检索结果-内蒙古大学图书馆

微细加工技术 2006年第5期 47-50,54页

作者：董璐方华斌刘景全徐东徐峥谊蔡炳初上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 Honeywell公司上海传感器实验室上海200030

介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明... 详细信息

介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明,在SF6流量为20 mL/min,射频功率为20 W,工作气压为8.00 Pa的工艺条件下,硅刻蚀速率可以提高到401 nm/min,75 mm(3 in.)基片范围内的均匀性为±3.85%,硅和光刻胶的刻蚀选择比达到7.80。为制备压电悬臂梁或其它含功能薄膜的微结构提供了良好的参考。

关键词：压电型微悬臂梁反应离子刻蚀刻蚀速度均匀性选择比

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LB技术制备金纳米粒子单层膜

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微纳电子技术 2006年第2期43卷 85-88+106页

作者：曲鹏王英张亚非上海200030 上海交通大学DNA计算机交叉团队上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室

利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m～26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结... 详细信息

利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m～26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结果对于采用金纳米粒子单层膜构建DNA传感器和单电子器件方面具有重要的应用价值。

关键词：金纳米粒子 LB技术扫描电子显微镜原子力显微镜

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一种用于测试坡莫合金薄膜机械性能的拉伸模型

一种用于测试坡莫合金薄膜机械性能的拉伸模型

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：李雪萍丁桂甫安藤妙子式田光宏佐藤一雄上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 名古屋大学微纳系统工程系名古屋日本上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 名古屋大学微纳系统工程系名古屋日本

坡莫合金(Ni80Fe20)薄膜是微机电系统常用的磁性材料之一.本文介绍了一种用于测试其机械性能的单轴拉伸试验模型.此模型的特点是微小试件两端固定、且与加载机构集成在基片上,从而可减少操作工作量、提高对准精度.整个机构以微细加工方... 详细信息

坡莫合金(Ni80Fe20)薄膜是微机电系统常用的磁性材料之一.本文介绍了一种用于测试其机械性能的单轴拉伸试验模型.此模型的特点是微小试件两端固定、且与加载机构集成在基片上,从而可减少操作工作量、提高对准精度.整个机构以微细加工方法制成:坡莫合金拉伸试件以光刻和电镀技术成型,其余的加载机构以湿法蚀刻制成.实验表明:使用此机构可以简单且高精度地对薄膜试件进行拉伸试验,获得多项力学性能参数,从而为MEMS器件设计和分析提供可靠的理论基础.

关键词：微机电系统机械性能坡莫合金拉伸试验磁性材料

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掺杂Si的Ge2Sb2Te5相变薄膜的性能研究

掺杂Si的Ge2Sb2Te5相变薄膜的性能研究

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第三届上海纳米科技与产业发展研讨会

作者：乔保卫冯洁赖云锋凌云林殷茵汤庭鳌蔡炳初陈邦明上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室上海 200433 Silicon Storage Technology Inc．1171 Sonora CourtSunnyvaleCA94086USA

采用共溅射Ge2Sb2Te5合金靶和si靶的方法制备了掺杂Si的Ge2Sb2Te5薄膜。掺杂Si提高了Ge2Sb2Te5薄膜的晶化温度和从面心立方晶相向六方晶相转变的温度。掺杂Si可显著提高薄膜的晶态电阻率。当Si掺杂浓度为11.8at.％时,460℃退火后薄膜的... 详细信息

采用共溅射Ge2Sb2Te5合金靶和si靶的方法制备了掺杂Si的Ge2Sb2Te5薄膜。掺杂Si提高了Ge2Sb2Te5薄膜的晶化温度和从面心立方晶相向六方晶相转变的温度。掺杂Si可显著提高薄膜的晶态电阻率。当Si掺杂浓度为11.8at.％时,460℃退火后薄膜的晶态电阻率从1增加到11mΩ.cm。I-y特性显示,掺杂Si增加了器件的动态电阻,这有利于降低相变存储器的写电流。

关键词：晶态电阻率相变存储器相变薄膜薄膜性能晶化温度晶相转变

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位错型微机械可变光衰减器的研究

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光学学报 2005年第5期25卷 717-718页

作者：谢晓强戴旭涵赵小林丁桂甫蔡炳初上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

介绍了一种基于微机械技术实现的可变光衰减器,通过微电磁驱动器改变输入输出光纤之间的径向偏移量来调整衰减量。基于波导传输理论分析确定了器件的结构参量,并通过集成电路微细加工工艺实现了器件的制作和封装。测试结果表明,该可变... 详细信息

介绍了一种基于微机械技术实现的可变光衰减器,通过微电磁驱动器改变输入输出光纤之间的径向偏移量来调整衰减量。基于波导传输理论分析确定了器件的结构参量,并通过集成电路微细加工工艺实现了器件的制作和封装。测试结果表明,该可变光衰减器的插入损耗小于1dB,动态范围约35dB,工作电压小于5V,偏振相关损耗小于0.1dB,体积为20mm×15mm×8mm,有望为全光网提供一种低成本,高性能的光通信器件。

关键词：光学器件全光网可变光衰减器微机械电磁驱动

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碳纳米管构筑多沟道场效应晶体管

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中国科学（E辑） 2005年第11期35卷 1156-1165页

作者：陈长鑫张亚非上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

利用功能分子对碳纳米管表面进行了修饰改性,结合交变电场操纵排布的方法在金属电极之间定向排布单壁碳纳米管(SWNTs),实现了多条SWNTs并联于场效应晶体管的源漏电极之间,构成场效应晶体管的多条导电沟道.该方法避免了SWNTs间的缠绕,基... 详细信息

利用功能分子对碳纳米管表面进行了修饰改性,结合交变电场操纵排布的方法在金属电极之间定向排布单壁碳纳米管(SWNTs),实现了多条SWNTs并联于场效应晶体管的源漏电极之间,构成场效应晶体管的多条导电沟道.该方法避免了SWNTs间的缠绕,基本上可使SWNTs在源漏电极之间相互分开和平行排列.实验结果表明,在高挥发性的有机溶剂中排布可减少源漏电极周围的残留物,起到提纯SWNTs原料的作用.

关键词：多沟道碳纳米管场效应晶体管定向排布跨导

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基于GPRS的远程气体环境监测系统

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传感器技术 2005年第11期24卷 86-88页

作者：何志斌惠春徐爱兰上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

为提高气体环境监测的可靠性和实时性,介绍了一种基于通用无线分组业务(GPRS)的远程气体环境参数监测系统。它由传感器模块、89C51为核心的信号处理模块以及GPRS模块组成。分析及试验结果表明:该系统的年发送成功率达到99.6%,相对误差小... 详细信息

为提高气体环境监测的可靠性和实时性,介绍了一种基于通用无线分组业务(GPRS)的远程气体环境参数监测系统。它由传感器模块、89C51为核心的信号处理模块以及GPRS模块组成。分析及试验结果表明:该系统的年发送成功率达到99.6%,相对误差小于2%。

关键词：气体环境监测系统通用无线分组业务气体传感器信号处理

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应用于音频放大器的多位Σ-Δ调制器的设计

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微型机与应用 2005年第9期24卷 24-26页

作者：张冲王森章王振林上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

为在低过采样率下设计出高性能的调制器,通过采用级间反馈和1位AD/DAC与多位AD/DAC的混合设计,降低多位DAC非线性化而带来的噪声,进一步改善输出信号的信噪比。提出了一种应用于数字音频放大器中的多位Σ-Δ调制器结构。

关键词： ∑-△调制器数模转换器信噪比过采样率数字音频放大器混合设计应用 DAC 非线性化输出信号

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曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究

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功能材料与器件学报 2005年第4期11卷 419-422页

作者：陈吉安茅昕辉赵晓昱丁文曹莹周勇上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 上海工程技术大学汽车工程学院上海200336

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm... 详细信息

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.

关键词：应力阻抗 FeSiB/Cu/FeSiB三层膜磁控溅射曲折状

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静电悬浮转子微陀螺及其关键技术

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中国惯性技术学报 2005年第6期13卷 61-67页

作者：崔峰苏宇锋张卫平吴校生陈文元赵小林上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家重点实验室上海200030

静电悬浮转子微陀螺具有比振动式微陀螺精度高的潜在优点,并可同时测量二轴角速度和三轴线加速度。介绍了静电悬浮转子微陀螺的研究现状。对该静电悬浮转子微陀螺/加速度计的工作原理、特点进行了分析,并对实现高精度静电悬浮转子微陀螺... 详细信息

静电悬浮转子微陀螺具有比振动式微陀螺精度高的潜在优点,并可同时测量二轴角速度和三轴线加速度。介绍了静电悬浮转子微陀螺的研究现状。对该静电悬浮转子微陀螺/加速度计的工作原理、特点进行了分析,并对实现高精度静电悬浮转子微陀螺/加速度计的关键技术如静电稳定悬浮、微位移检测控制、静电恒速旋转驱动、微机械加工和真空封装技术等进行了探讨。指出这一新颖MEMS陀螺是高精度多轴集成微惯性传感器技术发展的一个重要方向,具有广阔的应用前景和较大的发展潜力。

关键词：微机电系统微陀螺微加速度计转子静电悬浮

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