检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2009年第5期21卷 749-754页

作者：姚志斌何宝平张凤祁郭红霞罗尹虹王圆明张科营西北核技术研究所西安710024

在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上,详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测试FPGA器件的配置... 详细信息

在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上,详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测试FPGA器件的配置存储器翻转截面、块存储器翻转截面、功能失效截面、闭锁截面等多个参数,其长线传输距离达到50 m以上,最大可测门数达到了100万门,为FPGA辐照效应研究提供了测试平台。

关键词：现场可编程门阵列辐照效应测试系统静态随机访问存储器

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静态随机访问存储器数据残留的安全策略研究

静态随机访问存储器数据残留的安全策略研究

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作者：余凯华中科技大学

学位级别：博士

静态随机访问存储器(SRAM，Static Random Access Memory)是一种无需刷新、以随机顺序来读写存储单元的半导体存储器。由于其高速、低功耗的特点，SRAM被广泛地应用于高性能微处理器和各类消费电子产品中。通常认为，SRAM属于易失性半... 详细信息

静态随机访问存储器(SRAM，Static Random Access Memory)是一种无需刷新、以随机顺序来读写存储单元的半导体存储器。由于其高速、低功耗的特点，SRAM被广泛地应用于高性能微处理器和各类消费电子产品中。通常认为，SRAM属于易失性半导体存储器。当电源移开时，存储器中数据表征的信息会随之消失。然而近年来，关于掉电后SRAM中存在数据残留的事实被不断地报道和探究，而且使用特殊方式可以将残留的数据恢复或者读取出来。在实际应用中，这给SRAM及其系统的安全性构成一定威胁。本论文将全面深入地论述SRAM中数据残留的安全策略设计与实现。首先，论述了各种具有代表性的针对SRAM进行的物理攻击方法，研究了各自的攻击原理。接着，基于半导体物理与器件理论和实验数据，给出了SRAM中数据残留的物理解释，以此为安全策略的设计提供理论基础。其次，对基于清零和改写两种安全策略的SRAM体系结构，片上能量获取、存储、转换系统，以及低压、高效率电荷泵升压电路等的核心关键技术进行了研究与设计。针对掉电后SRAM中数据残留采用的不同安全策略需要不同的系统架构和功能模块，本论文对应用各类安全策略的SRAM结构及其中的低功耗掉电检测、低损耗电源选择、清零阵列和改写阵列等安全电路的结构进行了研究与设计。提出了一种能实现片上能量获取、存储、转换的全集成电源系统，为掉电后的SRAM提供进行安全操作所需的能量。该系统采用电容存储电荷的方式积蓄能量，避免了电感储能方式带来的电磁干扰，减小了存储元件的寄生电阻。利用电荷泵升压电路提高存储电容的电压，有效的增加了存储能量；同时，掉电后的电荷泵升压电路反向截至能防止能量从存储电容泻放回到地。此外，该系统还集成了适用于片上电源系统的线性调整器，研究了准掉电模式下线性调整器的电特性，实现了将存储电容的能量高效的转换给安全电路。最后，基于Huahong-NEC(HHNEC)0.25μm CMOS工艺，结合不同策略下的SRAM架构，给出了片上电源系统参数设计的最优化方法。为了避免攻击者将安全电路拆卸掉，研究了低压、高效率、全集成电荷泵升压电路的关键技术。建立了电荷泵电路的效率与时钟控制信号的交叠量模型，提出了能获得最高效率的最优时钟控制策略。对于四相位Dickson电荷泵而言，最优的时钟交叠量范围是设计成时钟控制信号周期的3％到6％，这样能实现至多8％的效率提高。最后，基于廉价的P衬N阱CMOS工艺，综合四相位Dickson电荷泵和Doubler电荷泵的优点，采用复合开关管技术，提出了一种新颖的、高效率全PMOS电荷泵升压电路。在论文的最后，基于HHNEC 0.25μm 1P5M CMOS工艺，实现了两款应用不同安全策略的SRAM芯片，并结合对数据残留进行低温冷冻物理攻击的原理进行验证。验证结果显示：采用两套安全策略的SRAM均能实现对残留数据的清除和改写，具有预防利用数据残留进行物理攻击的能力。和传统的SRAM相比，工作功耗增加了4％和5％，而读写操作和传统SRAM是一样的。

关键词：静态随机访问存储器数据残留物理攻击安全策略低压低功耗高效率电荷泵升压电路线性调整器

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静态随机访问存储器及电子设备

静态随机访问存储器及电子设备

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作者：李学清陈一鸣周沐风付裕深刘勇攀杨华中 100084 北京市海淀区清华园1号

本公开涉及一种静态随机访问存储器及电子设备，所述存储器包括至少一个存储电路，所述存储电路包括：第一反相器、第二反相器、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、字线、第一位线、第二位线、移位输入线及移位输出线... 详细信息

标准号: CN113140245B

本公开涉及一种静态随机访问存储器及电子设备，所述存储器包括至少一个存储电路，所述存储电路包括：第一反相器、第二反相器、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、字线、第一位线、第二位线、移位输入线及移位输出线，在所述电路工作在第一模式的情况下，所述电路用于利用所述第一位线和/或所述第二位线存取数据；或在所述电路工作在第二模式的情况下，所述电路用于对所述移位输入线输入的数据进行移位，并通过所述移位输出线输出移位后的数据。本公开实施例通过在存储器内部实现移位输入及输出，能够完成高并发度的数据存取和更新，并且具有高集成度、低功耗的特点。

关键词：移位位线电路存储器存储电路移位输出反相器输入线静态随机访问存储器存取数据第一开关电子设备高集成度数据存取并发度低功耗线输出字线输出更新

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安全六管静态随机访问存储器的研究与设计

安全六管静态随机访问存储器的研究与设计

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作者：陈云武华中科技大学

学位级别：硕士

静态随机访问存储器(SRAM)为挥发性存储器,即传统认为,在存储器芯片断电后,其内部存储的信息也随之消失,重新上电后,所存储的信息是随机产生的。但事实上,SRAM存在着数据残留问题。室温下,一些SRAM芯片断电后其存储的信息能保留数分钟,... 详细信息

静态随机访问存储器(SRAM)为挥发性存储器,即传统认为,在存储器芯片断电后,其内部存储的信息也随之消失,重新上电后,所存储的信息是随机产生的。但事实上,SRAM存在着数据残留问题。室温下,一些SRAM芯片断电后其存储的信息能保留数分钟,再上电后可以将这些信息较为完整的重新读出。-30℃时,一些SRAM芯片的数据残留时间甚至长达105秒量级,这可以让攻击者不需要特殊的手段和电路就可以恢复并窃取SRAM中原来存储的信息。本文分析了六管SRAM数据残留的物理机理,并基于此设计了一个可有效抑制数据残留的存储单元。进而设计了验证所用的存储器整体电路,并对灵敏放大器和延时电路进行了重点设计。最后给出一个基于FPGA的实用的SRAM数据残留时间的测试方案,重点设计了测设所需要的控制程序,并对SRAM样片进行了实际测试。通过分析,发现非平衡载流子寿命、漏衬结反向电流、衬底掺杂浓度、温度以及工艺偏差均会影响SRAM数据残留时间。对所设计存储器整体电路在-40℃—120℃温度范围内和不同的工艺角下进行仿真,均得到了正确的读/写功能;并且所设计的存储单元的数据残留时间比传统六管单元缩短了3个数量级。改进的灵敏放大器在输入位线压差为4mV时便可得到正确的数据输出,优于传统锁存型灵敏放大器的25mV。所设计的延时电路的延迟时间范围可从纳秒级到微秒级,延时4ns时温漂为9.6ps/℃,满足为整体电路产生内部时钟的要求。最后利用所设计的数据残留时间测试系统对SRAM样片进行了实际测试,得到了样片的数据残留时间,从而证明了该测试系统设计的正确性和实用性。

关键词：静态随机访问存储器数据残留本征MOSFET 灵敏放大器延时电路数据残留时间测试系统

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大容量静态随机访问存储器的低功耗研究

大容量静态随机访问存储器的低功耗研究

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作者：朱婷电子科技大学

学位级别：硕士

近年来,半导体存储器应用领域不断扩展,移动通讯、移动多媒体及移动存储市场急剧扩大,半导体市场中存储器所占份额则呈平稳增长趋势。存储器家族庞大,静态随机访问存储器SRAM即是其中的一员。目前针对不同的应用市场,SRAM的产品技术也... 详细信息

近年来,半导体存储器应用领域不断扩展,移动通讯、移动多媒体及移动存储市场急剧扩大,半导体市场中存储器所占份额则呈平稳增长趋势。存储器家族庞大,静态随机访问存储器SRAM即是其中的一员。目前针对不同的应用市场,SRAM的产品技术也有了两个明确的发展方向,一个是向高性能通信网络所需的高速器件发展,另一个是向低功耗性能发展,以适应便携式设备以及SOC系统的需要。优化SRAM功耗,除了可以直接大幅地降低系统功耗,解决散热问题,延长电池的使用寿命,还可以显著降低成本,最重要的是能够节约能源,真正的做到“绿色科技”。本文的研究重点是大容量静态随机访问存储器的低功耗设计,并在此基础上设计一款1Mx8的SRAM。该存储器可以实现正确的读写功能,并且典型的平均功耗为1.59W,较改进前降低了约22%,其它设计参数也都达到了预期的目标。本文的研究思路如下：第一章概述论文的研究背景及意义,并介绍了低功耗SRAM的研究现状以及低功耗设计的重要意义。第二章主要介绍SRAM的基本知识以及低功耗设计相关理论,并从SRAM可靠性的角度引入了静态噪声容限的概念,最后介绍了目前几种比较流行的低功耗设计技术。第三章针对各个功能模块分别提出功耗优化的方法并给出具体电路的设计与实现,其中重点考虑整个SRAM系统译码部分的设计以及预充电路的选择。第四章则重点介绍了一种高速低功耗电流型灵敏放大器的设计方法,并分析它的工作过程,同时完成对灵敏放大器时序控制部分的优化,最后给出仿真结果。第五章给出了1kx8 SRAM的整体结构以及仿真结果,同时在此基础上搭建1Mx8 SRAM的电路,最后完成整体仿真。第六章在对论文内容进行总结的基础上,指出了SRAM电路设计中存在的一些不足之处,并对未来做一展望。

关键词：静态随机访问存储器低功耗设计译码电路灵敏放大器

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静态随机访问存储器及其控制方法

静态随机访问存储器及其控制方法

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作者：沃尔堪·库尔散朱虹焦海龙中国香港九龙

本申请公开了涉及数据存储领域的一种静态随机访问存储器及其控制方法。所述静态随机访问存储器包括至少一个静态随机访问存储器单元，所述静态随机访问存储器单元包括：反相器组，写位线访问开关，连接于反相器组的输出端口与读位线之... 详细信息

标准号: CN102467961A

本申请公开了涉及数据存储领域的一种静态随机访问存储器及其控制方法。所述静态随机访问存储器包括至少一个静态随机访问存储器单元，所述静态随机访问存储器单元包括：反相器组，写位线访问开关，连接于反相器组的输出端口与读位线之间的读位线访问开关，以及连接于读位线访问开关与地线或供电网络之间、用于控制其断开和连接的读操作开关。其中，反相器组输出端口的输出电压对读位线访问开关进行控制，以控制读位线与读操作开关的断开和连接。根据本申请的装置和方法，在数据存取过程中，数据稳定性得以提高，并且漏电功耗得以降低。

关键词：位线静态随机访问存储器访问开关反相器连接读操作数据存储领域数据存取过程数据稳定性供电网络进行控制漏电功耗输出电压地线

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静态随机访问存储器及其控制方法

静态随机访问存储器及其控制方法

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作者：沃尔堪·库尔散朱虹焦海龙中国香港九龙

标准号: CN102467961B

关键词：位线静态随机访问存储器访问开关反相器连接读操作数据存储领域数据存取过程数据稳定性供电网络进行控制漏电功耗输出电压地线

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静态随机访问存储器及电子设备

静态随机访问存储器及电子设备

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作者：李学清陈一鸣周沐风付裕深刘勇攀杨华中 100084 北京市海淀区清华园1号

标准号: CN113140245A

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读写辅助电路及静态随机访问存储器

读写辅助电路及静态随机访问存储器

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作者：乔树山赵鹏远尹佳璐赵慧冬 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本公开提供一种读写辅助电路及静态随机访问存储器，读写辅助电路包括：相互连接的第一晶体管和第三晶体管，相互连接的第二晶体管和第四晶体管；晶体管电容；以及第五晶体管；其中，第一晶体管和第三晶体管分别与晶体管电容的第一极板... 详细信息

标准号: CN116110459A

本公开提供一种读写辅助电路及静态随机访问存储器，读写辅助电路包括：相互连接的第一晶体管和第三晶体管，相互连接的第二晶体管和第四晶体管；晶体管电容；以及第五晶体管；其中，第一晶体管和第三晶体管分别与晶体管电容的第一极板相连接，第二晶体管和第四晶体管分别与晶体管电容的第二极板相连接；第一晶体管和第二晶体管分别与电源相连接；第三晶体管和第四晶体管分别与第五晶体管相连接；第一晶体管和第二晶体管不同时导通，以使得在第五晶体管关断时，电源对晶体管电容充电；以及在第五晶体管导通时，经过充电的晶体管电容抬高或拉低存储阵列的电压。

关键词：晶体管晶体管电容辅助电路读写极板充电电源静态随机访问存储器晶体管导通存储阵列导通关断抬高

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处理小芯片和静态随机访问存储器小芯片的三维集成

处理小芯片和静态随机访问存储器小芯片的三维集成

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作者：常润滋新加坡城

本公开的各实施例涉及处理小芯片和静态随机访问存储器(SRAM)小芯片的三维集成。一种电子器件，包括：(i)处理小芯片，其被配置为处理数据并且具有第一侧和第二侧、(ii)一个或多个第一静态随机访问存储器(SRAM)小芯片，其被设置在处理... 详细信息

标准号: CN115411016A

本公开的各实施例涉及处理小芯片和静态随机访问存储器(SRAM)小芯片的三维集成。一种电子器件，包括：(i)处理小芯片，其被配置为处理数据并且具有第一侧和第二侧、(ii)一个或多个第一静态随机访问存储器(SRAM)小芯片，其被设置在处理小芯片的第一侧上并且被配置为存储数据的第一部分、(iii)一个或多个第二SRAM小芯片，其被设置在处理小芯片的第二侧上并且被配置为存储数据的第二部分、(iv)一个或多个第一电端子，其被设置在处理小芯片的第一侧上并且被配置为电连接在处理小芯片的第一侧和第一SRAM小芯片之间、以及(v)一个或多个第二电端子，其被设置在处理小芯片的第二侧上并且被配置为电连接在处理小芯片的第二侧和第二SRAM小芯片之间。

关键词：小芯片配置静态随机访问存储器存储数据电端子电连接处理数据电子器件三维集成

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