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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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7,582 篇 专利
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53 篇 农学
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7 篇 法学
6 篇 文学
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主题

95 篇 锂离子电池
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71 篇 微机电系统
70 篇 太赫兹
68 篇 量子级联激光器
50 篇 微流控芯片
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42 篇 传感器
42 篇 mems
40 篇 微电子机械系统
40 篇 电化学性能
38 篇 储氢合金
38 篇 分子束外延
37 篇 正交频分复用
36 篇 石墨烯
35 篇 离子注入
35 篇 无线传感网
34 篇 毫米波

机构

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747 篇 中国科学院大学
553 篇 中国科学院研究生...
370 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
285 篇 上海科技大学
242 篇 上海无线通信研究...
174 篇 上海微小卫星工程...
147 篇 上海大学
140 篇 中国科学院上海微...
126 篇 上海交通大学
118 篇 中国科学院上海微...
110 篇 上海新傲科技股份...
101 篇 中国科学院上海微...
93 篇 上海微系统与信息...
93 篇 上海新安纳电子科...
85 篇 中国电子技术标准...
76 篇 浙江大学
61 篇 复旦大学
60 篇 无锡物联网产业研...

作者

1,138 篇 宋志棠
600 篇 赵建龙
575 篇 王曦
551 篇 王跃林
440 篇 谢晓明
416 篇 封松林
394 篇 李昕欣
374 篇 欧欣
319 篇 刘波
285 篇 孙晓玮
265 篇 卜智勇
253 篇 张苗
236 篇 陈静
230 篇 尤立星
229 篇 金庆辉
228 篇 刘卫丽
226 篇 熊斌
212 篇 王永良
210 篇 张永刚
204 篇 曹俊诚

语言

13,239 篇 中文
16 篇 英文
6 篇 日文

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超导集成电路的布局方法

超导集成电路的布局方法

引用

作者：任洁辛玲高小平王镇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种超导集成电路的布局方法，包括：基于标准单元库建立以器件管脚为数据主体的数据库，数据库包括时序及物理信息；基于数据库进行静态时序分析，得到每个管脚的时序信息；基于各管脚的时序信息及器件的逻辑深度确定各管脚... 详细信息

标准号: CN113642280B

本发明提供一种超导集成电路的布局方法，包括：基于标准单元库建立以器件管脚为数据主体的数据库，数据库包括时序及物理信息；基于数据库进行静态时序分析，得到每个管脚的时序信息；基于各管脚的时序信息及器件的逻辑深度确定各管脚的优先级，对优先级高的管脚进行直连，以构造初始布局结果；基于初始布局结果利用最小通道密度算法检查可布线性，若存在不可布线的通道，将挡住布线的器件移开，留出足够的布线空间后走线；否则直接走线。本发明的超导集成电路的布局方法实现了基于版图的静态时序分析算法，继而利用时序分析结果，考虑电路本身多种物理属性，完成自动布局，节省设计面积，同时布局结果无需额外走线资源。

关键词：管脚布局结果走线超导集成电路静态时序分析数据库时序信息布线算法标准单元库时序布线空间器件管脚深度确定时序分析数据主体物理属性物理信息自动布局小通道移开直连挡住电路检查

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一种纳米约瑟夫森结及其超导器件与制作方法

一种纳米约瑟夫森结及其超导器件与制作方法

引用

作者：应利良何桂香彭炜任洁王镇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种纳米约瑟夫森结及其超导器件与制作方法，包括以下步骤：提供一基底；依次形成下电极层、势垒层及上电极层于基底上，势垒层覆盖下电极层，上电极层覆盖势垒层；形成光刻胶层于上电极层的表面并图形化光刻胶层；基于图形... 详细信息

标准号: CN118265441A

本发明提供一种纳米约瑟夫森结及其超导器件与制作方法，包括以下步骤：提供一基底；依次形成下电极层、势垒层及上电极层于基底上，势垒层覆盖下电极层，上电极层覆盖势垒层；形成光刻胶层于上电极层的表面并图形化光刻胶层；基于图形化后的光刻胶层刻蚀上电极层；缩小图形化后的光刻胶层；以缩小后的光刻胶层为掩膜刻蚀上电极层以得到上电极；图形化刻蚀势垒层并去除光刻胶层；图形化刻蚀下电极层以得到下电极。本发明的制作方法能够克服光刻机的光刻极限，得到纳米级别的约瑟夫森结，并且在现有技术基础上不需要对掩膜版的设计作出变动，能够有效提升超导电路的集成度和工作频率和稳定性。

关键词：光刻胶层电极层势垒层下电极层图形化刻蚀约瑟夫森结图形化基底刻蚀图形化光刻胶超导电路超导器件工作频率技术基础纳米级别集成度光刻机下电极掩膜版电极覆盖光刻掩膜去除制作

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高散热芯片的晶圆级封装方法

高散热芯片的晶圆级封装方法

引用

作者：肖克来提 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种高散热芯片的晶圆级封装方法，通过将冷却结构设置于封装体中，且对芯片实现立体围绕式散热，再加之直接采用金属作为芯片封装体，大大提高芯片散热效率、降低芯片封装结构体积；另外，芯片嵌入金属晶圆中，可使芯片具有... 详细信息

标准号: CN117612948A

本发明提供一种高散热芯片的晶圆级封装方法，通过将冷却结构设置于封装体中，且对芯片实现立体围绕式散热，再加之直接采用金属作为芯片封装体，大大提高芯片散热效率、降低芯片封装结构体积；另外，芯片嵌入金属晶圆中，可使芯片具有更佳的保护强度；第三，芯片的嵌入和芯片的冷却通道一次性加工成型，极大降低芯片封装的复杂性以及封装成本；第四，采用对整片金属晶圆一次性压合第一光敏性干膜实现所有第一间隙的填充，同样对整片金属晶圆一次性压合第二光敏感膜实现将冷却结构密封，极大提高封装效率且降低封装成本；最后，以晶圆级形式进行整体封装，一次性可完成整片晶圆封装，有效提高封装效率以及进一步降低封装成本。

关键词：晶圆芯片封装整片金属一次性压合封装效率冷却结构嵌入一次性加工成型芯片封装结构光敏性干膜晶圆级封装芯片封装体冷却通道芯片封装芯片散热芯片实现整体封装封装体高散热光敏感晶圆级一次性散热填充密封

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一种基于碳化硅的富碳P型欧姆接触的结构及其制作方法

一种基于碳化硅的富碳P型欧姆接触的结构及其制作方法

引用

作者：程新红刘少煜郑理俞跃辉 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于碳化硅的富碳P型欧姆接触结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一P型碳化硅衬底；形成富碳结构于所述P型碳化硅衬底的上表面；形成金属层于所述P型碳化硅衬底的上表面，所述金属层覆盖所述富碳结构；进行退火以使所... 详细信息

标准号: CN118098944A

本发明提供一种基于碳化硅的富碳P型欧姆接触结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一P型碳化硅衬底；形成富碳结构于所述P型碳化硅衬底的上表面；形成金属层于所述P型碳化硅衬底的上表面，所述金属层覆盖所述富碳结构；进行退火以使所述金属层与富碳结构反应形成合金层，所述合金层包括金属硅化物、金属碳化物及石墨层。本发明通过在P型碳化硅衬底及金属层之间形成富碳结构以形成金属‑碳‑碳化硅结构，后续通过金属硅化退火步骤实现P型碳化硅欧姆接触，整体制作方法中温度范围较低，且制作方法较为灵活，能够有效避免形成欧姆接触时因极高的工艺温度造成器件结构中氧化物质量和可靠性退化，从而提高器件的性能稳定性和使用可靠性。

关键词：金属层碳结构衬底退火欧姆接触合金层上表面金属硅化物金属碳化物碳化硅结构性能稳定性金属硅化器件结构整体制作石墨层碳化硅氧化物制作退化金属灵活覆盖

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一种固态储氢装置

一种固态储氢装置

引用

作者：蒲朝辉吴铸许小鸥 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种固态储氢装置，储氢装置罐体、阀门、过滤片，所述储氢装置罐体内设有储氢材料，所述储氢材料包括储氢材料A、储氢材料B。本发明固态储氢材料常见易获得，也不需要特殊处理或添加其他非储氢材料类催化剂，操作简单易又能... 详细信息

标准号: CN117553231A

本发明涉及一种固态储氢装置，储氢装置罐体、阀门、过滤片，所述储氢装置罐体内设有储氢材料，所述储氢材料包括储氢材料A、储氢材料B。本发明固态储氢材料常见易获得，也不需要特殊处理或添加其他非储氢材料类催化剂，操作简单易又能降低成本和能耗。

关键词：储氢材料储氢装置罐体固态储氢材料固态储氢装置过滤片阀门催化剂能耗

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一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法

一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法

引用

作者：顾杰斌刘冰杰李昕欣 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸... 详细信息

标准号: CN107527861B

本发明提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面；至少两条设于所述面板边缘且两端分别与所述引流槽、所述面板侧面连通的通气槽；所述通气槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面。本发明的喷嘴片结构可以针对不同结构和形状的微腔进行不同种类金属单质或金属合金的有效、快速填充，且喷嘴通孔位置不需要与填充片上待填充的微腔位置一一对应，从而大大提高了喷嘴片结构的普适性。

关键词：面板下表面喷嘴片面板上表面引流槽微腔方向延伸通气槽通孔填充连通贯穿开口金属合金金属填充快速填充面板边缘面板侧面喷嘴通孔液态金属种类金属喷嘴普适性填充片下表面单质

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一种有机场效应晶体管及其制备方法

一种有机场效应晶体管及其制备方法

引用

作者：张凯欢于洪权魏政兴吴阳江 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种有机场效应晶体管的制备方法，其包括提供金属图案化结构，其中，在衬底上制备光刻胶，通过一次图案化曝光和二次泛曝光使得光刻胶的部分区域被除去以得到电极支撑结构光刻胶，该电极支撑结构光刻胶为具有负倾角的图案化... 详细信息

标准号: CN118139501A

本发明涉及一种有机场效应晶体管的制备方法，其包括提供金属图案化结构，其中，在衬底上制备光刻胶，通过一次图案化曝光和二次泛曝光使得光刻胶的部分区域被除去以得到电极支撑结构光刻胶，该电极支撑结构光刻胶为具有负倾角的图案化结构，然后通过单步金属沉积实现源电极、漏电极和栅电极的制备以得到图案化电极；提供半导体薄膜；将半导体薄膜贴附于金属图案化结构上得到悬空结构的有机场效应晶体管。本发明还涉及由上述制备方法得到的有机场效应晶体管。根据本发明的有机场效应晶体管的制备方法，利用光刻胶进行两次曝光后形成的负倾角图案化结构，通过单步金属沉积实现电极制备，无需两次金属沉积即可完成悬空结构的有机场效应晶体管的构建。

关键词：有机场效应晶体管光刻胶制备金属沉积金属图案化结构电极支撑结构半导体薄膜图案化结构悬空结构负倾角单步图案化电极一次图案化电极制备两次曝光曝光漏电极源电极栅电极衬底构建贴附

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一种高频声波谐振器及应用其的滤波器

一种高频声波谐振器及应用其的滤波器

引用

作者：欧欣吴进波张师斌郑鹏程张丽萍 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种高频声波谐振器及应用其的滤波器。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、底电极、压电薄膜和叉指换能器；该叉指换能器包括第一汇流条和多个间隔设置的第一电极；该多个第一电... 详细信息

标准号: CN115021705B

本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种高频声波谐振器及应用其的滤波器。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、底电极、压电薄膜和叉指换能器；该叉指换能器包括第一汇流条和多个间隔设置的第一电极；该多个第一电极的同一侧与该第一汇流条连接；该多个第一电极中相邻的第一电极的中心之间的间隔距离与目标模式的频率之积小于该支撑衬底的声速；该目标模式为该高频声波谐振器在纵向电场作用下激发的高阶模式；本申请提供的该声波谐振器建立在异质集成衬底上，具有结构简单且压电薄膜强度高，仍能够保证声波谐振器的品质的特点。

关键词：第一电极高频声波谐振器衬底叉指换能器声波谐振器目标模式压电薄膜汇流条滤波器微电子技术领域高阶模式间隔距离间隔设置依次层叠纵向电场底电极异质支撑激发申请应用保证

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一种星地融合网络中的资源分配方法

一种星地融合网络中的资源分配方法

引用

作者：张梦莹杨秀梅汪涵赵宇卜智勇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种星地融合网络中的资源分配方法，包括：构建星地融合网络模型；网络控制实体获取每个卫星终端的位置信息和传输需求，并获取每个地面通信系统的位置信息和传输需求；根据卫星终端的以及所述地面通信系统的位置信息和传输... 详细信息

标准号: CN115474281B

本发明涉及一种星地融合网络中的资源分配方法，包括：构建星地融合网络模型；网络控制实体获取每个卫星终端的位置信息和传输需求，并获取每个地面通信系统的位置信息和传输需求；根据卫星终端的以及所述地面通信系统的位置信息和传输需求，网络控制实体执行资源分配，确定卫星在一个资源分配窗口中的每个时隙中使用共享频谱服务的卫星终端集合，以及每个地面通信系统在一个资源分配窗口中可使用共享频谱进行传输的时隙集合；网络控制实体将资源分配结果发送给卫星通信系统和地面通信系统；卫星和地面通信系统根据资源分配结果进行传输。

关键词：地面通信系统资源分配网络控制实体传输需求卫星终端资源分配结果融合网络卫星通信系统共享频谱服务传输共享频谱时隙集合卫星构建集合

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SFQ时序电路综合计算方法、系统以及终端

SFQ时序电路综合计算方法、系统以及终端

引用

作者：任洁杨树澄高小平王镇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明的SFQ时序电路综合计算方法、系统以及终端，分别对SFQ逻辑门状态机的状态机描述分别进行解释以及编译获得该状态机的状态转移集合信息，并对所述状态转移集合信息分解为一或多个子状态机，并将各子状态机与SFQ逻辑单元库中的各... 详细信息

标准号: CN113095015B

本发明的SFQ时序电路综合计算方法、系统以及终端，分别对SFQ逻辑门状态机的状态机描述分别进行解释以及编译获得该状态机的状态转移集合信息，并对所述状态转移集合信息分解为一或多个子状态机，并将各子状态机与SFQ逻辑单元库中的各单元门进行映射，并基于各子状态机的映射结果，对各子状态机进行重组，以获得SFQ时序逻辑电路结构。本发明利用了SFQ逻辑门自有的优势，直接完成从SFQ逻辑门状态机到SFQ时序电路的逻辑映射，减少了中间模拟CMOS逻辑门、组成CMOS时序状态机的两步操作，提高了SFQ时序电路的逻辑综合成功率以及对SFQ单元库的利用率，使SFQ时序电路的大规模自动化设计更加高效，并解决现有技术的问题。

关键词：时序电路逻辑门状态机子状态机集合信息状态转移时序逻辑电路时序状态机状态机描述自动化设计逻辑单元逻辑映射逻辑综合模拟CMOS 映射结果综合计算单元库单元门映射成功率编译终端分解

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