极结构设置在衬底上，每个栅极结构彼此平行并且沿着第一方向延伸；隔离鳍片设置在衬底上，每个隔离鳍片彼此平行并且分别在每个栅极结构上沿着第一方向延伸。至少一位线设置在衬底上，沿着垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，至少一位线包括沿着垂直于衬底的方向延伸的多个引脚，并且每个引脚与每个隔离鳍片在第二方向交替排列。

关键词：衬底方向延伸鳍片栅极结构位线隔离半导体器件彼此平行引脚垂直交替排列闸极结构

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半导体装置的测试方法及制造方法

半导体装置的测试方法及制造方法

引用

作者：谢泓达史巴蒂普·穆卡法利李宜玟黄鼎盛陈东贤陈瓀懿李仁豪卢胤龙中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号

本揭示实施例涉及半导体装置的测试方法及制造方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体装置的制造方法，包含：提供半导体衬底；形成鳍片结构在半导体衬底；形成闸极结构在鳍片结构；分别形成汲极区域及源极区域在鳍片结构；取得汲极... 详细信息

标准号: CN111435655B

本揭示实施例涉及半导体装置的测试方法及制造方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体装置的制造方法，包含：提供半导体衬底；形成鳍片结构在半导体衬底；形成闸极结构在鳍片结构；分别形成汲极区域及源极区域在鳍片结构；取得汲极区域及源极区域之间的通道区以及鳍片结构的热时间常数；以及根据热时间常数，对通道区以及鳍片结构进行热模拟。

关键词：鳍片结构半导体装置热时间常数源极区域通道区衬底汲极半导体闸极结构热模拟制造测试

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