检索结果-内蒙古大学图书馆

传感技术学报 2011年第9期24卷 1233-1237页

作者：杨天天于海涛许鹏程李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

采用化学修饰法,将酸性羧基基团嫁接于高比表面的积的SBA-15介孔材料中,然后将该功能化介孔材料负载于集成谐振式微悬臂梁表面,制得一种高性能的挥发性胺类同系物传感器。胺类分子的吸附将导致质量型微悬臂梁传感器谐振频率的下降,传感... 详细信息

采用化学修饰法,将酸性羧基基团嫁接于高比表面的积的SBA-15介孔材料中,然后将该功能化介孔材料负载于集成谐振式微悬臂梁表面,制得一种高性能的挥发性胺类同系物传感器。胺类分子的吸附将导致质量型微悬臂梁传感器谐振频率的下降,传感器检测下限可达ppb量级。对一系列胺类同系物的检测结果表明,胺类分子在羧基功能化介孔表面的吸附程度与其气相碱度强弱有关。

关键词：微电子机械系统化学传感器微悬臂梁介孔材料胺

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基于溶出伏安法的铋微阵列电极检测饮料中的铅和镉

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分析化学 2011年第11期39卷 1748-1752页

作者：刘德盟金妍金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室中国科学院研究生院

建立了基于溶出伏安法的铋微阵列电极检测饮料中重金属的方法。该传感器采用三电极体系,铋微阵列电极为工作电极,铂薄膜电极为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极。铋是一种低毒的重金属,采用铋作为反应物质可以使检测过程更加安全。微阵列... 详细信息

建立了基于溶出伏安法的铋微阵列电极检测饮料中重金属的方法。该传感器采用三电极体系,铋微阵列电极为工作电极,铂薄膜电极为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极。铋是一种低毒的重金属,采用铋作为反应物质可以使检测过程更加安全。微阵列电极具有高通量测定、便于微型化、抗干扰性等优点。实验表明,该传感器可同时检测出Pb2+和Cd2+,检出限分别为0.067和0.064 mg/L,且具有很好的重复性。此传感器用于检测橙汁中的Pb2+和Cd2+,结果令人满意。

关键词：铋阵列电极重金属离子铅镉溶出伏安法

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基于PDMS的人工视网膜神经微电极阵列

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上海交通大学学报 2011年第11期45卷 1731-1736页

作者：朱壮晖李刚周洪波张华赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

为了利用柔顺性材料实现电极位点与靶细胞的良好接触,同时保证微电极的可靠性,提出了一种新的聚二甲基硅氧烷(PDMS)微电极制作方法.该方法通过在硅基表面沉积金属层、光刻图形化以及电镀形成电极基本结构,然后通过PDMS浇注、湿法刻蚀、... 详细信息

为了利用柔顺性材料实现电极位点与靶细胞的良好接触,同时保证微电极的可靠性,提出了一种新的聚二甲基硅氧烷(PDMS)微电极制作方法.该方法通过在硅基表面沉积金属层、光刻图形化以及电镀形成电极基本结构,然后通过PDMS浇注、湿法刻蚀、释放以及键合完成基于PDMS微电极制作.其中,微电极绝缘层制作和电极位点暴露采用浇注PDMS并结合外力夹压固化和PDMS湿法刻蚀来实现.使用该方法制作的PDMS电极,结构稳定、可靠性好,具有良好的贴附性.同时,通过SEM和阻抗测试对所制作的微电极进行了表面形貌和电学性能的测试和评价.结果显示,相对于传统方法制作的PDMS微电极,电化学阻抗降低了近60%(频率1 kHz处),基于该方法制作的PDMS微电极在力学和电学性能方面均具明显优势.

关键词：微电极阵列聚二甲基硅氧烷电镀人工视网膜

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基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工

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功能材料与器件学报 2011年第3期17卷 313-318页

作者：黄占喜吴亚明李四华中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中科院研究生院北京10003

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photo-resist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底... 详细信息

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photo-resist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜。该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Re-active Ion Etching,DR IE)、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺。

关键词： MEMS 光刻多掩膜体硅工艺

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三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构

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微纳电子技术 2011年第5期48卷 326-332页

作者：黄占喜吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性... 详细信息

提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性腐蚀,该工艺可以应用于MEMS微悬空结构的制作。利用该工艺成功地在单片n-Si(100)衬底上完成了一种十字梁结构的释放,并对腐蚀的过程和工艺参数进行了研究。

关键词：微悬空结构释放体硅工艺三维掩膜各向异性腐蚀腐蚀模拟

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基于静电力的微液滴驱动芯片

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传感器与微系统 2011年第2期30卷 116-118,121页

作者：刘翔高安然李铁周萍王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

为了精确操控微流体,设计并制作了一种基于静电力的微液滴驱动芯片。介绍了驱动原理和工艺流程,搭建了驱动检测实验平台。芯片采用开放式的结构,只需单层共平面控制电极,以硅作衬底,氧化硅和多晶硅作绝缘层,重掺杂多晶硅为驱动电极阵列... 详细信息

为了精确操控微流体,设计并制作了一种基于静电力的微液滴驱动芯片。介绍了驱动原理和工艺流程,搭建了驱动检测实验平台。芯片采用开放式的结构,只需单层共平面控制电极,以硅作衬底,氧化硅和多晶硅作绝缘层,重掺杂多晶硅为驱动电极阵列,高质量Si3N4作介质层,碳氟聚合物为疏水层。实验表明:微液滴可在芯片上按程序设定方式在二维平面内流畅运动,最小驱动电压为15V,最大运动速度达96mm/s。芯片制作工艺简单,操作方便,可应用于生化分析芯片实验室系统。

关键词：微流控液滴静电驱动共平面电极

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基于PID反馈的高Q值加速度计闭环检测电路

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传感器与微系统 2011年第2期30卷 101-103,106页

作者：孙腾车录锋黎晓林吴健中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

高Q值加速度计由于能够很好地降低热机械布朗噪声,被广泛应用于高精度低噪声检测领域,相应的闭环接口电路却成为其应用的困难之一。通过分析传感器的器件结构和动态响应,提出了一种基于PID反馈的闭环检测电路来克服传感器因高Q值造成的... 详细信息

高Q值加速度计由于能够很好地降低热机械布朗噪声,被广泛应用于高精度低噪声检测领域,相应的闭环接口电路却成为其应用的困难之一。通过分析传感器的器件结构和动态响应,提出了一种基于PID反馈的闭环检测电路来克服传感器因高Q值造成的不利影响,改善系统的频率特性和动态响应。根据设计原理设计和测试了基于PCB板级的闭环检测电路。电路的测试结果表明:该电路有效拓宽了可应用频带,增加了系统的线性度,并提高了系统的动态响应时间。

关键词：高Q值加速度计 PID反馈闭环检测

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基于集成参比电极的多参数水质监测微传感器阵列研制

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传感器与微系统 2011年第10期30卷 99-101,105页

作者：张缓缓刘彬金庆辉刘咏松浙江理工大学理学院浙江杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

研究了一种基于MEMS工艺制备的集成微电极型传感器,并用电化学修饰方法将Ag/AgCl参比电极集成在传感器上,用于水体中温度、电导率和氧化还原电位的测定。Pt温度传感器的电阻与温度的线性关系良好,满足温度测量精度的需求;比较法确定电... 详细信息

研究了一种基于MEMS工艺制备的集成微电极型传感器,并用电化学修饰方法将Ag/AgCl参比电极集成在传感器上,用于水体中温度、电导率和氧化还原电位的测定。Pt温度传感器的电阻与温度的线性关系良好,满足温度测量精度的需求;比较法确定电导率传感器的电极常数为2.723,可以对一般水体的电导率进行测定;氧化还原电位传感器的标准曲线斜率为0.99733接近于理论值,表明它可以准确表示水体的氧化还原电位值。

关键词：微机电系统技术 Ag/AgCl参比电极集成微电极水质监测

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台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触

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红外与激光工程 2011年第12期40卷 2309-2313页

作者：魏鹏朱耀明邓洪海唐恒敬李雪张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱... 详细信息

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层;金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触特性的改善。结果表明,采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触。

关键词：传输线模型(TLM) p-InP 欧姆接触比接触电阻 AES

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低热机械噪声的梳齿式加速度计

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仪表技术与传感器 2011年第10期 21-23页

作者：杨丹琼徐静钟少龙李四华吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

文中介绍了一种基于低噪声梳齿变面积型加速度计。采用体硅加工工艺,利用SOI材料30μm顶层硅制造垂直梳齿,梳齿数目达200对,提高了初始电容,能够充分利用尺寸空间,获得具有低噪特性的加速度计。该种形式的加速度计不需要真空封装,也不... 详细信息

文中介绍了一种基于低噪声梳齿变面积型加速度计。采用体硅加工工艺,利用SOI材料30μm顶层硅制造垂直梳齿,梳齿数目达200对,提高了初始电容,能够充分利用尺寸空间,获得具有低噪特性的加速度计。该种形式的加速度计不需要真空封装,也不需要制作阻尼孔就能满足低噪声要求。器件采用三层材料,利用硅-玻璃键合和BCB键合实现,能够有效提高成品率,并给出了成功流片后得到的SEM照片。最后,对器件进行了频谱响应曲线的测试,测试得到器件在非真空封装及无阻尼孔情况下Q值高达156.95。测试结果表明该器件的设计简化了制造工艺,降低了成本,同时得到提高了Q值,能够降低热机械噪声。

关键词：低噪声加速度计体硅工艺梳齿电容滑膜阻尼

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