检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2011年第6期36卷 446-450页

作者：廖启宏吴雨欣林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

相对于现在流行的FLASH型存储器,新型阻变存储器(resistive-RAM,RRAM)有很多优势,比如较高的存储密度和较快的读写速度。而针对RRAM的读写操作特性,提出了一种适用于新型阻变存储器的提供操作电压的电路。该方案解决了新型存储器需要外... 详细信息

相对于现在流行的FLASH型存储器,新型阻变存储器(resistive-RAM,RRAM)有很多优势,比如较高的存储密度和较快的读写速度。而针对RRAM的读写操作特性,提出了一种适用于新型阻变存储器的提供操作电压的电路。该方案解决了新型存储器需要外部提供高于电源电压的操作电压的问题,使得阻变存储器能应用于嵌入式设备。同时,对工艺波动和温度波动进行补偿,从而降低了阻变存储器的读写操作在较差的工艺和温度环境下的失败概率,具有很强的实际应用意义。该设计采用0.13μm标准CMOS 6层金属工艺在中芯国际(SMIC)流片实现,测试结果表明,采用此电路的RRAM能正确地进行数据编程和擦除等操作,测试结果达到设计要求。

关键词：阻变存储器电荷泵压控振荡器工艺角温度

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一种交错并行隐式刷新增益单元eDRAM设计

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半导体技术 2011年第6期36卷 466-469,486页

作者：孟超严冰林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一种与逻辑工艺兼容的64 kb高速高密度嵌入式增益单元动态随机存储器(eDRAM)。该存储器单元通过结构和版图的优化,典型尺寸为同代SRAM的40%。高低阈值管的引入分别改善了单元的读取速度和数据保持时间。同时交错并行隐式刷新机制... 详细信息

设计了一种与逻辑工艺兼容的64 kb高速高密度嵌入式增益单元动态随机存储器(eDRAM)。该存储器单元通过结构和版图的优化,典型尺寸为同代SRAM的40%。高低阈值管的引入分别改善了单元的读取速度和数据保持时间。同时交错并行隐式刷新机制利用增益存储单元读、写端口独立的结构和操作特性,配以合适的时序和仲裁机制,使得在无额外通信信号和握手接口下,实现刷新与访问互不影响,数据访问率达到100%。相比其他隐式刷新技术,该技术不需要过大的外围开销即可完成访问带宽加倍。芯片用SMIC 0.13μm CMOS工艺实现,大小为1.35 mm×1.35 mm。

关键词：嵌入式增益单元动态随机存储器交错并行隐式刷新数据访问率

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基于0.13m标准逻辑工艺的1Mb阻变存储器设计与实现

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 174-179页

作者：金钢吴雨欣张佶黄晓辉吴金刚林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 中芯国际集成电路制造有限公司存储器研发中心上海201203

采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧... 详细信息

采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧凑的斜坡脉冲写驱动以及可验证的读取参考系统。芯片实现了22F2的存储单元特征尺寸,小于30μA的reset电流和2个数量级的可擦写次数的提高。

关键词：阻变存储器 1T1R 斜坡脉冲写驱动多电压字线驱动读取参考系统

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家用微波人物传感器的应用研究及芯片模块设计

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复旦学报（自然科学版） 2011年第4期50卷 430-434,442页

作者：黄雄川纪新明黄宜平复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

对人或物体的存在和位置的探测是未来家居控制系统的必要环节.通过感知居民在室内的活动,家庭控制系统可以自动调节照明,空调,以及其他电器的运行状态,使家庭环境变得更人性化,并减少能源的浪费.选择多普勒雷达系统为出发点,探索了将人... 详细信息

对人或物体的存在和位置的探测是未来家居控制系统的必要环节.通过感知居民在室内的活动,家庭控制系统可以自动调节照明,空调,以及其他电器的运行状态,使家庭环境变得更人性化,并减少能源的浪费.选择多普勒雷达系统为出发点,探索了将人物探测功能集成在超大规模集成电路芯片上的可能性;并设计了基于BiCMOS工艺的60 GHz雷达接收机前端电路芯片,证明了微型低成本室内雷达传感器的可行性.与现有的超声波以及红外传感器相比,室内雷达传感器具有准确度高,传感器体积小,以及适合与传感器信号处理以及通信电路集成在同一块芯片上等优点,是今后室内任务探测器的发展方向之一.

关键词：微波传感器雷达室内人物探测无线电接收机

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应用于FPGA芯片时钟管理的锁相环设计实现

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复旦学报（自然科学版） 2011年第4期50卷 470-476页

作者：宋佳来金梅王元郑国祥曾韡复旦大学材料科学系上海200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一种嵌入于FPGA芯片的锁相环,实现了四相位时钟、倍频、半整数可编程分频、可调节相位输出功能,满足对于FPGA芯片时钟管理的要求.锁相环采用了自偏置结构,拓展了锁相环的工作范围,缩短了锁定时间,其阻尼系数以及环路带宽和工作频... 详细信息

设计了一种嵌入于FPGA芯片的锁相环,实现了四相位时钟、倍频、半整数可编程分频、可调节相位输出功能,满足对于FPGA芯片时钟管理的要求.锁相环采用了自偏置结构,拓展了锁相环的工作范围,缩短了锁定时间,其阻尼系数以及环路带宽和工作频率的比值都仅由电容的比值决定,有效地减小了工艺、电压、温度等对电路的影响.锁相环采用0.18μm CMOS数字工艺,嵌入复旦大学自主研发的FPGA芯片FDP-Ⅱ,经过流片验证,实现了工作频率范围10~600 MHz,整体电路功耗仅为29 mW,锁定时间小于4μs,峰峰值抖动小于±145 ps.

关键词：现场可编程门阵列自偏置技术锁相环时钟管理

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一种固定关断时间控制模式的升压变换器

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 286-291页

作者：程林倪金华洪志良刘洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 亚德诺半导体技术(上海)有限公司上海200021

采用0.5μm 40 V BCD工艺,实现了一款基于固定关断时间控制模式的升压型直流-直流转换器。采取了输出电压双路反馈的方式,既提高了瞬态响应速度,也简化了补偿网络的设计。同时提出了一种新型的频率控制电路,克服了固定关断时间控制模式... 详细信息

采用0.5μm 40 V BCD工艺,实现了一款基于固定关断时间控制模式的升压型直流-直流转换器。采取了输出电压双路反馈的方式,既提高了瞬态响应速度,也简化了补偿网络的设计。同时提出了一种新型的频率控制电路,克服了固定关断时间控制模式开关频率不固定的缺点。测试结果表明,当芯片输入电压为5 V,输出电压为15 V时,峰值效率达到了89.7%,最大输出电流达到500 mA。在300mA的负载跳变下,过冲或欠压小于140 mV,响应时间小于82μs。开关频率变化在目标频率1%以内。

关键词：固定关断时间控制升压转换器双路反馈环路补偿频率控制电路

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基于Silicate-1型分子筛修饰的QCM类神经毒气传感器

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传感技术学报 2011年第3期24卷 317-320页

作者：彭晶姚伟纪新明胡元元刘全包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433 复旦大学化学系上海200433

主要研究Silicate-1型纳米分子筛对类神经毒气有机气体甲基磷酸二甲酯(DMMP)的敏感特性,并结合高灵敏度的石英谐振天平(QCM)研制了DMMP气体传感器。采用Silicate-1型纳米分子筛作为敏感膜材料分别对不同浓度的DMMP气体进行检测。QCM传... 详细信息

主要研究Silicate-1型纳米分子筛对类神经毒气有机气体甲基磷酸二甲酯(DMMP)的敏感特性,并结合高灵敏度的石英谐振天平(QCM)研制了DMMP气体传感器。采用Silicate-1型纳米分子筛作为敏感膜材料分别对不同浓度的DMMP气体进行检测。QCM传感器随着气体浓度的增加,响应时间增加,气体吸附量增加;当DMMP浓度为50×10-6时,QCM响应频率为50 Hz。分别采用水汽,300×10-6 CO2和500×10-6 NH3作为干扰气体对该敏感膜材料选择性进行了研究,QCM的响应频率分别为178 Hz,28 Hz和15 Hz。采用交变电场作用下N2吹洗脱附,在60 s以内就可以达到85%以上的脱附率。

关键词：气敏传感器 Silicate-1分子筛 QCM DMMP

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高灵敏度小型化红外光声气体传感系统

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传感器与微系统 2011年第2期30卷 84-87页

作者：李俊纪新明周嘉包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

研制了一种高灵敏度小型化红外光声气体传感系统。该系统检测灵敏度高,对乙烯气体体积分数的检测限达到20×10-9以下。对光声信号和检测相位之间的关系进行了详细的研究,分析了光声信号中峰值相位变化的因素。结果表明:在固定相位... 详细信息

研制了一种高灵敏度小型化红外光声气体传感系统。该系统检测灵敏度高,对乙烯气体体积分数的检测限达到20×10-9以下。对光声信号和检测相位之间的关系进行了详细的研究,分析了光声信号中峰值相位变化的因素。结果表明:在固定相位延迟下利用锁相放大器检测光声信号可以获得比较高的灵敏度。同时根据对光声信号和相位延迟关系的研究,提出了小型化光声腔设计思路。

关键词：光声传感器小型化谐振式相位

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一种负载为7nF片上电容的低压差线性稳压器

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固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 505-509页

作者：龚晓寒倪金华洪志良刘洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 亚德诺半导体技术(上海)有限公司上海200021

详细分析并实现一种改进的片上全集成低压差线性稳压器（LDO）,其负载电容为7 nF片上电容,且在0~50 mA电流负载范围下具有很好的稳定性。电路通过电压负反馈环控制降低输出等效负载电阻,并且采用了自适应极点调节方法以确保环路的稳定... 详细信息

详细分析并实现一种改进的片上全集成低压差线性稳压器（LDO）,其负载电容为7 nF片上电容,且在0~50 mA电流负载范围下具有很好的稳定性。电路通过电压负反馈环控制降低输出等效负载电阻,并且采用了自适应极点调节方法以确保环路的稳定性。通过快通环路和高增益环路的混合控制,既能保证高的低频增益,又能满足快速响应的要求。该LDO包括输出电容7 nF均全集成在芯片内部。经0.13μm 1P9M标准CMOS工艺流片和测试,当负载电流在0~50 mA跳变时,过冲小于90 mV,且跳变稳定,相位裕度满足要求。

关键词：全集成低压差线性稳压器自适应极点调节快通环路高增益环

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整数型全数字锁相环的非线性量化效应及其对相位噪声的影响

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复旦学报（自然科学版） 2011年第4期50卷 462-469页

作者：沈珏 Fredrik Jonsson 郑立荣俞军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 iPack Vinn Excellence Center Royal Institute of Technology(KTH)

提出并验证了一种全数字锁相环(ADPLL)的非线性相位域模型,基于此模型说明了整数型ADPLL进入非线性阶段后,相位差量化器产生的量化误差概率密度分布不再符合现有线性模型条件,线性模型的相位噪声预测公式不再准确.经Matlab与Verilog行... 详细信息

提出并验证了一种全数字锁相环(ADPLL)的非线性相位域模型,基于此模型说明了整数型ADPLL进入非线性阶段后,相位差量化器产生的量化误差概率密度分布不再符合现有线性模型条件,线性模型的相位噪声预测公式不再准确.经Matlab与Verilog行为级仿真,验证并解释了整数型ADPLL在非线性阶段呈现的带宽扩展和带内相位噪声降低的新现象.进一步推导出了:当满足相位差量化器的量化步长与输入相位差标准偏差在同一数量级的条件时,整数型ADPLL从线性阶段进入非线性阶段.由此建立了一种简化的、便于实际设计的锁相环量化效应及相位噪声模型.设计条件的推导公式以及噪声模型的相位噪声趋势预测与Matlab仿真结果相符.

关键词：全数字锁相环量化步长非线性量化效应非线性PLL噪声模型相位噪声 Matlab建模 Verilog行为级建模

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