检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2013年第8期25卷 2061-2066页

作者：李勇宣春谢海燕夏洪富王建国西北核技术研究所西安710024 西安交通大学电子信息学院西安710049

采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下pin二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了pin管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明:过冲电流与高频下pin二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时... 详细信息

采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下pin二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了pin管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明:过冲电流与高频下pin二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时间有关,上升沿时间越短,峰值越大;pin管的掺杂也会对过冲电流产生影响,P层、N层的掺杂浓度越高,过冲电流的峰值越大,过冲电流的波形下降越快;I层掺杂浓度对过冲电流也有一定影响,但并不显著。

关键词：电磁脉冲 pin二极管过冲电流限幅器

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基于pin二极管的可开关宽带极化转换超表面

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中国激光 2022年第3期49卷 28-36页

作者：李达民王佳云苏晓强董丽娟陈新伟张文梅杨荣草山西大学物理电子工程学院山西太原030006 山西大同大学微结构电磁功能材料省市共建山西省重点实验室山西大同037009

为了在宽频内实现可开关的高效率线极化转换,设计了一个嵌入pin二极管的十字架型极化转换超表面。仿真结果显示,当pin二极管处于导通状态时,在4.03~7.71 GHz范围内,该超表面的极化转换率超过90%,相对带宽为62.7%;当pin二极管处于截止状... 详细信息

为了在宽频内实现可开关的高效率线极化转换,设计了一个嵌入pin二极管的十字架型极化转换超表面。仿真结果显示,当pin二极管处于导通状态时,在4.03~7.71 GHz范围内,该超表面的极化转换率超过90%,相对带宽为62.7%;当pin二极管处于截止状态时,该超表面在工作频段相当于反射板。通过理论分析和表面电流分布解释了极化转换机理。最后,对所制作样品的实验测量进一步证实了该超表面可开关的极化转换效果。所设计的超表面有望应用于电磁兼容和极化探测等领域。

关键词：材料超表面可开关极化转换 pin二极管宽带

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采用pin二极管反馈的射频可变增益放大器

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电子学报 2016年第1期44卷 206-210页

作者：张良浩谢红云赵彦晓张万荣江之韵刘硕北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124

射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈... 详细信息

射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈支路中pin二极管的正向偏压来实现.基于带有pin二极管反馈的可变增益放大器的高频小信号等效电路,本文详细分析了增益可控机制,设计并制作完成了1.8GHz的可变增益放大器.测试结果表明在频率为1.8GHz时,控制电压从0.6V到3.0V的变化范围内,增益可调范围达到15d B;噪声系数低于5.5d B,最小噪声系数达到2.6d B.整个控制电压变化范围内输入输出匹配均保持良好,线性度也在可接受范围内.

关键词：可变增益放大器 pin二极管小信号等效电路锗硅异质结双极晶体管射频

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GaAs pin二极管电热特性

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强激光与粒子束 2014年第6期26卷 276-279页

作者：戚玉佳李永东周家乐王洪广李平刘纯亮电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学) 西安710049 西北核技术研究所西安710024

通过T-CAD软件建立了pin二极管的电学模型和热学模型,模拟了pin二极管的稳态与瞬态特性。研究了pin二极管器件在正反偏压和脉冲电压下的电学特性及热学特性,讨论了pin二极管的I层厚度与温度的关系,模拟得到了不同I层厚度的稳态与瞬态响... 详细信息

通过T-CAD软件建立了pin二极管的电学模型和热学模型,模拟了pin二极管的稳态与瞬态特性。研究了pin二极管器件在正反偏压和脉冲电压下的电学特性及热学特性,讨论了pin二极管的I层厚度与温度的关系,模拟得到了不同I层厚度的稳态与瞬态响应曲线、得到了与器件内部温度的关系。模拟结果表明:随着I层厚度的增加,器件内部最高温度增长减慢,器件内部最高温度区由结区位置向器件的中间位置移动。

关键词： pin二极管电热特性脉冲电压

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基于pin二极管的快上升沿电磁脉冲防护模块设计与研究

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兵工学报 2018年第10期39卷 2066-2072页

作者：李亚南谭志良陆军工程大学石家庄校区静电与电磁防护研究所河北石家庄050003

为了研究pin二极管对快上升沿电磁脉冲的响应,基于pin二极管时域等效电路模型,仿真研究了pin二极管电路在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态电压特性。以集总参数巴特沃斯低通滤波器电路为原型,通过拟合二极管寄生参数值,结合键合金丝电感参... 详细信息

为了研究pin二极管对快上升沿电磁脉冲的响应,基于pin二极管时域等效电路模型,仿真研究了pin二极管电路在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态电压特性。以集总参数巴特沃斯低通滤波器电路为原型,通过拟合二极管寄生参数值,结合键合金丝电感参数,设计了一款基于pin二极管的快上升沿电磁脉冲防护电路模块,并对防护电路模块的快上升沿电磁脉冲防护性能进行了测试。结果表明:在1～250 MHz短波、超短波频段内,防护模块的插损小于0. 38 d B;当输入方波脉冲为4 000 V时,限幅响应时间小于2 ns,输出电平小于30 V,满足快上升沿电磁脉冲的防护要求。

关键词：快上升沿电磁脉冲 pin二极管尖峰泄漏防护模块

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一种基于集总电荷的大功率pin二极管改进电路模型

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电工技术学报 2019年第3期34卷 506-515页

作者：李鑫罗毅飞段耀强刘宾礼黄永乐海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室武汉430033 华中科技大学电气与电子工程学院武汉430074

提出了一种基于集总电荷建模方法的大功率pin二极管改进电路模型。传统的集总电荷模型使用有效载流子寿命模型,未考虑载流子寿命和基区电荷浓度之间的关系,导致模型的仿真精度偏低。该文在研究传统pin二极管集总电荷模型的基础上,首先... 详细信息

提出了一种基于集总电荷建模方法的大功率pin二极管改进电路模型。传统的集总电荷模型使用有效载流子寿命模型,未考虑载流子寿命和基区电荷浓度之间的关系,导致模型的仿真精度偏低。该文在研究传统pin二极管集总电荷模型的基础上,首先分析了二极管基区载流子寿命随注入浓度和温度的变化规律,并提出了载流子寿命随浓度和温度变化的集总电荷模型。然后,基于提出的载流子寿命模型建立了改进的pin二极管集总电荷电路模型,并加入模型物理参数的温度函数,实现了模型对不同温度下pin二极管通态和瞬态特性的表征,并在PSPICE仿真平台中实现了该模型。最后,用1 700 V/1 000 A IGBT模块中反并联续流二极管对模型进行了实验,仿真和实验结果对比验证了该模型的准确性。

关键词： pin二极管集总电荷模型温度特性过剩载流子寿命

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温度对pin二极管限幅器功率响应特性的影响

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强激光与粒子束 2008年第4期20卷 645-648页

作者：王波黄卡玛四川大学电子信息学院成都610064

通过求解pin二极管基区双极载流子扩散方程得到了限幅器Pspice等效电路模型,根据pin二极管物理参数与温度的关系,数值计算得到了pin二极管限幅器在多个温度点的功率响应特性,发现温度的升高会使限幅器内部损耗增加,加剧限幅器内部热损... 详细信息

通过求解pin二极管基区双极载流子扩散方程得到了限幅器Pspice等效电路模型,根据pin二极管物理参数与温度的关系,数值计算得到了pin二极管限幅器在多个温度点的功率响应特性,发现温度的升高会使限幅器内部损耗增加,加剧限幅器内部热损伤。并利用恒温控制系统进行了实验验证,实验结果与数值计算结果相符合。实验还发现高温热冲击可能使限幅器限幅能力大幅下降,可能成为通信系统的重大安全隐患。

关键词： pin二极管微波限幅器功率响应特性温度

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微波pin二极管倍频器研究

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固体电子学研究与进展 2007年第4期27卷 498-502页

作者：张永鸿唐小宏樊勇吴正德电子科技大学电子工程学院成都610054

用理想的开关模型对反向并联pin二极管对的输出频谱和倍频损耗进行分析,与混频二极管倍频器和变容二极管倍频器进行了比较,分析了pin二极管的倍频机理。对微波pin二极管倍频器进行了实验研究,得出了有益的结论。研制的S波段和C波段五倍... 详细信息

用理想的开关模型对反向并联pin二极管对的输出频谱和倍频损耗进行分析,与混频二极管倍频器和变容二极管倍频器进行了比较,分析了pin二极管的倍频机理。对微波pin二极管倍频器进行了实验研究,得出了有益的结论。研制的S波段和C波段五倍频器倍频损耗分别达到15.4 dB和10.6 dB,而S波段的倍频源相位噪声达到—136 dBc/Hz@10 kHz,具有低噪声性能。

关键词： pin二极管倍频器微波相位噪声

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非晶硅pin二极管的1MeV电子幅照效应

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电子学报 2001年第8期29卷 1076-1078页

作者：李柳青廖显伯游志朴北京印刷学院基础部北京102600 中科院半导体所北京100083 四川联合大学物理系四川成都610064

本文报道a Si∶H本征膜及pin二极管的 1MeV1 4× 10 15,4 2× 10 15,8 4× 10 15/cm2 电子幅照实验结果和退火行为 .测量了电子辐照对a Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响 ,以及a Si∶Hpin二极管光伏特性和光谱响应随电子... 详细信息

本文报道a Si∶H本征膜及pin二极管的 1MeV1 4× 10 15,4 2× 10 15,8 4× 10 15/cm2 电子幅照实验结果和退火行为 .测量了电子辐照对a Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响 ,以及a Si∶Hpin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化 .发现电子辐照在a Si∶H本征膜和二极管中引起严重的损伤 ,和二极管光谱响应的峰值“红移” .但未见饱和现象 ,还观测到明显的室温恢复现象 ;但高温退火处理后未能完全恢复 .本文对以上实验结果给出了合理的解释 .

关键词： pin二极管电子辐照效应非晶硅

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pin二极管的一种改进型PSpice模型

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电工技术学报 2011年第S1期26卷 172-176页

作者：李方正徐勤富赖建军李光升装甲兵工程学院控制工程系中国人民解放军72690部队

针对物理模型建模困难、宏模型精度不高的问题,提出了pin二极管的一种混合PSpice模型,通过正向恢复电流模型、反向恢复电流模型和以变电阻表示的电荷存储区模型的共同作用,反映pin二极管的动态特性。该模型综合了物理模型的通用性好和... 详细信息

针对物理模型建模困难、宏模型精度不高的问题,提出了pin二极管的一种混合PSpice模型,通过正向恢复电流模型、反向恢复电流模型和以变电阻表示的电荷存储区模型的共同作用,反映pin二极管的动态特性。该模型综合了物理模型的通用性好和宏模型简单灵活的优点,仿真和实验验证了该模型的合理性和准确性。

关键词： pin二极管 PSpice模型正向恢复反向恢复

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