检索结果-内蒙古大学图书馆

复旦学报（自然科学版） 2009年第1期48卷 82-87页

作者：过瑶任俊彦范明俊许俊李联复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微纳电子科技创新平台上海201203

提出了一种改进型两级运算跨导放大器,采用class-AB输出级,电平位移技术以及嵌套式密勒补偿技术,设计并实现了一个采样/保持电路,用于12位精度、40MHz转换速率的流水线模/数转换器.在输入信号19MHz频率以及±1.2V信号摆幅下,采样/... 详细信息

提出了一种改进型两级运算跨导放大器,采用class-AB输出级,电平位移技术以及嵌套式密勒补偿技术,设计并实现了一个采样/保持电路,用于12位精度、40MHz转换速率的流水线模/数转换器.在输入信号19MHz频率以及±1.2V信号摆幅下,采样/保持电路的频谱分析结果表明,输出信号的信噪失真比达到101.7dB,无杂散动态范围达到111.8dB.该电路采用TSMC0.18μmCMOS工艺,电源电压为1.8V,功耗仅为5mW.

关键词：采样保持电路流水线模/数转换器改进型class-AB输出运算放大器低功耗

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一个基于离散填充函数的整数线性规划方法

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运筹与管理 2009年第1期18卷 21-24页

作者：陈克东荆明娥复旦大学管理学院上海200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 201203

本文提出了一个有效的解决整数线性规划的新算法。如果离散化的局部搜索过程陷入局部最优解,则构造相应的离散填充函数,引导搜索过程跳出局部最优解并得到更好的解。该方法是在离散空间中进行优化的,无需增加新的约束,且一直保持整数可... 详细信息

本文提出了一个有效的解决整数线性规划的新算法。如果离散化的局部搜索过程陷入局部最优解,则构造相应的离散填充函数,引导搜索过程跳出局部最优解并得到更好的解。该方法是在离散空间中进行优化的,无需增加新的约束,且一直保持整数可行性,收敛的速度非常快。该方法也为一般整数规划提出了一种新的途径。数值实例表明,与现有的方法相比,该算法能够较快的找到最优解。

关键词： NP完全问题填充函数局部最优解整数线性规划

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具有高速递归结构的基-4MAP译码器

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计算机工程与应用 2009年第3期45卷 77-80,90页

作者：张成苏文艳刘亮叶凡任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微纳电子科技创新平台上海201203

Turbo码在许多无线通信系统中展示了其良好的纠错性能。但是由于MAP算法中的递归运算限制,提高Turbo译码器的吞吐率是非常困难的。提出了一种新颖的MAP译码器结构。这种结构改进了基-4MAP译码器中的迭代结构以提高吞吐率,同时减少了以往... 详细信息

Turbo码在许多无线通信系统中展示了其良好的纠错性能。但是由于MAP算法中的递归运算限制,提高Turbo译码器的吞吐率是非常困难的。提出了一种新颖的MAP译码器结构。这种结构改进了基-4MAP译码器中的迭代结构以提高吞吐率,同时减少了以往基-4算法所引入的编码增益损耗。此外,该结构还采用了一种新的分块译码策略以减少译码器所需要的存储器数量。仿真与综合结果表明这种译码器结构提高了21%的吞吐率,而所引入的硬件开销增加可以忽略不计。

关键词：差错控制编码 turbo码最大后验概率算法高吞吐率

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UWB系统中(解)交织器低复杂度的实现

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计算机工程 2009年第7期35卷 217-219页

作者：李晶峰王雪静叶凡任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微纳电子科技创新平台上海201203

提出一种低复杂度的(解)交织器现场可编程门阵列实现方法,采用XilinxFPGA自带的双端口存储器,能有效降低FPGA资源的消耗,且输入位宽和输出位宽无需相同,适用于多带正交频分复用超宽带系统。实验结果表明,系统所占用的slices数目对于交... 详细信息

提出一种低复杂度的(解)交织器现场可编程门阵列实现方法,采用XilinxFPGA自带的双端口存储器,能有效降低FPGA资源的消耗,且输入位宽和输出位宽无需相同,适用于多带正交频分复用超宽带系统。实验结果表明,系统所占用的slices数目对于交织器和解交织器来说分别降低了46%和78%。

关键词：正交频分复用超宽带现场可编程门阵列

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一种RFID多标签碰撞检测方法

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小型微型计算机系统 2009年第9期30卷 1890-1894页

作者：刘丹魏鹏谭杰李波王俊宇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 中国科学院自动化研究所北京100080

提出一种适用于射频识别(RFID)读写器的多标签碰撞检测方法,并进行了电路实现和测试验证.该方法通过读写器数字接收机解码模块检测接收信号是否违反数据编码规则,判断标签的返回信号是否发生了碰撞,生成碰撞指示信号.测试表明该方法的... 详细信息

提出一种适用于射频识别(RFID)读写器的多标签碰撞检测方法,并进行了电路实现和测试验证.该方法通过读写器数字接收机解码模块检测接收信号是否违反数据编码规则,判断标签的返回信号是否发生了碰撞,生成碰撞指示信号.测试表明该方法的正确率可达到99%,能为各种基于时隙ALHOA的随机型多标签防碰撞算法的实现提供有效支持.对几种常见的RFID多标签防碰撞算法的实测结果表明,应用碰撞检测技术后读写器的多标签识别速度提高了约30～40%.

关键词：碰撞检测射频识别防碰撞

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一种数模混合电路状态的波形分析方法

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电路与系统学报 2009年第3期14卷 92-97页

作者：黄植希陆伟成张鹏唐璞山曾璇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 英特尔技术开发(上海)有限公司快闪存储器上海事业部上海200131

本文针对数模混合电路仿真波形的特点,提出一种以开关事件为基础的状态序列数据结构,有效地压缩存储空间;同时,基于这种数据结构,本文还提出一种仿真波形比较方法,该方法根据仿真波形自动检测划分电路的状态,并能在考虑一定容限范围的... 详细信息

本文针对数模混合电路仿真波形的特点,提出一种以开关事件为基础的状态序列数据结构,有效地压缩存储空间;同时,基于这种数据结构,本文还提出一种仿真波形比较方法,该方法根据仿真波形自动检测划分电路的状态,并能在考虑一定容限范围的前提下实现波形比较,有效地提高了模拟信号以及数字信号完整性的验证效率。这种方法已成功运用到本文开发的数模混合时移波形比较软件系统中,并已在Intel技术开发(上海)公司内部推广使用。

关键词：数模混合电路状态划分波形比较

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沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响

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复旦学报（自然科学版） 2009年第4期48卷 506-510页

作者：张金英华光平纪新明周嘉黄宜平复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室微电子研究院上海200433 上海先进半导体制造股份有限公司上海200233

采用0．35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件，芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联，以获得高的击穿电压和大的工作电流．研究发现，沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响，且最终影... 详细信息

采用0．35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件，芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联，以获得高的击穿电压和大的工作电流．研究发现，沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响，且最终影响量产中的良率．实验表明，在相同的工艺条件下，沟槽深度为1．65μm（试验范围为1．60～1．95μm）时，Ф200mm晶片的良率可达98％以上，器件导通电阻约8．2mΩ，源漏击穿电压稳定在34V以上，正常工作电流可达5A，开启电压和漏电流也稳定在要求范围内．

关键词：高功率 U形多晶硅栅金属氧化物半导体沟槽深度击穿电压良率

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可扩展的低成本双域模乘模除器算法及其VLSI实现

可扩展的低成本双域模乘模除器算法及其VLSI实现

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第二届全国智能信息处理学术会议

作者：曹丹韩军陈媛曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

本文通过应用Booth编码技术和多比特移位技术,有效地改进了有限域模乘模除算法,不仅使素域模乘的运算速度提高了一倍,而且使素域模除运算所需的迭代次数减小了40％.在算法改良的基础上,本文提出一种可配置的有限域模乘模除器结构,实现... 详细信息

本文通过应用Booth编码技术和多比特移位技术,有效地改进了有限域模乘模除算法,不仅使素域模乘的运算速度提高了一倍,而且使素域模除运算所需的迭代次数减小了40％.在算法改良的基础上,本文提出一种可配置的有限域模乘模除器结构,实现了模乘与模除运算,及素域与多项式域算术的硬件复用,大幅度地降低了硬件成本.另外,本文提出的硬件结构使用以字为单位的运算单元,采用流水线结构,具有良好的扩展性.因此,本文的模乘模除器具有灵活性、安全性和低成本的综合优势,可以广泛应用于各种高性能、低成本的便携移动设备,为各种无线终端设备用户提供高性能的信息安全服务.

关键词：信息安全模乘模除器硬件可配置多比特移位有限域模

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应用于MB-OFDM的超宽带频率综合器

应用于MB-OFDM的超宽带频率综合器

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第七届中国通信集成电路技术与应用研讨会

作者：陈丹凤李巍叶凡李宁任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

本文设计了一个应用于MB-OFDM超宽带“频段1”的频率综合器。采用锁相环和单边带混频器构成的结构，在Jazz 0.18μm CMOS模拟/射频工艺下，实现小于2ns的频率切换时间，相位噪声为-104dBc/Hz@1MHz，杂散小于-38dB，整个芯片在1.8V源电... 详细信息

本文设计了一个应用于MB-OFDM超宽带“频段1”的频率综合器。采用锁相环和单边带混频器构成的结构，在Jazz 0.18μm CMOS模拟/射频工艺下，实现小于2ns的频率切换时间，相位噪声为-104dBc/Hz@1MHz，杂散小于-38dB，整个芯片在1.8V源电压下消耗电流36mA。

关键词：超宽带频率综合器锁相环相位噪声

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原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征

原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：徐岩刘晗陈琳孙清清丁士进张卫复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明，Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的... 详细信息

本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明，Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的升高而减小;薄膜禁带宽度随退火温度的增大而增大。没有退火的样品的禁带宽度为3.41 eV，当退火温度上升至800 °C时，其禁带宽度增大至3.81 eV。在800 °C退火后导致界面层的形成，其厚度达1.6 nm。这是由于在高温退火过程中，衬底的Si原子与Nb2O5介质发生反应，在界面处形成了Nb-Si-O组分。

关键词：原子层淀积光学特性禁带宽度介质薄膜

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