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检索条件"机构=上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
1108 条 记 录,以下是911-920 订阅
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射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光
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发光学报 2006年 第6期27卷 971-975页
作者: 隋妍萍 于广辉 孟胜 雷本亮 王笑龙 王新中 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的... 详细信息
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Monte Carlo Simulation of Impurity Scattering Effect in Resonant-Phonon-Assisted Terahertz Quantum-Cascade Lasers
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Journal of Semiconductors 2006年 第2期27卷 304-308页
作者: 曹俊诚 吕京涛 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
We study the influence of ionized impurity scattering on the electron transport in resonant-phonon-assisted terahertz (THz) quantum-cascade lasers (QCLs). We treat the ionized impurity scattering rates within the ... 详细信息
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应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究
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Journal of Semiconductors 2006年 第z1期27卷 407-410页
作者: 刘玉菲 刘文平 李四华 吴亚明 罗乐 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 微系统技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过500kPa He气保压2h,BCB... 详细信息
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基于摄动法的微机械陀螺随机性能的统计分析
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上海交通大学学报 2006年 第11期40卷 1918-1923页
作者: 姜涛 王安麟 刘广军 张颖 焦继伟 同济大学机械工程学院 上海200092 上海交通大学机械与动力工程学院 上海200240 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
以一种通过体微机械加工技术制备的音叉振动式微机械陀螺为对象,基于随机摄动技术定量计算了微陀螺固有频率变异和检测输出电容变异的统计特征,以概率思想表达了微陀螺批量加工过程带来的材料/尺寸随机误差对其性能的影响.通过提出... 详细信息
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基于子结构模型的音叉振动式微机械陀螺的检测电容解析方法
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机械工程学报 2006年 第9期42卷 97-102页
作者: 刘广军 王安麟 姜涛 焦继伟 张正福 上海交通大学机械与动力工程学院 上海200030 同济大学机械工程学院 上海200092 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
为建立加工缺陷对微机械陀螺性能影响的机理性模型,解决高精度微机械结构优化设计的计算时间问题,以微机械加工技术制备的音叉振动式微机械陀螺为研究对象,利用多自由度动态有限元解析理论,提出基于子结构模型的检测电容解析法,实现微... 详细信息
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一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术
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传感技术学报 2006年 第5A期19卷 1462-1465页
作者: 史明甫 焦继伟 包晓清 冯飞 杨恒 李铁 王跃林 中国科学院研究生院 上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室
研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道... 详细信息
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硅晶片双面超精密化学机械抛光
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Journal of Semiconductors 2006年 第z1期27卷 396-399页
作者: 张楷亮 宋志棠 钟旻 郑鸣捷 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 纳米技术研究室信息功能材料国家重点实验室上海200050
为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶... 详细信息
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纳米孔氮化镓材料的制备和研究
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功能材料与器件学报 2006年 第4期12卷 255-258页
作者: 王笑龙 于广辉 雷本亮 隋妍萍 孟胜 齐鸣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺。用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料。孔的大小和孔间距可以通过改变阳极... 详细信息
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采用阳极氧化铝做掩膜生长氮化镓膜
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功能材料与器件学报 2006年 第6期12卷 509-512页
作者: 雷本亮 于广辉 孟胜 齐鸣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜。采用扫描电镜观察了氮化镓膜的界面性质并用阴极发光谱表征了截面上氮化镓层在不同位置的的发光性质,发现随着厚度的增加,其发光特性得到改善,而且由于... 详细信息
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带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析
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Journal of Semiconductors 2006年 第8期27卷 1431-1435页
作者: 孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 苏树兵 刘新宇 刘训春 钱鹤 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院微电子研究所 北京100029
设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs... 详细信息
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