检索结果-内蒙古大学图书馆

材料研究学报 2006年第6期20卷 621-625页

作者：徐天宁吴惠桢斯剑霄曹春芳黄占超浙江大学物理系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20005

用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构．结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0．4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有... 详细信息

用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构．结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0．4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构；降低Se/PbSe束流比至0．2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构；当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫．在BaF_2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃．

关键词：无机非金属材料 PbSe单晶薄膜分子束外延应变弛豫螺旋结构

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微型质子交换膜燃料电池

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化学通报 2006年第4期69卷 261-266页

作者：张熙贵杨辉夏保佳中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050

针对近期微能源领域对微型质子交换膜燃料电池的各种应用,特别是在移动电子产品中的应用研究日益受到重视,本文较为详细地介绍了各国、特别是美国、日本和欧洲等国家开展微型燃料电池研发的特点和趋势,并对微型质子交换膜燃料电池研发... 详细信息

针对近期微能源领域对微型质子交换膜燃料电池的各种应用,特别是在移动电子产品中的应用研究日益受到重视,本文较为详细地介绍了各国、特别是美国、日本和欧洲等国家开展微型燃料电池研发的特点和趋势,并对微型质子交换膜燃料电池研发过程中存在的困难及商业化前景作了简要分析。

关键词：微能源微型燃料电池微型质子交换膜燃料电池微机电系统

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高阶谐振模态的超高质量分辨硅微悬臂梁压阻传感器

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Journal of Semiconductors 2006年第8期27卷 1496-1502页

作者：刘剑李昕欣金大重刘民王跃林左国民余海涛包菡涵中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

开发了一种在空气中具有几十飞克质量分辨率的谐振式微机械悬臂梁生化质量检测传感器.在悬臂梁上面实现了使用惠斯通压阻电桥检测和洛伦兹力线圈驱动集成结构.与通常的一阶模态谐振传感器不同,为了显著提高传感器特异性反应吸附质量以... 详细信息

开发了一种在空气中具有几十飞克质量分辨率的谐振式微机械悬臂梁生化质量检测传感器.在悬臂梁上面实现了使用惠斯通压阻电桥检测和洛伦兹力线圈驱动集成结构.与通常的一阶模态谐振传感器不同,为了显著提高传感器特异性反应吸附质量以实现分子水平的检测分辨率,提出了一种二阶弯曲谐振模态优化驱动的方法.在悬臂梁上集成了一种回形针状的驱动电流回路,实现了与第二模态悬臂梁运动两个相反运动峰值相吻合的两处同时反方向驱动.研究中采用硅微机械技术实现了集成谐振悬臂梁的制作,并研制出了高性能的谐振传感器闭环接口电路.在空气中进行谐振实验,与传统一阶模态传感器相比,采用该优化驱动的二阶模态,谐振品质因数从195提高到857,谐振频率从49·156提高到298·132kHz,采用Allen方差的方法对谐振频率噪声进行分析,表明该优化驱动的二阶模态传感器将传统的一阶模态传感器质量分辨率从0·17改善到0·029pg,达到了4个痘病毒的质量分辨水平.

关键词：悬臂梁压阻敏感电磁激励 AGC式闭环电路谐振模态质量检测分辨率

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Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺

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Journal of Semiconductors 2006年第7期27卷 1335-1338页

作者：刘北平李晓良朱海波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实... 详细信息

采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明,用Cl2/He气体刻蚀GaN材料可以获得较高的刻蚀速率,最高可达420nm/min.同时刻蚀后GaN材料的表面形貌也较为平整,均方根粗糙度(RMS)可达1nm以下.SEM图像显示刻蚀后表面光洁,刻蚀端面陡直.最后比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar刻蚀GaN基片的刻蚀速率、表面形貌,以及制作n型电极后的比接触电阻.

关键词：干法刻蚀感应耦合等离子体 GaN 刻蚀速率 Cl2/He Cl2/Ar

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用苯并环丁烯进行圆片级硅–硅气密性键合

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电子元件与材料 2006年第2期25卷 55-57页

作者：刘玉菲李四华吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室微系统技术国家级重点实验室

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片进行了圆片级低温键合,并研究了其在气密性封装工艺中的应用。测试表明:在250℃的低温键合条件下,封装后样品的气密性优于3.0×10–***3/sHe;剪切力达4.7MPa以上;封装样品合格率达94%以上;通过热循环... 详细信息

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片进行了圆片级低温键合,并研究了其在气密性封装工艺中的应用。测试表明:在250℃的低温键合条件下,封装后样品的气密性优于3.0×10–***3/sHe;剪切力达4.7MPa以上;封装样品合格率达94%以上;通过热循环可靠性测试之后仍具有很好的气密性。BCB是一种较理想的圆片级低温气密性健合封装材料。

关键词：半导体技术低温键合气密性封装苯并环丁烯(BCB) 气密性检测

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采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜

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光电子．激光 2006年第12期17卷 1453-1456页

作者：雷本亮于广辉孟胜齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(A... 详细信息

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108cm-2。

关键词： GaN 氢化物气相外延(HVPE) 低温AIN插入层

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新型纳机电热探针阵列器件数据存储技术研究

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仪器仪表学报 2006年第7期27卷 693-697页

作者：杨尊先于映林丽华李昕欣福州大学电子科学与应用物理系福州350002 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

对自行研制的一种新型压阻敏感器和电阻加热器一体集成的纳机电热探针阵列传感器进行了存储特性研究。首先对器件电热特性和敏感特性进行测试,测试结果与模拟结果相吻合。在此基础上,进行数据存储测试,借助原子力学显微镜在聚合物有机... 详细信息

对自行研制的一种新型压阻敏感器和电阻加热器一体集成的纳机电热探针阵列传感器进行了存储特性研究。首先对器件电热特性和敏感特性进行测试,测试结果与模拟结果相吻合。在此基础上,进行数据存储测试,借助原子力学显微镜在聚合物有机薄膜上实现了数据写入,并研究了脉冲电压、脉冲宽度及其施加于探针上的力载荷对存储效果的影响,优化写入条件后,数据记录面密度达31.6GB/in2.

关键词：纳米针尖集成探针阵列存储特性电阻加热器

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射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光

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发光学报 2006年第6期27卷 971-975页

作者：隋妍萍于广辉孟胜雷本亮王笑龙王新中齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的... 详细信息

采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料;非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的氮空位(VN)缺陷有关;不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响;结合Hall效应测量结果,认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光,与GaN的自补偿效应以及重掺杂导致的晶体质量下降有关。

关键词：分子束外延 Ⅲ/V比 PL谱黄带发光

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Monte Carlo Simulation of Impurity Scattering Effect in Resonant-Phonon-Assisted Terahertz Quantum-Cascade Lasers

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Journal of Semiconductors 2006年第2期27卷 304-308页

作者：曹俊诚吕京涛中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

We study the influence of ionized impurity scattering on the electron transport in resonant-phonon-assisted terahertz （THz） quantum-cascade lasers （QCLs）. We treat the ionized impurity scattering rates within the single subband static screening approximation. We find that the ionized impurity scattering supplies an additional current channel across the device,and affects the electrondistribution in different subbands. We conclude that the ionized impurity scattering should be taken into account in the study of the transport properties of resonant-phonon-assisted THz QCLs.

关键词： THz quantum-cascade laser Monte Carlo method

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微机电光学电流传感器的设计

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电子元件与材料 2006年第12期25卷 27-30页

作者：赵本刚徐静高翔刘玉菲吴亚明中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

提出了一种检测50Hz交流电的微机电光学电流传感器。通过电磁学、微机电与光学方法说明了传感器的敏感原理与光学转换原理，结合工艺条件给出了器件的设计要求，并利用matlab软件模拟分析了传感器的仿真测试结果。计算表明，器件可以测... 详细信息

提出了一种检测50Hz交流电的微机电光学电流传感器。通过电磁学、微机电与光学方法说明了传感器的敏感原理与光学转换原理，结合工艺条件给出了器件的设计要求，并利用matlab软件模拟分析了传感器的仿真测试结果。计算表明，器件可以测试1～7．2kA的交流电，大电流下的灵敏度可达到0．01dB／A以上。

关键词：电子技术微机电系统光学电流传感器扭转微镜双光纤准直器

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