检索结果-内蒙古大学图书馆

电子元件与材料 2006年第12期25卷 27-30页

作者：赵本刚徐静高翔刘玉菲吴亚明中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

提出了一种检测50Hz交流电的微机电光学电流传感器。通过电磁学、微机电与光学方法说明了传感器的敏感原理与光学转换原理，结合工艺条件给出了器件的设计要求，并利用matlab软件模拟分析了传感器的仿真测试结果。计算表明，器件可以测... 详细信息

提出了一种检测50Hz交流电的微机电光学电流传感器。通过电磁学、微机电与光学方法说明了传感器的敏感原理与光学转换原理，结合工艺条件给出了器件的设计要求，并利用matlab软件模拟分析了传感器的仿真测试结果。计算表明，器件可以测试1～7．2kA的交流电，大电流下的灵敏度可达到0．01dB／A以上。

关键词：电子技术微机电系统光学电流传感器扭转微镜双光纤准直器

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单晶硅纳米梁的分子动力学模拟

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传感技术学报 2006年第5A期19卷 1686-1688页

作者：曹共柏焦继伟陈云飞李铁杨恒王跃林中科院上海微系统与信息技术研究所东南大学机械工程学院教育部MEMS重点实验室南京210096

采用经典的分子动力学方法,分析了两端固支的纳米梁的力学行为特征.在初始应变下,梁的表面原子发生了重构,而初始应变能仅是重构能的1%,随着分子动力学迭代的开始,初始应变能逐渐转化为梁中原子的热运动动能和梁的谐振能量.从其能量的... 详细信息

采用经典的分子动力学方法,分析了两端固支的纳米梁的力学行为特征.在初始应变下,梁的表面原子发生了重构,而初始应变能仅是重构能的1%,随着分子动力学迭代的开始,初始应变能逐渐转化为梁中原子的热运动动能和梁的谐振能量.从其能量的变化曲线得到,梁的谐振频率为2.32×1010Hz.与连续介质近似结果对比发现,该谐振频率对应的杨氏模量为101GPa,小于体硅的131GPa,说明在该尺度下杨氏模量小于体材料.另外,分子动力学结果显示,发热是纳米梁耗散机制的重要方式,即谐振能量转化为梁中原子的热运动动能.

关键词：分子动力学有限元连续介质近似谐振频率

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硅晶片双面超精密化学机械抛光

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 396-399页

作者：张楷亮宋志棠钟旻郑鸣捷封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室信息功能材料国家重点实验室上海200050

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶... 详细信息

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.

关键词：硅晶片双面抛光化学机械抛光抛光液

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新型高灵敏度低功耗的磁场传感器设计与模拟

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传感技术学报 2006年第5B期19卷 2068-2071页

作者：刘玉菲赵本刚吴亚明王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室

提出了一种用于微弱磁场检测的新型MOEMS磁场传感器结构,包括MEMS微扭转敏感结构、磁性敏感薄膜和光学检测部分.文中分析了器件的磁敏感原理和光学检出原理,给出了器件的结构参数、模态分析和综合设计考虑,并利用Mat-lab进行了解析计算... 详细信息

提出了一种用于微弱磁场检测的新型MOEMS磁场传感器结构,包括MEMS微扭转敏感结构、磁性敏感薄膜和光学检测部分.文中分析了器件的磁敏感原理和光学检出原理,给出了器件的结构参数、模态分析和综合设计考虑,并利用Mat-lab进行了解析计算,通过ANSYS进行了模拟仿真分析.分析结果表明:通过双光纤准直器和光电探测器监测微扭转镜面的扭转,该器件可以实现60nT的磁场探测,其探测灵敏度可以达到0.6dB/μT.

关键词： MOEMS技术磁场传感器扭转微镜面双光纤准直器

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一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术

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传感技术学报 2006年第5A期19卷 1462-1465页

作者：史明甫焦继伟包晓清冯飞杨恒李铁王跃林中国科学院研究生院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室

研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道... 详细信息

研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列。在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440nm.

关键词：微/纳机械系统纳米沟道离子束刻蚀

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应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 407-410页

作者：刘玉菲刘文平李四华吴亚明罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过500kPa He气保压2h,BCB... 详细信息

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过500kPa He气保压2h,BCB封装后样品的气密性达到(5.5±0.5)×10-4Pa cc/s He;剪切力在9.0～13.4 MPa之间,达到了封装工艺要求;封装成品率达到100%.这表明应用BCB材料键合是一种有效的圆片级低温气密性封装方法.还根据渗流模型理论,讨论了简易模型下气密性(即渗流率)和器件腔体边缘到划片边缘的间距的关系.

关键词：低温键合气密性封装苯并环丁烯渗流模型

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蓝牙Ad hoc网调度策略的设计与仿真

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系统仿真学报 2006年第9期18卷 2546-2549,2608页

作者：马忠建方旭明蔡海慧傲丹中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 西南交通大学移动通信省重点实验室成都610031 广州赛宝认证中心服务有限公司广州510610

在分析现有蓝牙Adhoc网轮询方案的基础上,分别提出一种基于传统轮询方案中的DRR(Deficit Round Robin)算法的改进方案——WDRR(Weighted Deficit Round Robin)算法和一种基于自适应轮询方案中的LWRR(Limitedand Weighted Round Robin)策略的改进方案,并对WDRR算法进行了仿真。结果表明WDRR降低了网络的平均时延,在一定程度上改善了蓝牙Adhoc网的通信质量。

关键词：蓝牙 Ad hoc网微微网轮询时延吞吐量

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Ink的状态对微型PEMFC氧电极Pt利用率的影响

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电源技术 2006年第8期30卷 617-620页

作者：张熙贵夏保佳刘娟英郑丹徐乃欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050

电化学极化实验表明,Ink(催化剂与溶剂在超声条件下形成的墨水状浆料)为胶体时,对应的微型质子交换膜燃料电池(PEMFC)氧电极极化性能相对于Ink为溶液时有明显提高。通过激光粒度实验和扫描电镜实验证实了Ink不同状态时对应的氧电极催化... 详细信息

电化学极化实验表明,Ink(催化剂与溶剂在超声条件下形成的墨水状浆料)为胶体时,对应的微型质子交换膜燃料电池(PEMFC)氧电极极化性能相对于Ink为溶液时有明显提高。通过激光粒度实验和扫描电镜实验证实了Ink不同状态时对应的氧电极催化层空间状态和厚度存在较大差异。Ink为胶体时催化层Pt簇团聚粒子间隙较大,催化层厚度较低,有利于氧电极的反应传质过程,这是氧电极性能提高的根本原因。循环伏安实验结果发现,Ink为胶体时对应的氧电极Pt的利用率从25.2%提高到31.6%。

关键词：微型质子交换膜燃料电池氧电极极化性能 Pt利用率

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纳米孔氮化镓材料的制备和研究

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功能材料与器件学报 2006年第4期12卷 255-258页

作者：王笑龙于广辉雷本亮隋妍萍孟胜齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺。用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料。孔的大小和孔间距可以通过改变阳极... 详细信息

介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺。用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料。孔的大小和孔间距可以通过改变阳极氧化条件来控制,改变刻蚀时间可以控制孔深。刻蚀所用气体为氯气和惰性气体的混合物。扫描电镜照片显示,掩模图形能够很好地转移到GaN材料上。刻蚀后的材料经光荧光谱(PL Spectra)谱和Raman散射谱测试,显示出良好的光学特性,并在一定程度上释放了应力。

关键词：氮化镓纳米孔阳极氧化铝 ICP刻蚀 Raman

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采用阳极氧化铝做掩膜生长氮化镓膜

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功能材料与器件学报 2006年第6期12卷 509-512页

作者：雷本亮于广辉孟胜齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜。采用扫描电镜观察了氮化镓膜的界面性质并用阴极发光谱表征了截面上氮化镓层在不同位置的的发光性质,发现随着厚度的增加,其发光特性得到改善,而且由于... 详细信息

采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜。采用扫描电镜观察了氮化镓膜的界面性质并用阴极发光谱表征了截面上氮化镓层在不同位置的的发光性质,发现随着厚度的增加,其发光特性得到改善,而且由于掩膜结构的引入,外延膜中的压应力得到一定程度的释放。

关键词：氮化镓氢化物气相外延阳极氧化铝

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