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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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151 篇 专利
1 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

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153 篇 电子文献
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学科分类号

1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 工学
- 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

2 篇 集成电路单元
1 篇 多节点翻转
1 篇 读懂电路原理图
1 篇 单粒子效应
1 篇 电路符号
1 篇 电荷共享
1 篇 单元电路
1 篇 方框图
1 篇 抗辐射加固设计

机构

13 篇 沈阳工业大学
6 篇 中国科学院微电子...
5 篇 三星电子株式会社
4 篇 天马微电子股份有...
4 篇 武汉华星光电技术...
4 篇 京东方科技集团股...
4 篇 北京纳米能源与系...
4 篇 厦门天马微电子有...
4 篇 台湾积体电路制造...
3 篇 上海昀锋液压有限...
3 篇 洛克系统有限公司
3 篇 力成科技股份有限...
3 篇 电子科技大学
3 篇 洛克系统私人有限...
3 篇 荣耀终端有限公司
2 篇 上海微电子装备股...
2 篇 英华达电子有限公...
2 篇 精材科技股份有限...
2 篇 成都芯源系统有限...
2 篇 北京京东方技术开...

作者

13 篇 刘溪
13 篇 靳晓诗
6 篇 朱慧珑
5 篇 丁锺才
4 篇 朱正勇
4 篇 邹洋
4 篇 林仲振
4 篇 石波璟
4 篇 刘卓
4 篇 张德春
4 篇 金一鸣
4 篇 龚强
4 篇 白承昊
4 篇 欧阳涵
4 篇 郑强
4 篇 李舟
4 篇 赵璐明
3 篇 谭少军
3 篇 石建珍
3 篇 吴美乐

语言

153 篇 中文

检索条件"主题词=集成电路单元"

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集成电路单元抗单粒子电荷共享加固设计研究

集成电路单元抗单粒子电荷共享加固设计研究

引用

作者：李洪辰哈尔滨工业大学

学位级别：博士

工作在空间环境中的集成电路对辐射粒子导致的辐射效应极为敏感,单粒子效应会导致航天器发生故障或失效。随着集成电路的迅速发展,工艺尺寸不断缩减,工作电压和节点电容不断降低,而工作频率和电路的复杂度却在不断增加,使集成电路对单... 详细信息

工作在空间环境中的集成电路对辐射粒子导致的辐射效应极为敏感,单粒子效应会导致航天器发生故障或失效。随着集成电路的迅速发展,工艺尺寸不断缩减,工作电压和节点电容不断降低,而工作频率和电路的复杂度却在不断增加,使集成电路对单粒子效应的敏感性不断增加。同时集成电路的密度也不断增加,晶体管之间的间距不断减小,单粒子诱导的电荷会被多个相邻的晶体管收集,导致电荷共享或多节点电荷收集。在纳米工艺下,电荷共享已经成为抗辐射加固设计面临的新挑战和新热点。集成电路中组合逻辑电路和存储电路中许多现有的加固技术或加固单元结构无法满足新的可靠性需求,甚至失效。因此,本文以电荷共享为核心,对集成电路的基本单元,包括组合逻辑单元、时序逻辑单元和存储器单元,进行加固设计研究。提高集成电路中基本组成单元的抗辐射能力,对于提高整个集成电路系统的可靠性是非常有利的。本文通过抗辐射设计加固的方法,解决纳米尺度下多节点电荷收集带来的新问题,为集成电路系统的可靠运行提供保障。本文的工作主要包括以下几个方面:(1)组合逻辑单元抗单粒子瞬态加固设计研究。研究晶体管间距、版图的布局方式、单粒子的入射方向及角度对组合逻辑单元中电荷共享导致的脉冲窄化效应影响,分析脉冲窄化效应的机理。提出了虚拟栅增强电荷共享加固技术,通过将单元中后级晶体管拆分为2个并联的晶体管,采用虚拟栅极代替浅沟道隔离分隔晶体管,增强脉冲窄化效应,降低单粒子导致的瞬态脉冲宽度。仿真结果表明,虚拟栅增强电荷共享加固技术可以显著地降低单粒子瞬态的脉冲宽度,有效地抑制单元产生的单粒子瞬态。相比于其他加固技术,虚拟栅增强电荷共享加固技术对单粒子瞬态的抑制效果更明显。虚拟栅增强电荷共享加固技术适用于标准库单元的加固设计。(2)锁存器单元抗单粒子双节点翻转加固设计研究。通过分析C单元的工作原理和特点,以及采用节点冗余加固技术的锁存器单元内各节点之间的反馈关系,提出了一种抗双节点翻转加固锁存器单元结构。单元内任意节点对发生双节点翻转时,单元均可保证正确的存储值,并且发生翻转的节点均可由其他节点驱动回正确的状态。和现有的具有相同容错能力的抗辐射加固锁存器单元相比,该结构具有低延迟和低开销,并且对工艺波动具有低敏感性。(3)触发器单元抗单粒子效应加固设计研究。分析主从结构的边沿型D触发器中单粒子瞬态、单节点翻转以及双节点翻转导致的软错误来源,以及触发器中常用的错误检错技术,提出了2种加固触发器单元结构。第1种单元结构可以检测单粒子瞬态、单节点翻转和双节点翻转导致的软错误。第2种单元结构可以检测并纠正单粒子瞬态、单节点翻转和双节点翻转导致的软错误。相比于现有的抗辐射加固触发器单元结构,所提出的结构具有高可靠性和低开销的特点。(4)静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)单元抗单粒子多节点翻转加固设计研究。研究SRAM单元的设计原理,分析了SRAM单元抗单粒子多节点翻转加固设计的关键问题,提出了一种抗多节点翻转的SRAM单元结构。该结构采用电路级和版图级加固技术相结合的方式,在电路级采用节点冗余加固技术,并利用冗余节点构建多条反馈回路,使单元中发生翻转的节点可以自动地恢复正确状态;在版图级采用了多种加固技术,抑制单元内敏感晶体管之间的电荷共享。仿真结果表明,单元具有抗单粒子多节点翻转的能力。相比于现有的抗辐射加固SRAM单元结构,所提出的结构具有高可靠性、高读写稳定性的特点。

关键词：集成电路单元抗辐射加固设计单粒子效应电荷共享多节点翻转

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集成电路单元、栅极驱动电路及显示面板

集成电路单元、栅极驱动电路及显示面板

引用

作者：袁志东李永谦 230012 安徽省合肥市新站区新站工业物流园内A组团E区宿舍楼15幢

本申请公开了一种集成电路单元、栅极驱动电路及显示面板。集成电路单元包括第一控制子电路、第二控制子电路、第三控制子电路、第四控制子电路与输出子电路。第二控制子电路通过若干选通信号辅助控制，第一控制子电路与第二控制子电路... 详细信息

标准号: CN117373387A

本申请公开了一种集成电路单元、栅极驱动电路及显示面板。集成电路单元包括第一控制子电路、第二控制子电路、第三控制子电路、第四控制子电路与输出子电路。第二控制子电路通过若干选通信号辅助控制，第一控制子电路与第二控制子电路控制第一节点的电位，第一节点辅助第三控制子电路与第四控制子电路控制第二节点、第三节点与第四节点的电位。进而控制输出子电路的输出信号。本申请的集成电路单元无需级联，其输出的信号不受其他集成电路单元的控制，可以应用于栅极控制电路从而实现输出随机帧位移信号。

关键词：控制子电路集成电路单元电位输出子电路栅极控制电路栅极驱动电路输出辅助控制输出信号位移信号显示面板选通信号级联申请应用

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集成电路单元、栅极驱动电路及显示面板

集成电路单元、栅极驱动电路及显示面板

引用

作者：袁志东李永谦刘苗 230012 安徽省合肥市新站区新站工业物流园内A组团E区宿舍楼15幢

本申请提供一种集成电路单元、栅极驱动电路及显示面板。集成电路单元中，输入控制子电路与选通信号端、第三时钟信号端、第一节点连接；输入子电路与第二时钟信号端、第一节点、第一电平信号端、第二节点连接；输出控制子电路与第四时... 详细信息

标准号: CN117037717A

本申请提供一种集成电路单元、栅极驱动电路及显示面板。集成电路单元中，输入控制子电路与选通信号端、第三时钟信号端、第一节点连接；输入子电路与第二时钟信号端、第一节点、第一电平信号端、第二节点连接；输出控制子电路与第四时钟信号端、第二节点、第一电平信号端、多个第三节点连接；输出电路包括多个输出子电路，与多个第三节点、多个第五时钟信号端、多个输出端、第五电平信号端连接；第一下拉控制子电路与第三节点、第二电平信号端、第三电平信号端、第四节点连接；第二下拉控制子电路与第二节点、第四时钟信号端、第四节点、第四电平信号端连接；下拉子电路与第四节点、第三节点、第四电平信号端、第三时钟信号端连接。

关键词：电平信号时钟信号端节点连接下拉集成电路单元控制子电路子电路输出控制子电路栅极驱动电路输出子电路输入子电路选通信号端输出电路输入控制显示面板输出端申请

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集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆

集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆

引用

作者：侯丽巍汪苏伟李恒姚泽强赵君健 611731 四川省成都市成都高新综合保税区科新路8号成都芯源系统有限公司

提出了一种集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆。该晶圆具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，该第一表面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的再布线金属层图案，第二表面上制作有背面金属层，该背面金属... 详细信息

标准号: CN113140541B

提出了一种集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆。该晶圆具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，该第一表面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的再布线金属层图案，第二表面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有背面金属层图案，所述背面金属层图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶圆的应力。

关键词：背面金属层再布线金属层第一表面晶圆集成电路单元第二表面图案制作减小

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集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备

集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备

引用

作者：朱慧珑朱正勇 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

公开了一种集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备。根据实施例，集成电路单元可以包括：依次叠置在衬底上的用于第一器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及用于第二器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，在第一... 详细信息

标准号: CN111755443B

公开了一种集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备。根据实施例，集成电路单元可以包括：依次叠置在衬底上的用于第一器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及用于第二器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，在第一器件中，沟道层包括彼此分离的第一部分和第二部分，第一源/漏层和第二源/漏层分别一体延伸且与沟道层的第一部分和第二部分二者交迭；绕第一器件的沟道层的第一部分和第二部分的外周形成的第一栅堆叠；以及绕第二器件的沟道层的外周形成的第二栅堆叠，其中，各源/漏层和沟道层中至少一对相邻的层的上下的半导体材料不同。

关键词：源/漏层沟道层集成电路单元栅堆叠外周半导体材料彼此分离电子设备一体延伸衬底叠置交迭

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一种提高纵向MOS器件工作频率的集成电路单元结构

一种提高纵向MOS器件工作频率的集成电路单元结构

引用

作者：廖永波刘玉婷李平袁丕根 610000 四川省成都市高新西区西源大道2006号

该发明公开了一种提高纳米墙工作频率的新型集成电路单元结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统IC中MOSFET不同的器件物理原理，该发明是基于纳米墙集成电路单元结构(Nano‑Wall FET，简称NWaFET)在工作频率方面进行改进... 详细信息

标准号: CN117316976A

该发明公开了一种提高纳米墙工作频率的新型集成电路单元结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统IC中MOSFET不同的器件物理原理，该发明是基于纳米墙集成电路单元结构(Nano‑Wall FET，简称NWaFET)在工作频率方面进行改进提高的新型集成电路单元结构，该结构不仅拥有纳米墙结构的可集成度高、可显著缩小沟道长度、可灵活调整器件的沟道宽长比等等优点，还显著提高了纳米墙器件的工作频率，且该结构的改进并没有提高其工艺实现的难度。上文所述的纳米墙集成电路单元结构具体的可见专利“一种高集成度纳米墙集成电路结构”(专利申请号：CN202210413345.4)和专利“一种新型DRAM集成电路的结构”(专利申请号：CN201911306287.X)。

关键词：工作频率集成电路单元新型集成电路单元结构集成电路集成电路结构沟道宽长比微电子技术高集成度工艺实现灵活调整器件物理集成度墙结构沟道改进

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集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆

集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆

引用

作者：侯丽巍汪苏伟李恒姚泽强赵君健 611731 四川省成都市成都高新综合保税区科新路8号成都芯源系统有限公司

标准号: CN113140541A

关键词：背面金属层再布线金属层第一表面晶圆集成电路单元第二表面图案制作减小

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集成电路单元及其制造方法及包括该单元的电子设备

集成电路单元及其制造方法及包括该单元的电子设备

引用

作者：朱慧珑朱正勇 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

公开了一种集成电路单元及其制造方法及包括该集成电路单元的电子设备。根据实施例，集成电路单元可以包括：依次叠置在衬底上的用于第一器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及用于第二器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，... 详细信息

标准号: CN107887385B

公开了一种集成电路单元及其制造方法及包括该集成电路单元的电子设备。根据实施例，集成电路单元可以包括：依次叠置在衬底上的用于第一器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及用于第二器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，在第一器件中，沟道层包括彼此分离的第一部分和第二部分，第一源/漏层和第二源/漏层分别一体延伸且与沟道层的第一部分和第二部分二者交迭；绕第一器件的沟道层的第一部分和第二部分的外周形成的第一栅堆叠；以及绕第二器件的沟道层的外周形成的第二栅堆叠。

关键词：源/漏层沟道层集成电路单元栅堆叠外周彼此分离电子设备一体延伸衬底叠置交迭制造

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集成电路单元及其制造方法及包括该单元的电子设备

集成电路单元及其制造方法及包括该单元的电子设备

引用

作者：朱慧珑 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

公开了一种集成电路单元及其制造方法及包括该集成电路单元的电子设备。根据实施例，集成电路单元可以包括：彼此叠置在衬底上的第一器件和第二器件，其中第一器件和第二器件各自均包括依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及... 详细信息

标准号: CN107887386B

公开了一种集成电路单元及其制造方法及包括该集成电路单元的电子设备。根据实施例，集成电路单元可以包括：彼此叠置在衬底上的第一器件和第二器件，其中第一器件和第二器件各自均包括依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及绕沟道层外周形成的栅堆叠，其中，第一器件的沟道层和第二器件的沟道层至少之一包括与Si材料相比具有增大开态电流和/或减小关态电流的半导体材料。

关键词：沟道层集成电路单元源/漏层叠置半导体材料电子设备关态电流开态电流栅堆叠衬底减小外周制造

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集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备

集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备

引用

作者：朱慧珑朱正勇 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

标准号: CN111755443A

关键词：源/漏层沟道层集成电路单元栅堆叠外周半导体材料彼此分离电子设备一体延伸衬底叠置交迭

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