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主题

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机构

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作者

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语言

  • 1,964 篇 中文
检索条件"机构=上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室"
1964 条 记 录,以下是1641-1650 订阅
排序:
采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜
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光电子.激光 2006年 第12期17卷 1453-1456页
作者: 雷本亮 于广辉 孟胜 齐鸣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(A... 详细信息
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射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光
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发光学报 2006年 第6期27卷 971-975页
作者: 隋妍萍 于广辉 孟胜 雷本亮 王笑龙 王新中 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的... 详细信息
来源: 评论
Monte Carlo Simulation of Impurity Scattering Effect in Resonant-Phonon-Assisted Terahertz Quantum-Cascade Lasers
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Journal of Semiconductors 2006年 第2期27卷 304-308页
作者: 曹俊诚 吕京涛 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
We study the influence of ionized impurity scattering on the electron transport in resonant-phonon-assisted terahertz (THz) quantum-cascade lasers (QCLs). We treat the ionized impurity scattering rates within the ... 详细信息
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微机电光学电流传感器的设计
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电子元件与材料 2006年 第12期25卷 27-30页
作者: 赵本刚 徐静 高翔 刘玉菲 吴亚明 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
提出了一种检测50Hz交流电的微机电光学电流传感器。通过电磁学、微机电与光学方法说明了传感器的敏感原理与光学转换原理,结合工艺条件给出了器件的设计要求,并利用matlab软件模拟分析了传感器的仿真测试结果。计算表明,器件可以测... 详细信息
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单晶硅纳米梁的分子动力学模拟
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传感技术学报 2006年 第5A期19卷 1686-1688页
作者: 曹共柏 焦继伟 陈云飞 李铁 杨恒 王跃林 中科院上海微系统与信息技术研究所 东南大学机械工程学院教育部MEMS重点实验室 南京210096
采用经典的分子动力学方法,分析了两端固支的纳米梁的力学行为特征.在初始应变下,梁的表面原子发生了重构,而初始应变能仅是重构能的1%,随着分子动力学迭代的开始,初始应变能逐渐转化为梁中原子的热运动动能和梁的谐振能量.从其能量的... 详细信息
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硅晶片双面超精密化学机械抛光
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Journal of Semiconductors 2006年 第z1期27卷 396-399页
作者: 张楷亮 宋志棠 钟旻 郑鸣捷 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 纳米技术研究室信息功能材料国家重点实验室上海200050
为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶... 详细信息
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新型高灵敏度低功耗的磁场传感器设计与模拟
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传感技术学报 2006年 第5B期19卷 2068-2071页
作者: 刘玉菲 赵本刚 吴亚明 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室
提出了一种用于微弱磁场检测的新型MOEMS磁场传感器结构,包括MEMS微扭转敏感结构、磁性敏感薄膜和光学检测部分.文中分析了器件的磁敏感原理和光学检出原理,给出了器件的结构参数、模态分析和综合设计考虑,并利用Mat-lab进行了解析计算... 详细信息
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一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术
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传感技术学报 2006年 第5A期19卷 1462-1465页
作者: 史明甫 焦继伟 包晓清 冯飞 杨恒 李铁 王跃林 中国科学院研究生院 上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室
研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道... 详细信息
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应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究
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Journal of Semiconductors 2006年 第z1期27卷 407-410页
作者: 刘玉菲 刘文平 李四华 吴亚明 罗乐 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 微系统技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过500kPa He气保压2h,BCB... 详细信息
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蓝牙Ad hoc网调度策略的设计与仿真
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系统仿真学报 2006年 第9期18卷 2546-2549,2608页
作者: 马忠建 方旭明 蔡海慧 傲丹 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 西南交通大学移动通信省重点实验室 成都610031 广州赛宝认证中心服务有限公司 广州510610
在分析现有蓝牙Adhoc网轮询方案的基础上,分别提出一种基于传统轮询方案中的DRR(Deficit Round Robin)算法的改进方案——WDRR(Weighted Deficit Round Robin)算法和一种基于自适应轮询方案中的LWRR(Limitedand Weighted Round Robin)... 详细信息
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