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  • 1 篇 高介电常数隧穿介...
  • 1 篇 纳米晶
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  • 1 篇 中国科学院微电子...
  • 1 篇 安徽大学

作者

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  • 1 篇 liu ming
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语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=高介电常数隧穿介质"
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纳米晶浮栅存储器的模拟、制备和电学特性
收藏 引用
微纳电子技术 2009年 第2期46卷 70-74,90页
作者: 郭婷婷 刘明 管伟华 胡媛 李志刚 龙世兵 陈军宁 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室 北京100029 安徽大学电子科学与技术学院 合肥230039
介绍了在纳米晶浮栅存储器数据保持特性方面的研究工作,重点介绍了纳米晶材料的选择与制备和遂穿介质层工程。研究证明,金属纳米晶浮栅存储器比半导体纳米晶浮栅存储器具有更好的电荷保持特性。并且金属纳米晶制备方法简单,通过电子束... 详细信息
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