检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2010年第9期35卷 871-873页

作者：杨海东李世国陈朋高山徐承福龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高... 详细信息

利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高宽为108 meV。通过化学湿法腐蚀制备双沟道8μm宽脊条激光器,在20℃连续波工作模式下,腔长为0.7 mm的激光器的阈值电流为143 mA(2.5 kA/cm2),器件的激射中心波长在1.55μm。由于量子点尺寸的非均匀性,在大电流注入,激光器的激射谱展宽。器件单端面最大输出功率为27 mW,功率斜率效率为130 mW/A。

关键词：激光器自组织量子点光谱气源分子束外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

反转胶lift-Off工艺制备堆栈电感

引用

功能材料与器件学报 2010年第2期16卷 109-113页

作者：何大伟程新红王中健徐大朋宋朝瑞俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文采用反转胶lift-off工艺,对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响,制备出最小线宽4μm,最小间距4μm,厚度为1μm,线宽误差小于0.5μm的金属线条,并最终实现具有三层金属的堆栈电感,经光学显微... 详细信息

本文采用反转胶lift-off工艺,对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响,制备出最小线宽4μm,最小间距4μm,厚度为1μm,线宽误差小于0.5μm的金属线条,并最终实现具有三层金属的堆栈电感,经光学显微镜和台阶仪观测表明,器件外观良好成品率高。

关键词：堆栈电感 lift—off 金属剥离反转胶 SOI

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

采用金-金键合工艺制备垂直结构氮化镓发光二极管(英文)

引用

功能材料与器件学报 2010年第3期16卷 276-280页

作者：欧欣陈静武爱民孙家胤信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金,金-硅,铝-铝,铝-硅键合对。研究发现金-金键合对得到了100%的键合面积。键合工艺结束后,采用KrF激光分离氮化镓发光二极管的器件层和原蓝宝石衬底。... 详细信息

本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金,金-硅,铝-铝,铝-硅键合对。研究发现金-金键合对得到了100%的键合面积。键合工艺结束后,采用KrF激光分离氮化镓发光二极管的器件层和原蓝宝石衬底。通过超声波造影仪(SAM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了金属键合工艺过程中相应的键合机制。

关键词：晶圆键合氮化镓发光二极管剥离

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较

引用

功能材料与器件学报 2010年第3期16卷 271-275页

作者：毕大炜张正选张帅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代... 详细信息

本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估。

关键词： SIMOX SOI 总剂量辐射效应 Pseudo—MOS晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高温DC SQUID探针显微镜在半导体样品检测中的应用

引用

低温与超导 2010年第11期38卷 13-16,20页

作者：孔祥燕中谷悦起系崎秀夫中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 大阪大学基础工学研究科

扫描SQUID探针显微镜成像技术在半导体样品检测中得到了广泛应用。利用有限元分析方法对作为fluxguide的探针结构和SQUID的尺寸等参数对于系统空间分辨率和检测灵敏度的影响进行了仿真分析,并研究了探针周围的屏蔽效果。利用建立的SQUI... 详细信息

扫描SQUID探针显微镜成像技术在半导体样品检测中得到了广泛应用。利用有限元分析方法对作为fluxguide的探针结构和SQUID的尺寸等参数对于系统空间分辨率和检测灵敏度的影响进行了仿真分析,并研究了探针周围的屏蔽效果。利用建立的SQUID探针显微镜系统成功检测到太阳能电池中多晶硅的细微结构,并通过检测互相垂直的两个方向的磁场,对太阳能电池中光致电流矢量分布进行了反演重构。

关键词： SQUID 探针显微镜有限元分析 Fluxguide 半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响

引用

功能材料与器件学报 2010年第3期16卷 206-210页

作者：汪海波俞沁聪刘卫丽宋志棠张楷亮中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低... 详细信息

系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低后升高。研究分析认为:pH值因影响在蓝宝石表面形成的水化层从而影响抛光速率和粗糙度;与抛光压力和相对转速相关的Hersey系数对抛光效果影响很大,当Hersey系数为24时,蓝宝石的抛光速率和表面平整度均达到最佳。

关键词：蓝宝石化学机械抛光(CMP) 二氧化硅 pH值 Heresy系数

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展

引用

功能材料与器件学报 2010年第5期16卷 407-412页

作者：刘张李邹世昌张正选毕大炜胡志远俞文杰陈明王茹中国科学院上海微系统与信息技术研究所/信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可... 详细信息

综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制。最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力。

关键词：控制电路存储单元单粒子效应电荷损失

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究

引用

科学通报 2010年第19期55卷 1963-1967页

作者：魏星薛忠营武爱民王湘李显元叶斐陈杰陈猛张波林成鲁张苗王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新傲科技股份有限公司上海201821

研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第二步注入剂量为3×1015cm-2的改进型两步氧离子注入工艺,用于制备高质量的SIMOX材料.与单步氧离... 详细信息

研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第二步注入剂量为3×1015cm-2的改进型两步氧离子注入工艺,用于制备高质量的SIMOX材料.与单步氧离子注入工艺的剂量窗口相比,注入剂量减少了18.2%.采用椭圆偏振测试仪测量了所制备样品的埋氧层厚度及均匀性.通过透射电子显微镜观察到无缺陷的顶层硅以及原子级陡峭的顶层硅/埋氧层界面,表明两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料具有高的顶层硅晶体质量和剖面结构.采用原子力显微镜对比研究了单步和两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料顶层硅/埋氧层界面形貌.

关键词：绝缘体上的硅界面形貌剂量窗口注氧隔离

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征

引用

功能材料与器件学报 2010年第1期16卷 47-51页

作者：张帅张正选毕大炜陈明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX... 详细信息

介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低。Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质。

关键词： SOI SIMOX Pseudo—MOSFET 隐埋氧化层

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

相变存储器中选通二极管的模型与优化

引用

功能材料与器件学报 2010年第6期16卷 536-541页

作者：李宜瑾凌云宋志棠贾晓玲罗胜钦同济大学电子与信息工程学院上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向... 详细信息

设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V。文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流。

关键词：相变存储器选通二极管数值模拟

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：